MechanicV
Members-
Постов
108 -
Зарегистрирован
-
Посещение
Тип контента
Профили
Форумы
Блоги
Весь контент MechanicV
-
Как я думаю. На много быстрей будет происходить процесс открытия транзистора если затвор будет просто разряжен до нуля, а если он будет заряжен до -15 В то понадобиться время что бы с начало довести уровень до нуля на затворе а потом ещё и зарядить до +15 В. А если поставить биполяр разрядно-затворный то придётся всего навсего зарядить затвор от нуля до +15 В. ИМХО Это моя тема я её давно уже проходил. Схема оказалась не надёжная. Какие MOS-FET или биполяры?
-
Первый способ основан на двойном заряде транзистора Q3 через R7 то есть положительная волна заряжает затвор Q3 до +15 В в этот момент Q3 откроется и закроется когда затвор будет перезаряжен отрицательной волной до -15 В. Второй способ транзистора Q3 через D1 R3 положительная волна заряжает затвор Q2 до +15 В в этот момент Q2 откроется и закроется когда отрицательная волна откроет Q1 при этом затвор будет просто разряжен через R3 и Q1 транзистор Q2 закроется. Вопрос? Какую схему выбрать для работы в ИИП?
-
Всем здрасти. Есть дисплей старый но моложе меня WG240x128 под контроллером T6369C и к этому контроллеру прикручена ОЗУ LY62256. Можно ли в это ОЗУ загрузить свои сгенерированные русские шрифты и их потом выводить на дисплей? У меня усть готовые функции инициализации и записи сомманд и данных в контроллер T6369C.
-
В одном ДШ всё. GD32F4xx_User_Manual_Rev2.7.pdf
-
кнопку BOOT зажимай да шей с конфигурацией как нужно. на крайняк через DFU
- 2 ответа
-
1