Как Собрать Ключ

[Амант]

Уважаемые форумчане, подскажите по какой мне схеме собрать выходной ключ ( а, б, в ) и прошу чуть -чуть объяснения,нагрузка активная.

[Реклама]

Реклама: ООО ТД Промэлектроника, ИНН: 6659197470, Тел: 8 (800) 1000-321

[payral]

а) и в) предпочтительнее, поскольку требуют меньшего уровня на базах для полного открытия до насыщения (можно от логики), но они ивертируют входной. (ключи и делают по таким схемам).

б)- это повторитель, посему, для полного его открывания на базу надо подать уровень на 0,5-1 вольт выше, чем питающее, а это ни есть хорошо....

P.S. Еще лучше сделать на полевых ключевых транзисторах соответствующей структуры. Их, при "правильном" управлении, при таких токах, можно ставить без теплоотводов, поскольку сопр. в открытом состояии может быть единицы миллиома (т.е. лучше, чем реле с железками), а в закрытом десятки мегаом.....

Биполяры полюбому на теплоотводы.....

Изменено 17 апреля, 2010 пользователем payral

[Реклама]

20% скидка на весь каталог электронных компонентов в ТМ Электроникс!

Акция "Лето ближе - цены ниже", успей сделать выгодные покупки!

Плюс весь апрель действует скидка 10% по промокоду APREL24 + 15% кэшбэк и бесплатная доставка!

Перейти на страницу акции

Реклама: ООО ТМ ЭЛЕКТРОНИКС, ИНН: 7806548420, info@tmelectronics.ru, +7(812)4094849

[Амант]

Круто, вы объяснили, может теперь и запомню, Вам спасибо!

[Реклама]

Выбираем схему BMS для корректной работы литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

 Обязательным условием долгой и стабильной работы Li-FePO4-аккумуляторов, в том числе и производства EVE Energy, является применение специализированных BMS-микросхем. Литий-железофосфатные АКБ отличаются такими характеристиками, как высокая многократность циклов заряда-разряда, безопасность, возможность быстрой зарядки, устойчивость к буферному режиму работы и приемлемая стоимость. Но для этих АКБ, также как и для других, очень важен контроль процесса заряда и разряда, а специализированных микросхем для этого вида аккумуляторов не так много. Инженеры КОМПЭЛ подготовили список имеющихся микросхем и возможных решений от разных производителей. Подробнее>>

Реклама: АО КОМПЭЛ, ИНН: 7713005406, ОГРН: 1027700032161

[my504]

Биполяры полюбому на теплоотводы.....

Это с какого перепуга?

Зависит от корпуса примененного транзистора. Придостаточном насыщении падение на биполярном транзисторе порядка 0,2...0,4 вольт. При токе в 3 ампера это 0,6...1,2 ватта. Корпус ТО220 спокойно вытянет...

У МОСФЕТов все не так однозначно. Те что имеют сопротивление канала десятки миллиом, к сожалению отличаются значительным зарядом затвора и, как следствие, невменяемой входной емкостью. Это приводит в динамике к значительным потреблениям по затвору и рассеиванию основной части мощности на фронтах переключения.

[payral]

Это с какого перепуга?

Такое ощущение, что у Вас есть полная схема управления ЭТИМИ ключами, ток базы есть, усиление, напр. насыщения..... С какого ПЕРЕПУГА емкость у мосфетов, если, к примеру он лампочку собирается раз в 2 дня включать.

Че за привычка кидаться то враз!!! Возьми к БП какой то КТ819 приваяй, 3 ампера задай при управлении, к примеру с логики, а потом результат на стол по температуре. Теория эт дело хорошее, но не всегда она

работает.... А через несколько полевиков я стартером движок кручу....

Изменено 18 апреля, 2010 пользователем payral

[mao-sin]

Так топикстартер подробностей не озвучил, а в пределах указанного - Марк про биполяры абсолютно прав...

[Геннадий]

а) и в) предпочтительнее, поскольку требуют меньшего уровня на базах для полного открытия до насыщения (можно от логики), но они ивертируют входной. (ключи и делают по таким схемам)...

Скажем так, вариант с p-n-p не такой уж и удачный, т.к. требует +12В с выхода предыдущего каскада для выключения транзистора. Больше всего подходит n-p-n вариант. 

Насчет инвертирования, для нагрузки никакого инвертирования нет. Есть сигнал управления - есть ток в нагрузке.

Что касается рассеиваемой мощности на ключе. Для TO220 без теплоотвода 1,2Вт мощность не страшная, держать он будет, но нагрев (который все же будет) может плохо сказаться на монтаже (со временем).

Емкость затвора MOSFETов - не такая уж страшная (для IRFZ44 = 1400пФ), как ее "малюют". У меня с ней вполне справлялась 561ЛЕ5 без запараллеливания (как раз в "динамике").

Могу посоветовать для ключа HEXFETы. Например IRF7331 (Id=7A при Vgs=4,5В). Два ключа в одном корпусе - при желании можно запараллелить. 

Изменено 17 апреля, 2010 пользователем Геннадий

[payral]

Да, насчет инвертирования на нагрузке я действитеьно "погорячился" Спасибо, что поправил. Если, конечно, она ни какая то промежуточная, и после нее еще куча всего понапехано...

Изменено 18 апреля, 2010 пользователем payral

[my504]

Емкость затвора MOSFETов - не такая уж страшная (для IRFZ44 = 1400пФ), как ее "малюют". У меня с ней вполне справлялась 561ЛЕ5 без запараллеливания (как раз в "динамике").

Слегка поправлю.

Собственная емкость затвора упомянутого транзистора 1900 пФ.

Но это фигня.

Полный заряд затвора 67 нК.

А вот это совсем не фигня.

I=dQ/dt

Например переключаемся меандром 100 кГц.

Возьмем фронты (2шт.) 10% от периода (это плохо, но пусть).

Итого, нужно переключиться за 0,5 мкс.

Ток затвора в момент переключения=67нК/0,5 мкс=134 мА

Вы говорите ЛЕ5? Хм....

[payral]

Мы тут копя ломаем о 100 килогерц... А че "заказчик" то молчит??? Сказал бы: " Ребят не парьтесь, они у меня "поворотники" включают.... (0,5 -1 герц) и работают 15 секунд". И все вопросы о емкостях, зарядах, теплоотводах враз неактуальны!!!!

Изменено 18 апреля, 2010 пользователем payral

[my504]

Возьмите за труд, ув. payral, удалять из цитаты все, что не относится к ответу. А в случае ответа вслед за оппонентом/собеседником вообще не цитировать. Читать ответ в том виде, в каком он Вами представлен, несколько затруднительно...

По существу.

Здесь никто не ломает копья. Даже и спора ни с кем нет.

Я просто напомнил несколько очевидных вещей.

Нет совершенных решений для любого случая жизни. И биполярные и полевые ключи имеют свои ниши применения.

Нужно только не забывать в затвор мощных полевых транзисторов вставлять токоограничительный резистор. Иначе скоростной источник сигнала может выйти из строя даже при редких переключениях. Это я полмикросекунды привел для примера. Реальный фронт сигнала с контроллера составляет 10...20 наносекунд и бросок тока в затворе полевого транзистора может составить ампер и более... Этого хватит, чтобы спалить источник сигнала.

[payral]

Спасибо за замечание, уже почистил...

Не судите громко. Напьюсь - исправлюсь ....

Изменено 18 апреля, 2010 пользователем payral

[Амант]

премного благодарен,вам ребята в сущности все понятно. Нагрузка светодиодные щиты до 3-х ампер, примерно 600-1000 штук наверно не считал и несколько каналов. не стал делать усилитель для выходов ттл-микросхем,просто по вашим советам сделал на р-н-р транзисторах т.е. на соствных. Спасибо!