svav Опубликовано 25 декабря, 2017 Поделиться Опубликовано 25 декабря, 2017 Все мы покупаем с нашей чудесной поднебесной запчасти. И зачастую они приходят не самого наилучшего качества. Задача, проверить на сколько быстродействующий транзистор в очередной раз пришел из китая. Попытки подключить транзистор к драйверу не увенчались особым успехом. Показатели быстрых или медленных транзисторов особо не отличались. Понятное дело что многое еще зависит от самого драйвера, который не отличается быстродействием. Как мне еще намекнули, показателей которые указаны в даташите не достичь, т.к. они мол идеальные. И все-же хочется узнать как можно узнать полное время открытия и полное время закрытия транзистора. С условием всех переменных которые могут повлиять на чистоту эксперимента и максимально приближенными показателями в мануалах. 0 Каждый ваш минус для моего сообщения, помогает делать мир лучше! Ссылка на комментарий Поделиться на другие сайты Поделиться
Vovk Z Опубликовано 25 декабря, 2017 Поделиться Опубликовано 25 декабря, 2017 (изменено) - так в мануалах же (нормальных) и приведены схемы измерения этих характеристик. Собираете такую схему, с учетов всех! нюансов, и - вперед. Придется, конечно, много изучить дополнительных книжек и литературы, попрактиковаться "на кошках", сделать подходящие измерерительные устройства (что-то самому изготовить, что-то - купить). И окажется, что, возможно, проще, покупать радиокомпоненты у нормальных поставщиков, напрямую, а не непонятно где (а потом делать входной контроль каждой фигни). Изменено 25 декабря, 2017 пользователем Vovk Z 0 Ссылка на комментарий Поделиться на другие сайты Поделиться
20% скидка на весь каталог электронных компонентов в ТМ Электроникс!Акция "Лето ближе - цены ниже", успей сделать выгодные покупки!Плюс весь апрель действует скидка 10% по промокоду APREL24 + 15% кэшбэк и бесплатная доставка!Перейти на страницу акции Реклама: ООО ТМ ЭЛЕКТРОНИКС, ИНН: 7806548420, info@tmelectronics.ru, +7(812)4094849
svav Опубликовано 26 декабря, 2017 Автор Поделиться Опубликовано 26 декабря, 2017 (изменено) @Vovk Z информативности в Вашем ответе ноль. Вопрос заключается в самой методике измерения, а не в очевидных вещах что придется "что-то" собирать или "что-то" покупать. По поводу "нормальных поставщиков", скажу что даже Чип и Доп в нашем городе заказывает мусор из китая. Т.к. не однократно на тыкался на драйверы ключей с большим временем отклика. На которых маркировка была сделана краской в место лазера. @Vovk Z извиняюсь конечно, но нравоучения что и как лучше, меня не интересуют. Не всегда есть ситуации когда можно просто пойти в магазин и купить какую-то деталь. Изменено 26 декабря, 2017 пользователем svav 0 Каждый ваш минус для моего сообщения, помогает делать мир лучше! Ссылка на комментарий Поделиться на другие сайты Поделиться
Выбираем схему BMS для корректной работы литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов Обязательным условием долгой и стабильной работы Li-FePO4-аккумуляторов, в том числе и производства EVE Energy, является применение специализированных BMS-микросхем. Литий-железофосфатные АКБ отличаются такими характеристиками, как высокая многократность циклов заряда-разряда, безопасность, возможность быстрой зарядки, устойчивость к буферному режиму работы и приемлемая стоимость. Но для этих АКБ, также как и для других, очень важен контроль процесса заряда и разряда, а специализированных микросхем для этого вида аккумуляторов не так много. Инженеры КОМПЭЛ подготовили список имеющихся микросхем и возможных решений от разных производителей. Подробнее>> Реклама: АО КОМПЭЛ, ИНН: 7713005406, ОГРН: 1027700032161
Gennady_B Опубликовано 26 декабря, 2017 Поделиться Опубликовано 26 декабря, 2017 (изменено) @svav , а @Vovk Z всё-таки прав насчет методик измерений приведённых в datasheet, именно из них и берутся параметры MOSFET`ов. Что касается мест приобретения Чип и Дип не самый дурной магазин (кроме цен разумеется), но сам покупаю обычно в Терре, частично в Компэле ну и в Digi-Key, там уж не обманут. В Китае покупаю только их оригинальные комплектующие, пока всё ОК. Изменено 26 декабря, 2017 пользователем Gennady_B 0 Ссылка на комментарий Поделиться на другие сайты Поделиться
svav Опубликовано 26 декабря, 2017 Автор Поделиться Опубликовано 26 декабря, 2017 @Gennady_B про методику я имел в виду расчет времени открытия транзистора со всеми параметрами тока и напряжения как в даташите, но как вычесть время срабатывания драйвера, ток нарастания и прочее. Те параметры что мне не известны! Замерять сам драйвер ключа (если собирать стенд). Просто подключить драйвер на холостом ходу? Показатели будут далеки. В голову приходить повесить некую нагрузку из резистора и емкости на драйвер. Но на сколько корректный замер получится тоже не известно. Делается все это с целью экономии, ибо заказать пару транзисторов которые дороже на 200р. это не особо проблемно. А если транзисторов 200 штук? И это только транзисторов. Мне не сложно потратить неделю-другую и докопаться до истины, с получением доп выгоды. 0 Каждый ваш минус для моего сообщения, помогает делать мир лучше! Ссылка на комментарий Поделиться на другие сайты Поделиться
zato4nik Опубликовано 26 декабря, 2017 Поделиться Опубликовано 26 декабря, 2017 Лучше неделю-другую потратить на изучение симулятора LTspise (sw cad) чем палить транзисторы , но если очень хочется - собираете даташитную схему , берете многоканальный осцилл с полосой больше 100МГц и смотрите время нарастания/спада и задержку относительно выхода драйвера , потом вычитаете задержки фронтов щупов и осцилла , где то так. Нагрузка конденсатор вместо затвора очень приблизительная , не учитывает влияние емкости сток-затвор и подходит лишь для проверки нагрузочной способности драйвера. 0 Ссылка на комментарий Поделиться на другие сайты Поделиться
svav Опубликовано 26 декабря, 2017 Автор Поделиться Опубликовано 26 декабря, 2017 @zato4nik симулятор это всего-лишь теоретические цифры, а мне нужны практические. Того элемента что у меня на руках! Осциллограф есть, и оборудование все возможное. А вот как делать замеры не известно. Если смотреть время нарастания/спада и задержку относительно выхода драйвера, я получу скомканные данные из времени задержки самого драйвера и времени срабатывании транзистора. 0 Каждый ваш минус для моего сообщения, помогает делать мир лучше! Ссылка на комментарий Поделиться на другие сайты Поделиться
zato4nik Опубликовано 26 декабря, 2017 Поделиться Опубликовано 26 декабря, 2017 В д\ш в правом столбике таблицы указаны условия измерения. 0 Ссылка на комментарий Поделиться на другие сайты Поделиться
svav Опубликовано 26 декабря, 2017 Автор Поделиться Опубликовано 26 декабря, 2017 @zato4nik я не про условия что указаны в даташите, а те что у меня в реале. Как мне из моих показателей вычислить что есть задержка на драйвере и что есть задержка на транзисторе? 0 Каждый ваш минус для моего сообщения, помогает делать мир лучше! Ссылка на комментарий Поделиться на другие сайты Поделиться
zato4nik Опубликовано 26 декабря, 2017 Поделиться Опубликовано 26 декабря, 2017 Вам лень открыть любой ДШ и посмотреть схему испытаний ? Если в реале такое собрать не сможете (или ваша схема отличается то не сможете и сравнить скоростные параметры с даташитными. Паразитную индуктивность схемы придется измерить и учитывать при вычислении. 1 Ссылка на комментарий Поделиться на другие сайты Поделиться
svav Опубликовано 27 декабря, 2017 Автор Поделиться Опубликовано 27 декабря, 2017 @zato4nik туговато доходит блин... Окай открыли мы даташит и что? 10 вольт на гейте. И это все параметры? Судя по всему Вы смутно понимаете суть вопроса. 0 Каждый ваш минус для моего сообщения, помогает делать мир лучше! Ссылка на комментарий Поделиться на другие сайты Поделиться
zato4nik Опубликовано 27 декабря, 2017 Поделиться Опубликовано 27 декабря, 2017 К примеру параметры из ДШ на IRF540Z , сопоставьте с графиками из предыдущего поста , что неясно спрашивайте. 0 Ссылка на комментарий Поделиться на другие сайты Поделиться
svav Опубликовано 27 декабря, 2017 Автор Поделиться Опубликовано 27 декабря, 2017 @zato4nikЕсли подать 10 вольт на "затвор" чуда не произойдет. Какой ток? Скорость нарастания? φ? 0 Каждый ваш минус для моего сообщения, помогает делать мир лучше! Ссылка на комментарий Поделиться на другие сайты Поделиться
zato4nik Опубликовано 27 декабря, 2017 Поделиться Опубликовано 27 декабря, 2017 Подаете не просто 10В на затвор , на картинке все подписано - 10В длительностью меньше или равной 1мкс , с заполнением 0,1% , с током на какой способен ваш драйвер , желательно не меньше 10/12= 0,84А . При этом на стоке должно быть 50В , токоограничительный резистор 50/22=2,72Ом . Берете запоминающий осциллограф , подаете на затвор импульс , смотрите напряжение на затворе и на стоке . временной диапазон от 1В на затворе до 45В на стоке - Td(on), следующий промежуток времени 45В до 5В на стоке это время нарастания Tr , ну и так далее для 540Z полевика. Для других ключей напряжение и ток стока будут отличатся. А что вы подразумевали под фи? 0 Ссылка на комментарий Поделиться на другие сайты Поделиться
svav Опубликовано 27 декабря, 2017 Автор Поделиться Опубликовано 27 декабря, 2017 Ну допустим. А что касаемо скорости нарастания тока на затворе? 0 Каждый ваш минус для моего сообщения, помогает делать мир лучше! Ссылка на комментарий Поделиться на другие сайты Поделиться
zato4nik Опубликовано 27 декабря, 2017 Поделиться Опубликовано 27 декабря, 2017 Затвор управляется напряжением. 0 Ссылка на комментарий Поделиться на другие сайты Поделиться
Gennady_B Опубликовано 27 декабря, 2017 Поделиться Опубликовано 27 декабря, 2017 (изменено) @zato4nik Ток необходимый для управления (зарядом/разрядом) затвором MOSFET`а в динамическом режиме численно равен (в системе СИ) полному заряду переключения транзистора помноженному на частоту переключения . Напряжением затвор управляется, разумеется, но лишь в активном режиме при малых скоростях dV/dt на стоке и малых скоростях нарастания (спада) тока стока. И да, тогда можно сказать что "затвор управляется напряжением". Иначе не было бы необходимости в многоамперных драйверах MOSFET и IGBT. Изменено 27 декабря, 2017 пользователем Gennady_B 0 Ссылка на комментарий Поделиться на другие сайты Поделиться
Рекомендуемые сообщения
Присоединяйтесь к обсуждению
Вы можете написать сейчас и зарегистрироваться позже. Если у вас есть аккаунт, авторизуйтесь, чтобы опубликовать от имени своего аккаунта.
Примечание: Ваш пост будет проверен модератором, прежде чем станет видимым.