Перейти к содержанию

Диффузионная ёмкость


Рекомендуемые сообщения

В режиме насыщения градиент неосновных носителей в базе больше а значит больше диффузионный ток а значит диффузионная ёмкость максимальна в насыщении, верно ли?

Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

Реклама: ООО ТД Промэлектроника, ИНН: 6659197470, Тел: 8 (800) 1000-321

20% скидка на весь каталог электронных компонентов в ТМ Электроникс!

Акция "Лето ближе - цены ниже", успей сделать выгодные покупки!

Плюс весь апрель действует скидка 10% по промокоду APREL24 + 15% кэшбэк и бесплатная доставка!

Перейти на страницу акции

Реклама: ООО ТМ ЭЛЕКТРОНИКС, ИНН: 7806548420, info@tmelectronics.ru, +7(812)4094849

Hongfa для различных применений в Компэл. Большой выбор в наличии!

Компания HONGFA - это не только крупнейший в мире производитель электромеханических реле, но также производитель конденсаторов, вакуумных прерывателей, трансформаторов и низковольтного коммутационного оборудования. На складе КОМПЭЛ регулярно поддерживаются около 100 самых популярных позиций электромеханических реле. Реле Hongfa могут заместить многие изделия производства недоступных брендов. Подробнее>>

Реклама: АО КОМПЭЛ, ИНН: 7713005406, ОГРН: 1027700032161

5 часов назад, NikT сказал:

, верно ли?

Нет. Базовый ток в режиме  насыщения  может быть очень маленьким, если в цепи коллектора сопротивление очень большое.

Изменено пользователем Том
Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

Секреты депассивации литиевых батареек FANSO EVE Energy

Самыми лучшими параметрами по энергоемкости, сроку хранения, температурному диапазону и номинальному напряжению обладают батарейки литий-тионилхлоридной электрохимической системы. Но при длительном хранении происходит процесс пассивации. Разберем в чем плюсы и минусы, как можно ее избежать или уменьшить последствия и как проводить депассивацию батареек на примере продукции и рекомендаций компании FANSO EVE Energy. Подробнее>>

Реклама: АО КОМПЭЛ, ИНН: 7713005406, ОГРН: 1027700032161

Выбираем схему BMS для корректной работы литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

 Обязательным условием долгой и стабильной работы Li-FePO4-аккумуляторов, в том числе и производства EVE Energy, является применение специализированных BMS-микросхем. Литий-железофосфатные АКБ отличаются такими характеристиками, как высокая многократность циклов заряда-разряда, безопасность, возможность быстрой зарядки, устойчивость к буферному режиму работы и приемлемая стоимость. Но для этих АКБ, также как и для других, очень важен контроль процесса заряда и разряда, а специализированных микросхем для этого вида аккумуляторов не так много. Инженеры КОМПЭЛ подготовили список имеющихся микросхем и возможных решений от разных производителей. Подробнее>>

Реклама: АО КОМПЭЛ, ИНН: 7713005406, ОГРН: 1027700032161

41 минуту назад, NikT сказал:

режиме насыщения

переход база - коллектор тоже  слегка приоткрыт, и "излишки " базового тока уходят через него - транзистор не работает как должен. Обычно неосновные носители из эмиттера попадают в базу, и оттуда их затягивает в коллектор полем обратно смещённого  перехода.  А здесь ток идёт за счёт градиента концентрации. Ток тем выше,  чем больше градиент, но это уже всё в режиме насыщения.

Например, вы можете задать базовый ток - один ампер, а потом -  десять, насыщение станет более глубоким, но сути не изменит.

Изменено пользователем Том
Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

43 минуты назад, NikT сказал:

Вроде по базе неосновные носители двигаются в следствии диффузии?

На переходе, засасывается полем неосновной носитель,  в коллектор, это создаёт градиент в базе, и диффузию.

Раньше повышали напряжение питания для схем, специально, обратно смещённый переход "съедал" часть базового слоя - база становилась тонкой. Считалось, что звучание в таком случае лучше.

Изменено пользователем Том
Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

Сейчас что то запутался надо нарисовать...

29 минут назад, Том сказал:

Раньше повышали напряжение питания

А сейчас заводят ПОС на коллекторный резистор?

Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

21 минуту назад, NikT сказал:

сейчас заводят ПОС на коллекторный резистор

Сейчас все новые фишки в технологии изготовления транзистора держатся в строжайшей тайне.

Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

Я правильно понял:

В режиме насыщения неосновные перемещаются в базе с помощью градиента, так?
А в активном режиме их притягивает поле ионов ОПЗ, и градиент не причём, так?

Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

1 час назад, NikT сказал:

В режиме насыщения неосновные перемещаются в базе с помощью градиента, так?

В режиме насыщения база переполнена, так как рекомбинация в базе слабая. И вот, эта громада носителей, переливается через барьер, небольшой такой.  Огромное множество,  с такими скоростями, с такой энергией, что легко его проскакивают.

Летит электрон, предположим, попадает в поле  опз, начинает тормозить, но скорость большая, и он проскакивает. Он основной носитель в коллекторе, и значит ему навстречу из коллектора летит неосновной носитель коллектора - дырка, тоже горячая, они рекомбинируют, предположим, но электронов идёт вал и они побеждают.

Этот вал даёт на коллекторе минус, этот минус через резистор в цепи коллектора отсасывается в шину питания, плюсовую шину. Если резистор большого номинала - количество заряда уходящего в шину питания в единицу времени - маленькое. И тогда даже небольшому базовому току легко держать минус (относительно базы)  на коллекторе.

Изменено пользователем Том
Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

17 минут назад, NikT сказал:

Хм. Интересно. Надо подумать

Интересно дальше, если глубже копнуть, там дофига всего, супер завязки, экситоны фононы ... Агата Кристи отдыхает.

Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

2 часа назад, NikT сказал:

Не мне так глубоко не надо.

Надо какую-то книжку почитать, с формулами, а здесь это просто болтовня -  вольный пересказ первоисточников.

Например, я описал пролёт через барьер, а для неосновных носителей барьера не бывает, не может быть, в принципе.  Там где-то 0.3 вольта остаётся при насыщении, от встроенного поля опз, и неосновные носители из базы легко перетекают в коллектор, чуть-чуть это поле им помогает, а в активном режиме - несколько вольт на переходе - мощно засасывает в коллектор. Нестыковка, читать надо, самому разбираться..

Там всё на сродстве к электрону держится, работа выхода, такие дела. Где-то надо раздобыть хорошую книгу, не знаю какую, и разобраться раз и навсегда.

Изменено пользователем Том
Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

Присоединяйтесь к обсуждению

Вы можете написать сейчас и зарегистрироваться позже. Если у вас есть аккаунт, авторизуйтесь, чтобы опубликовать от имени своего аккаунта.
Примечание: Ваш пост будет проверен модератором, прежде чем станет видимым.

Гость
Unfortunately, your content contains terms that we do not allow. Please edit your content to remove the highlighted words below.
Ответить в этой теме...

×   Вставлено с форматированием.   Восстановить форматирование

  Разрешено использовать не более 75 эмодзи.

×   Ваша ссылка была автоматически встроена.   Отображать как обычную ссылку

×   Ваш предыдущий контент был восстановлен.   Очистить редактор

×   Вы не можете вставлять изображения напрямую. Загружайте или вставляйте изображения по ссылке.

Загрузка...
  • Последние посетители   0 пользователей онлайн

    • Ни одного зарегистрированного пользователя не просматривает данную страницу
  • Сообщения

    • Посмотрел схемы. Спасибо очень интересно. Думаю всё-таки один трасформатор поставить и всё, так проще, всё остальное сложнее.
    • У меня друг такие разрабатывает, большую зарплату получает, но там надёжность нужна индустриальная, и токи минимум 20-25 Ампер, в смысле нужно нужно 20 максимум, а он 25-28 закладывает, схема соответственно много лишних защит имеет, и по деталям дорогушая и сложнючая. Я бы на Вашем месте купил или мой блок или сварочный аппарат за 3 тыщщи ( только обязательно Двухтакт), и добавил бы туда регулировки Напряжения под 60 Вольт и тока. А верхний предел 115-58 сделал бы с помощью Стабилизатора с регулировкой уровня защиты по току и ЛАТРа, схемы этих стабилизаторов В/вольтных можно поискать у ламповиков (Анодные) например, до 10 Ампер можно что то из них придумать. Так Вы дешевле и проще решите проблему.
    • Есть вот такая схема Э3, хочу критику и уточнить. На примере A1 - сетевой фильтр, покупное изделие(специально изменил УГО): 1)Нужно ли отображать входную цепь(левая часть блока) если кабель влитой в корпус? Или это вообще не отрисовывать, а просто линию подходящую к блоку? 2)Как изобразить разъем(розетку) у блока, правильно ли на схеме(X1 с обозначением соединения или X2 без)? Или нужно на Э3 отображать полностью разъем(L N PE)? Тогда как быть с HDMI? Для покупных изделий нужно отрисовывать все его контакты на разъеме или можно как на схеме? 3)Подписывать разъемы у покупного изделия(X1, X2)? 4)Нужна ли Э4 для такой схемы? Или эта по сути и есть Э4? Просто не совсем понимаю чем должны отличаться схемы Э3 от Э4 для покупных изделий?
    • Ну, так и оконтурьте их прямоугольниками.
    • @Dr. West по коду hw-586 нахожу похожие платки по 150 руб. Это тоже самое?
    • Я тоже в этом не уверен, т.к. везде искал УГО стабилитрона и резистора, и везде они показаны как и в принципиальной. Но мой преподаватель сказал, что должно быть в виде прямоугольника, а спорить с преподавателями быссмысленно
    • А Вы уверены, что есть ГОСТ, по которому перечисленные элементы отображаются в виде прямоугольника? Вот навскидку, на скриншотах немного видно, ничего такого нет: https://ingeniumfiles.ru/index/ugo_124_bazovye_ehlementy_ehs/0-38
×
×
  • Создать...