Stm32 Запись Во Flash Зависает

[dem140592]

пытаюсь записать данные во FLASH, зависает в момент присвоения, да так, что даже прерывания перестают работать, с мануалом всё сходится

if(FLASH->CR&FLASH_CR_LOCK)
{
FLASH->KEYR=FLASH_KEY1;
FLASH->KEYR=FLASH_KEY2;//проверял, разблокируется успешно
}
FLASH->CR|= FLASH_CR_PG;
*addr=(uint16_t)data;//вот здесь всё зависает
while(FLASH->SR&FLASH_SR_BSY);
FLASH->CR &= ~FLASH_CR_PG;
FLASH->CR |= FLASH_CR_LOCK;

использование стандартной функции заканчивается тем же

FLASH_Unlock();
FLASH_ProgramHalfWord(0x08004000, (uint16_t)0x1234);
FLASH_Lock();

помогите плиз разобраться

Изменено 24 сентября, 2012 пользователем admin

[Реклама]

Реклама: ООО ТД Промэлектроника, ИНН: 6659197470, Тел: 8 (800) 1000-321

[admin]

Посмотри вот рабочий код, только что проверял, работает отлично. Пишет в 127 страничку 4 переменные:

#include "stm32f10x.h"
#include "stm32f10x_gpio.h"
#include "stm32f10x_rcc.h"

///////////////////////////////////////////////////////
#define FLASH_KEY1               ((uint32_t)0x45670123)
#define FLASH_KEY2               ((uint32_t)0xCDEF89AB)
#define FLASH_PAGE				 ((uint8_t)0x7F)
///////////////////////////////////////////////////////

uint8_t flash_ready(void) {
return !(FLASH->SR & FLASH_SR_BSY);
}

/* Стираем страницу */
void flash_erase_page(uint32_t address) {
   FLASH->CR|= FLASH_CR_PER;
   FLASH->AR = address;
   FLASH->CR|= FLASH_CR_STRT;
   while(!flash_ready())
   	;
   FLASH->CR&= ~FLASH_CR_PER;
}

/* Разблокируем */
void flash_unlock(void) {
  FLASH->KEYR = FLASH_KEY1;
  FLASH->KEYR = FLASH_KEY2;
}

/* Блокировка Flash */
void flash_lock() {
FLASH->CR |= FLASH_CR_LOCK;
}

/* Запись во Flash */
void flash_write(uint32_t address,uint32_t data) {

FLASH->CR |= FLASH_CR_PG;
while(!flash_ready())
	;
   *(__IO uint16_t*)address = (uint16_t)data;
while(!flash_ready())
	;
address+=2;
data>>=16;
   *(__IO uint16_t*)address = (uint16_t)data;
while(!flash_ready())
	;
   FLASH->CR &= ~(FLASH_CR_PG);

}

/* Чтение Flash */
uint32_t flash_read(uint32_t address) {
return (*(__IO uint32_t*) address);
}

/* Функция записи 4-х байт данных */
void flash_write_variables(uint8_t var0, uint8_t var1, uint8_t var2, uint8_t var3){
uint32_t wr_data = var3<<24 | var2<<16 | var1<<8 | var0;
uint32_t st_address = FLASH_BASE + FLASH_PAGE * 1024;

flash_unlock();
flash_erase_page(st_address);
flash_lock();

flash_unlock();
uint16_t tmp;
for(tmp=0;tmp<1024;tmp+=4)
	flash_write(st_address+tmp,wr_data);
flash_lock();
}

int main(void) {

while (1)
{
	uint8_t v1,v2,v3,v4;

	flash_write_variables(1,2,3,4);

	uint32_t st_address = FLASH_BASE + FLASH_PAGE * 1024;
	v1=flash_read(st_address);
	v2=flash_read(st_address)>>8;
	v3=flash_read(st_address)>>16;
	v4=flash_read(st_address)>>24;
}
}

[Реклама]

20% скидка на весь каталог электронных компонентов в ТМ Электроникс!

Акция "Лето ближе - цены ниже", успей сделать выгодные покупки!

Плюс весь апрель действует скидка 10% по промокоду APREL24 + 15% кэшбэк и бесплатная доставка!

Перейти на страницу акции

Реклама: ООО ТМ ЭЛЕКТРОНИКС, ИНН: 7806548420, info@tmelectronics.ru, +7(812)4094849

[Гость dezna]

внутренний RC осцилятор HSI должен быть включен

[Реклама]

Выбираем схему BMS для корректной работы литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

 Обязательным условием долгой и стабильной работы Li-FePO4-аккумуляторов, в том числе и производства EVE Energy, является применение специализированных BMS-микросхем. Литий-железофосфатные АКБ отличаются такими характеристиками, как высокая многократность циклов заряда-разряда, безопасность, возможность быстрой зарядки, устойчивость к буферному режиму работы и приемлемая стоимость. Но для этих АКБ, также как и для других, очень важен контроль процесса заряда и разряда, а специализированных микросхем для этого вида аккумуляторов не так много. Инженеры КОМПЭЛ подготовили список имеющихся микросхем и возможных решений от разных производителей. Подробнее>>

Реклама: АО КОМПЭЛ, ИНН: 7713005406, ОГРН: 1027700032161

[Гость Alex]

внутренний RC осцилятор HSI должен быть включен

И не только включен, так еще тактирование в результате должно быть 24 мГц или ниже