Как устроенапринц схема униполярного генератора импульсов 40-120 кГц ?

[XavieR]

Как устроена принципиальная  схема  униполярного (DC) генератора импульсов  20-120 кГц с регулируемымм напряжением 200 - 1300 В   и током до 4 А при 300В (1,2 кВА) ?  

Используется для магнетронного напыления металлов.  Говорят, что он "ближайший родственник"  сварочного инвертора и высоковольтного плазмореза

Изменено 17 февраля, 2018 пользователем XavieR

[Реклама]

Реклама: ООО ТД Промэлектроника, ИНН: 6659197470, Тел: 8 (800) 1000-321

[iomanshrimras]

В 17.02.2018 в 12:22, XavieR сказал:

Как устроена принципиальная  схема  униполярного (DC) генератора импульсов  20-120 кГц с регулируемымм напряжением 200 - 1300 В   и током до 4 А при 300В (1,2 кВА) ?  

Сначала формируется постоянное напряжение при помощи IGBT или иногда MOSFET  инвертора, а затем  модулируется высоковольтным IGBT модулем, обязательно по двухтактной схеме (рис "Б" ), чтобы в промежутках между импульсами прижимать выход к общему проводу, обеспечивая на нем нулевое напряжение.  IGBT модули управляются высоковольтными драйверами.

Иногда дополнительно, последовательно с выходной цепью в схему ставят IGBT, который постоянно находится в открытом режиме и закрывается на фиксированное время в момент возникновения дуги.

Цитата

Управление. Микросхемы независимых драйверов верхнего и нижнего плеча управляются по входам HIN и LIN. Причем высокий уровень логического сигнала включает, соответственно, верхнее или нижнее плечо драйвера. В микросхеме L6386E помимо этого используется дополнительный вход SD, отключающий оба плеча независимо от состояния на входах HIN и LIN.

В микросхеме L6384E применяются сигналы SD и IN. Сигнал SD отключает оба плеча независимо от состояния на входе IN. Сигнал IN = 1 эквивалентен комбинации сигналов {HIN = 1, LIN = 0} и, наоборот, IN = 0 эквивалентен комбинации сигналов {HIN = 0, LIN = 1}. Таким образом, одновременное включение транзисторов верхнего и нижнего плеча невозможно в принципе.

В микросхеме L6388E управление осуществляется по входам HIN и LIN, поэтому принципиально возможно подать на входы комбинацию {HIN = 1, LIN = 1}, однако внутренняя логическая схема преобразует ее в комбинацию {HIN = 0, LIN = 0}, исключив, таким образом, одновременное включение обоих транзисторов.

Что касается параметров, начнем с микросхем типа H&L.

Значение VOFFSET, равное 600 Вольт, является в каком-то смысле стандартом для микросхем данного класса.

Значение выходного тока IO+ (IO-), равное 400/650 мА, является показателем средним, ориентированным на типовые транзисторы общего назначения. Если сравнивать с микросхемами семейства IRS (поколение G5 HVIC), то компания International Rectifier предлагает, главным образом, микросхемы с параметром 290/600 мА. Однако в линейке International Rectifier есть также модели с параметрами 2500/2500 мА (IRS2113) и несколько меньшим быстродействием или микросхемы с выходными токами до 4000/4000 мА (IRS2186). Правда, в этом случае время переключения по сравнению сL6385E увеличивается до значения 170/170 нс.  https://www.compel.ru/lib/ne/2010/6/10-sovremennyie-vyisokovoltnyie-drayveryi-mosfet-i-igbt-tranzistorov

 

аналоги IGBT  от другого производителя  https://konstruktor.net/podrobnee-elekt/new-dual-novyj-vysokovoltnyj-modul-igbt-x-serii-ot-kompanii-mitsubishi-electric-1117.html

[Реклама]

20% скидка на весь каталог электронных компонентов в ТМ Электроникс!

Акция "Лето ближе - цены ниже", успей сделать выгодные покупки!

Плюс весь апрель действует скидка 10% по промокоду APREL24 + 15% кэшбэк и бесплатная доставка!

Перейти на страницу акции

Реклама: ООО ТМ ЭЛЕКТРОНИКС, ИНН: 7806548420, info@tmelectronics.ru, +7(812)4094849

[iomanshrimras]

Application notes ,  HV DC-DC Converters:

AN-1205 Design of Secondary Side Rectification using The AUIRS1170S Smart-Rectifier Control IC

AN-1092 Understanding HVIC Datasheet Specifications

AN-1087 Design of Secondary Side Rectification using IR1167 SmartRectifier™ Control IC

 

https://www.infineon.com/dgdl/an-1205.pdf?fileId=5546d462533600a40153559b2c001160

https://www.infineon.com/dgdl/an-1092.pdf?fileId=5546d462533600a401535595bc541044

https://www.infineon.com/dgdl/an-1087.pdf?fileId=5546d462533600a4015355959ea21034

[Реклама]

Выбираем схему BMS для корректной работы литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

 Обязательным условием долгой и стабильной работы Li-FePO4-аккумуляторов, в том числе и производства EVE Energy, является применение специализированных BMS-микросхем. Литий-железофосфатные АКБ отличаются такими характеристиками, как высокая многократность циклов заряда-разряда, безопасность, возможность быстрой зарядки, устойчивость к буферному режиму работы и приемлемая стоимость. Но для этих АКБ, также как и для других, очень важен контроль процесса заряда и разряда, а специализированных микросхем для этого вида аккумуляторов не так много. Инженеры КОМПЭЛ подготовили список имеющихся микросхем и возможных решений от разных производителей. Подробнее>>

Реклама: АО КОМПЭЛ, ИНН: 7713005406, ОГРН: 1027700032161