MechanicV

Тогда да я совсем забыл что в основном обратное напряжение у биполяров на много меньше рабочего.

По сути ДА но почему протез указывает на обе схемы как правильно рабочие? Ладно это мелочь если буду делать то по Q1.

Так ведь в самой IR2153 есть уже транзисторы которые разряжают затворы, разве их не хватает? Зачем ставить доп транзюля?

Как я думаю. На много быстрей будет происходить процесс открытия транзистора если затвор будет просто разряжен до нуля, а если он будет заряжен до -15 В то понадобиться время что бы с начало довести уровень до нуля на затворе а потом ещё и зарядить до +15 В. А если поставить биполяр разрядно-затворный то придётся всего навсего зарядить затвор от нуля до +15 В. ИМХО Это моя тема я её давно уже проходил. Схема оказалась не надёжная. Какие MOS-FET или биполяры?

А так лучше сделать с резюком 1 кОм.

Тогда да. Но в случаи с трансформатором вот что выходит.

@z_vip в вашей схеме потечёт большой ток через 22 база-коллектор на минус. BD140 будут очень сильно греться. Нужен токоограничитель на 1 кОм в базу. И как включать разрядный биполярный транзистор без разнице, что эмиттером к затвору, что коллектором к затвору.

@ilya_orel00 хорошо понял. Именно начал собирать понижающий стабилизируемый выходное напряжение ИИП на 2 КВт.

Первый способ основан на двойном заряде транзистора Q3 через R7 то есть положительная волна заряжает затвор Q3 до +15 В в этот момент Q3 откроется и закроется когда затвор будет перезаряжен отрицательной волной до -15 В. Второй способ транзистора Q3 через D1 R3 положительная волна заряжает затвор Q2 до +15 В в этот момент Q2 откроется и закроется когда отрицательная волна откроет Q1 при этом затвор будет просто разряжен через R3 и Q1 транзистор Q2 закроется. Вопрос? Какую схему выбрать для работы в ИИП?

Разобрался. У этих HCPL3120 разные транзисторы один биполярный другой MOSFET естественно характеристики разные вот и перекос. Добавил резюки картинка стала отличная.

В общем сделал на двух HCPL3120 но и тут засада откуда берется перекос?

Что то затупил. Во 2 схеме ток потечёт сразу через эмиттер база Q8 и база эмиттер Q7

А ещё в чем разница?

Q12 и Q11 нужно другой проводимости.

Существует два способа включения H моста с ОЭ и ОК. В чем разница?

Если нагрев буз нагрузки вообще то это не впорядке.

Нет смысла проводить измерения. Нагрев сердечника у трансформатора устранить не возможно не какими средствами. Но можно сделать обдув поставить вентилятор. И ещё не видно дед-тайма между импульсов.

Экспериментируйте это полезно для познания схемотехники.

Мда его то я и не заметил. Бред полный. Он на 1 Ом а не на 15 кОм. Служит для ограничения зарядного тока для C1 и всё.

А причём тут резистор на 10 К?

Конечно так как нет ограничения мощности.

Греется магнитопровод так как входит в насыщения. Такая болезнь у 2153 с самого её сотворения. Исправить невозможно.

Всем здрасти. Есть дисплей старый но моложе меня WG240x128 под контроллером T6369C и к этому контроллеру прикручена ОЗУ LY62256. Можно ли в это ОЗУ загрузить свои сгенерированные русские шрифты и их потом выводить на дисплей? У меня усть готовые функции инициализации и записи сомманд и данных в контроллер T6369C.

забей на 103

В одном ДШ всё. GD32F4xx_User_Manual_Rev2.7.pdf