Перейти к содержанию

Samsung Galaxy 2 10.1


Рекомендуемые сообщения

Привет!

Не подскажете в какую сторону копать?

Планшет Samsung galaxy 2 10.1.

Проблема: ребут при загрузке системы, перепрошивал, прошивка осталась прежняя.

В общем EMMC память сгорела.

Ну решил прогреть феном.

В итоге аппарат вообще не запускается.

У меня вопрос: может ли планшет запуститься без памяти?

Хотя бы чтобы подсветка горела.

Память не дорогая - 8$, но ее еще ждать месяц, и вдруг ее заменой ничего не решится?

Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

Реклама: ООО ТД Промэлектроника, ИНН: 6659197470, Тел: 8 (800) 1000-321

20% скидка на весь каталог электронных компонентов в ТМ Электроникс!

Акция "Лето ближе - цены ниже", успей сделать выгодные покупки!

Плюс весь апрель действует скидка 10% по промокоду APREL24 + 15% кэшбэк и бесплатная доставка!

Перейти на страницу акции

Реклама: ООО ТМ ЭЛЕКТРОНИКС, ИНН: 7806548420, info@tmelectronics.ru, +7(812)4094849

Да нет, сбить ничего не мог, так как грел не больше 380 градусов, припой не расплавился.

Меня интересует вопрос: Падает ли телефон признаки жизни без чипа памяти EMMC.

Есть ли мне смысл ее покупать?

Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

Особенности хранения литиевых аккумуляторов и батареек

Потеря емкости аккумулятора напрямую зависит от условий хранения и эксплуатации. При неправильном хранении даже самый лучший литиевый источник тока с превосходными характеристиками может не оправдать ожиданий. Технология, основанная на рекомендациях таких известных производителей литиевых источников тока, как компании FANSO и EVE Energy, поможет организовать правильный процесс хранения батареек и аккумуляторов. Подробнее>>

Реклама: АО КОМПЭЛ, ИНН: 7713005406, ОГРН: 1027700032161

В термопрофиль, большинства элементов указана температура 260-280гр.С на 2-3с, для оплавления припоя. Если у тебя при 380гр.С не плывут на припое элементы, значит они предварительно приклеены, чаще всего эта процедура применяется при двухстороннем монтаже. А вот завышенная температура нагрева легко может повредить полупроводниковые элементы :diablo:, а поскольку ремонтировать всё-же необходимо: используют инфракрасный нижний подогрев всей платы до температуры 160-200гр.С (тут могут меня поправить ), а сверху платы феном локально нагревают нужное место температурой 280гр.С и пинцетом снимают/устанавливают деталь. Да, указанные температуры опытным путём выбираются и зависят от многих факторов, поэтому стоит рассматривать как ориентир.

PS. 

15 часов назад, FussionBart сказал:

Есть ли мне смысл ее покупать?

Нет. Поскольку нарушена технология монтажа, нет гарантии, что другие элементы не накрылись. 

Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

Секреты депассивации литиевых батареек FANSO EVE Energy

Самыми лучшими параметрами по энергоемкости, сроку хранения, температурному диапазону и номинальному напряжению обладают батарейки литий-тионилхлоридной электрохимической системы. Но при длительном хранении происходит процесс пассивации. Разберем в чем плюсы и минусы, как можно ее избежать или уменьшить последствия и как проводить депассивацию батареек на примере продукции и рекомендаций компании FANSO EVE Energy. Подробнее>>

Реклама: АО КОМПЭЛ, ИНН: 7713005406, ОГРН: 1027700032161

Память там сразу прошита китайской прошивкой.

Я предварительно нагревал плату до 200 градусов. (Феном)

Ничего не слетело.

Не разу не работал с BGA вот ,собственно, хочу попробовать.

Грел плату до 3-х сот градусов, после локально грел память, она сидит мертво, компаунд по бокам я убрал, очень боюсь вырвать пятаки.

Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

Снять с компаунда не проблема, нагреть феном до тех пор пока не выдавит шарики припоя и покачивая (не поднимая), проворотом снять микруху. Если нет уверенности, лучше потренироваться на трупах.

Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

Присоединяйтесь к обсуждению

Вы можете написать сейчас и зарегистрироваться позже. Если у вас есть аккаунт, авторизуйтесь, чтобы опубликовать от имени своего аккаунта.
Примечание: Ваш пост будет проверен модератором, прежде чем станет видимым.

Гость
Unfortunately, your content contains terms that we do not allow. Please edit your content to remove the highlighted words below.
Ответить в этой теме...

×   Вставлено с форматированием.   Восстановить форматирование

  Разрешено использовать не более 75 эмодзи.

×   Ваша ссылка была автоматически встроена.   Отображать как обычную ссылку

×   Ваш предыдущий контент был восстановлен.   Очистить редактор

×   Вы не можете вставлять изображения напрямую. Загружайте или вставляйте изображения по ссылке.

Загрузка...
  • Последние посетители   0 пользователей онлайн

    • Ни одного зарегистрированного пользователя не просматривает данную страницу
  • Сообщения

    • @DownHouse , насчёт номинала затворного резистора вам уже сказали. Он образует RC-цепочку с ёмкостью затвора транзистора. На высоких частотах ШИМ работать не будет. Кроме того, у транзисторных оптопар есть такой параметр: Как видите, ток коллектора может быть даже меньше входного тока в светодиод. Быстро управлять затвором мощного полевика, у которого ёмкость под 10 нФ, таким маленьким током не получится. Так что и тут ограничение на частоту ШИМ. По закону Ома он считается. Какой ток коллектора сможет выдать транзистор оптопары, такое напряжение на R2 и получится. Естественно с "упором" в напряжение питания. Выше него не прыгнешь. Транзистор оптопары войдёт в насыщение, выходной ток оптопары станет меньше максимального, который может выдать её транзистор, ток будет ограничен значением сопротивления R2. Например, при коэффициенте передачи тока оптопары, равным единице, при напряжении питания 5 В, при токе в светодиод оптопары 10 мА и при сопротивлении резистора R2 500 Ом, напряжение на нём будет 10 мА * 0,5 кОм = 5 В. Но если оптрон посредственный, с коэффициентом передачи тока 0,5, то при тех же условиях, выходной ток коллектора транзистора оптрона будет не больше 5 мА, и напряжение выше 2,5 В на R2 не поднимется. Если пороговое напряжение открывания полевого транзистора выше, то он не откроется. Чтобы схема работала при установке любого экземпляра оптопары, без отбора, схема проектируется исходя из наихудших значений параметров. В вашем случае минимально-допустимое сопротивление R2 будет 1 кОм (10 мА/2 * 1 кОм = 5 В).  
    • Алексей, ну ты-то уже опытный в аудиотехнике волк и понимаешь, что все эти буквенные обозначения на латинице у производящих е-cap-ы контор по факту означают разные потребительские характеристики. А товарищ @Алексей Акулиничев в этом ещё новичок; натрёт в залобье мозолей, с опытом тоже начнёт разбираться в "who из где". 
    • Смотря для чего оптимальный. Если вы КПД блока под 99% вытягиваете, то нужен очень маленький. Но при этом будет сильное недоиспользование габаритной мощности "железа" сердечника. Если задача по-максимуму использовать возможности сердечника - то ограничивается только максимальной температурой сердечника, точкой Кюри...
    • Примерно так. НО! Если у этих динамиков НЧ реально от 40Гц, то кубики пенопласта будут тереться друг об друга , создавая заметные на слух "артефакты", поэтому надо бы запастись тонким поролоном, или плотной тканью прокладывая его/её между ними, или обворачивая их. ЗЫ. Чем дешевле динамик и чем проще кажется реализация на нём более-менее ровно играющей акустической системы,тем  больше возни с ним. Это уже не раз доказанный практикой факт.
    • Вот спасибо. Это прям для меня.  Я не про этот резистор. Про этот резистор я понял. Я не понимаю нужен ли резистор перед 4 выводом оптопары. Да я пока думаю нужен ли он будет (в смысле ШИМ). Точности большой по температуре не нужно будет. R1 будет от 150 - 200 Ом, а вот R2 не очень понимаю как считать (как я понимаю этот резистор будет затвор транзистора на землю сажать пока оптопара закрыта,  5-10 кОм думаю) Вот так сделал.
    • Тогда и ШИМ можно ещё медленнее сделать. Все что вам осталось - рассчитать параметры работы оптопары (R1, R2). 
×
×
  • Создать...