Как Работать С Внешним Озу?

[gibiri]

Как подать сигналы на CE, WE, OE при записи и при чтении?

Вроде по даташиту делаю но не получается.

Микросхема 62256.

WE. When selected LOW, a WRITE is conducted. When selected HIGH, a READ is

conducted

CE. When LOW, selects the chip. When HIGH, deselects the chip

OE. Output Enable. Controls the direction of the I/O pins. When LOW, the I/O pins

behave as outputs. When deasserted HIGH, I/O pins are three-stated, and act as

input data pins

[Реклама]

Реклама: ООО ТД Промэлектроника, ИНН: 6659197470, Тел: 8 (800) 1000-321

[chip-chip]

А как сигналы подавали? По выводам D0-D7 идет запись или чтение в зависимости от сигнала на ОЕ. А0-А14 - шина адреса для записи-чтения данных.

[Реклама]

20% скидка на весь каталог электронных компонентов в ТМ Электроникс!

Акция "Лето ближе - цены ниже", успей сделать выгодные покупки!

Плюс весь апрель действует скидка 10% по промокоду APREL24 + 15% кэшбэк и бесплатная доставка!

Перейти на страницу акции

Реклама: ООО ТМ ЭЛЕКТРОНИКС, ИНН: 7806548420, info@tmelectronics.ru, +7(812)4094849

[gibiri]

Если подать на OE 1, то значение с выводов D0-7 запишется в ячейку по адресу указанному в А0-14?

А на WE и СЕ подавать 0?

[Реклама]

Особенности хранения литиевых аккумуляторов и батареек

Потеря емкости аккумулятора напрямую зависит от условий хранения и эксплуатации. При неправильном хранении даже самый лучший литиевый источник тока с превосходными характеристиками может не оправдать ожиданий. Технология, основанная на рекомендациях таких известных производителей литиевых источников тока, как компании FANSO и EVE Energy, поможет организовать правильный процесс хранения батареек и аккумуляторов. Подробнее>>

Реклама: АО КОМПЭЛ, ИНН: 7713005406, ОГРН: 1027700032161

[chip-chip]

По сигналу СЕ происходит запись в регистр. При сигнале WE 0 происходит запись в кристалл. В даташите должны быть осциллограммы сигналов. Неохота даташит качать!

[Реклама]

Выбираем схему BMS для корректной работы литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

 Обязательным условием долгой и стабильной работы Li-FePO4-аккумуляторов, в том числе и производства EVE Energy, является применение специализированных BMS-микросхем. Литий-железофосфатные АКБ отличаются такими характеристиками, как высокая многократность циклов заряда-разряда, безопасность, возможность быстрой зарядки, устойчивость к буферному режиму работы и приемлемая стоимость. Но для этих АКБ, также как и для других, очень важен контроль процесса заряда и разряда, а специализированных микросхем для этого вида аккумуляторов не так много. Инженеры КОМПЭЛ подготовили список имеющихся микросхем и возможных решений от разных производителей. Подробнее>>

Реклама: АО КОМПЭЛ, ИНН: 7713005406, ОГРН: 1027700032161

[tcoder]

Раз такая тема, я тут тоже вопрос задам: никто не пробовал к контроллеру подключить допотопное динамическое ОЗУ К565РУ5Г? Как то замахнулся на современные компьютерные планки, но решил начать с самого простого и.... ПФффф - самое простое не работает - по графикам управляющих выводов всё сходится с осциллограммами в советских книженциях... на деле - не работает... может микросхема дохлая.... Прошивка регенерировала память, и периодически прерывалась чтобы получить данные с лпт-порта для записи и через тот же период - чтобы отдать их обратно (по одному битику). На компе соответственно смотрел - что ушло, что вышло. А ничего не вышло..... По таймингам тоже вроде всё вписывается.... не то питание плохое, не то она запуститься не может....

gibiri, извиняюсь, если помешал.... вдруг мне тоже кто нибудь ответит

Изменено 12 ноября, 2012 пользователем tcoder

[chip-chip]

Там одна фишка была (и есть): время регенерации (хранения-выборки сигнала) не должно превышать 250 мс (как помнится). То есть использовать для произвольного хранения информации без снятия питания не получится. Там данные ходили по стеку (ячейкам памяти) по циклу. То есть постоянно обновлялись. Как то так.

[tcoder]

В инструкциях для буковки Г не более 2мс, но всё вписывалось, тем более что в программе есть моменты, когда только что регенерированная ячейка на выдачу уходит - полюбому что то должно было проскочить, ан нет... Вернусь к этой затее позже, пока времени не хватает...

Там по сути постоянно должна происходить регенерация в виде выдачи адреса строки и импульса RAS. Вот это мой контроллер и делал, и через 256 полных циклов регенерации записывал бит с LPT, еще через 256 - выдавал обратно.... потом следующий адрес и так потихоньку по отношению к скорости регенерации двигался по 256 первым ячейкам по кругу.

Пробовал и напрямую к лпт подключать и поочередно выдавать импульсы - по идее при чтении подается адрес троки, потом сигнал RAS, чуть позже адрес столбца - сигнал CAS - и через некоторое время должен был появляться бит данных на выходном пине.... Вроде где то писали, что пока удерживается CAS - данные останутся на выходе независимо от состояния ячейки, т.к. находятся в статическом буфере. И так не работало...

Программу отлаживал в эмуляторе - сигналы вроде везде вовремя идут, алгоритм выдачи данных тоже норм (у меня контроллер должен был считывать бит с памяти, и потом выдать его на отдельный пин и дальше регенерировать. Своего рода защёлка - прием против медленной и асинхронной работы LPT.

Всё-же склоняюсь к нестабильному питанию, или микросхему где то по неосторожности попортил... или сразу была порченная....

Изменено 12 ноября, 2012 пользователем tcoder

[chip-chip]

По моему в этой книге более-менее расписано: Горошков. Элементы радиоэлектронных устройств.

[tcoder]

Посмотрим, что за книжечка. А вообще жадноваты как то советские книженции на инфу по этим микросхемам, у Шила про регенерацию вообще не слова.... (или я плохо читал)

[chip-chip]

У Шила про эти МС ни слова. Есть справочник по моему "Микросхемы динамической памяти". На работе что то подобное есть. Если надо - можно уточнить.

[tcoder]

В указанной книжечке нет. У Шила тоже нет, Вы правы, там 155 серия. Так что скорее всего или я накосячил или микра не работает, соберу более надёжную и простую схему, когда время высвободится. Изучал микру по этой книге: mrb1199 Микросхемы памяти в электронных устройствах О.Н.Лебедев 1994-600. Если можно, уточните автора....

[chip-chip]

Уже только завтра...

[tcoder]

Автору:

Для чтения самый простой асинхронный вариант: CS и OE - на ноль, WE на единицу - в этом случае какой адрес подан, с такого и отображаются данные на выходе, стоит только адресу измениться - предыдущие данные продержаться на выходе в течении времени tOH, а новые данне появятся через tAA, в промежутке времени когда tOH уже прошло, а tAA еще нет читать данные нельзя - нестабильное состояние.

Синхронное чтение посложнее:

Выставляем адрес, далее СS в ноль, далее OE в ноль - далее ждем время tOE и снимаем данные, потом OE в единицу, и далее CS в единицу. Это вкратце - там нужно выдержать все временные интервалы, и не допустить выхода интервалов времени за допустимый диапазон min-max (см таблицу в датащите)

Запись попозже опишу...

только завтра...

Да я не спешу. Но книжечка, целиком посвящённая динамической памяти меня очень интересует.

Изменено 12 ноября, 2012 пользователем tcoder

[Гость Серый]

Использовал когда-то и статические и динамические, как раз ру5. Если всё правильно делать,

то работают сразу и без проблем.

У статической, в режиме хранения, на СЕ должна быть 1, при подаче 0, она начинает действовать

в зависимости: WE=0 - запись по адресу на А байта с D; WE=1, OE=0 - чтение с адреса на А и

вывод байта на D. ОЕ открывает выходные буфура данных, когда 1 выводы D отключены, это

нужно бывает когда несколько МС соединены параллельно. У некоторых МС бывают дополнительные

управляющие сигналы, эт уже надо смотреть справочники на них, а также и другие параметры...

Динамическим ОЗУ нужен контроллер. Изучал по справочнику

"Полупроводниковые БИС запоминающих устройств" , именно РУ5. Описано вроде не полохо, раз

потом смог использовать их.

[tcoder]

Автору:

По записи - сигнал OE в этом процессе участия не принимает и скорее всего всегда должен быть под единицей, А в чем разница двух способов записи я толком не понял, т.к. сам не очень в этих графиках ориентируюсь, но можно пытаться просто повторить нужную последовательность, как нарисовано.... Я перечерчивал такие осциллограммы на бумагу только масштабировал всё по времени из таблицы, чтобы наглядно видеть реальную форму всех сигналов.... правда всё равно не заработало

Прям все наперебой отвечают, и все чуток по разному.

Полупроводниковые БИС запоминающих устройств

Спасибо. Поищу. Хорошая вероятно книга

[Гость Серый]

То что все отвечают чюток по разному эт нормально, истина же сохранилась!

А книжечка старенькая, аж 86 года, с тех пор столько всего добавилось!

[tcoder]

Не нашёл описания работы динамики в книжечке "полупроводниковые БИС"... может плохо искал, зато вот что нашёл в таблице по ру5г:

Период регенерации Tref (нс) = мин 2,0

2 наносекунды? в то время как

Время выборки сигнала RAS Ta(ras) (нс) = макс 200

Как такое может быть Когда время фиксации адреса строки может в 100! раз превышать время регенерации. Хотя по логике максимальное значение времени фиксации адреса никак не должно превышать период регенерации. А ведь нужно 128 адресов перебрать за эти 2 наносекунды (вроде там сразу по две строки регенерируется).

...Позлорадствовал.... Tref должен быть в миллисекундах однако. Как и написано в других книгах. Вот встречаешь опечатку в книге, и.... тему такую заводил, но не пошла....

Или вот эта запятайка (2 , 0) в цифре означает, что я должен это число умножить на миллион ?

Дополнение:

Во, описание нашёл, хитро затеряное между таблицами... однако пока ничего нового.

Изменено 12 ноября, 2012 пользователем tcoder

[Гость Серый]

Посмотри тут: http://publ.lib.ru/A...ustroystv.(1987).[djv].zip

Формат не очень удобный но других может и не быть.

Можно ещё и здесь посмотреть: http://publ.lib.ru/A...onov_A.Yu..html

[tcoder]

Вот по обеим ссылкам везде одна и та же книга SPRV-RAM.djvu, про которую я написал уже. И одна новая попалась - OZU-PPZU.djvu - вот она поинтересней, спасибо.

[Лалюна]

gibiri WE - запись по низкому уровню

CE - выбор кристалла по низкому уровню (перевод ОЗУ из ждущего состояния в рабочее)

OE - разрешение вывода данных из ОЗУ по низкому уровню (при активации переводит выходной буфер ОЗУ из третьего состояния в рабочее)

Соответственно порядок подачи сигналоов:

Чтение :

Запись:

Обратите внимание что - после чего подаётся и выводится из микросхемы.Время задержки между сигналами может быть и больше, но меньше - нет. Все сигналы динамические, то есть постоянно меняют своё состояние, а не так - подал сигнал один раз на WE и записываешь всю память целиком. Придётся повторять операции для каждой ячейки...

[Гость Серый]

Вот по обеим ссылкам везде одна и та же книга SPRV-RAM.djvu, про которую я написал уже. И одна новая попалась - OZU-PPZU.djvu - вот она поинтересней, спасибо.

Проверил сейчас эти ссылки, одна вообще не открывается! А вчера обе работали, может это косяки интернета?

Попробуй тогда ещё через поиск. Под этим названием есть несколько справочников.

Этот под редакцией А. Ю. Гордонова и Ю. Н. Дьякова.

[tcoder]

Да открывается она, просто Вы её не до конца выделили, когда делали ссылку, там несколько нехватающих символов доввести и всё норм - но это как раз тот справочник, в котором 2 наносекунды

Под одним названием разные справочники.... бррррр Как у советов всё сложно.