Перейти к содержанию

Вопросы по радиотехническим книгам


Рекомендуемые сообщения

Реклама: ООО ТД Промэлектроника, ИНН: 6659197470, Тел: 8 (800) 1000-321

20% скидка на весь каталог электронных компонентов в ТМ Электроникс!

Акция "Лето ближе - цены ниже", успей сделать выгодные покупки!

Плюс весь апрель действует скидка 10% по промокоду APREL24 + 15% кэшбэк и бесплатная доставка!

Перейти на страницу акции

Реклама: ООО ТМ ЭЛЕКТРОНИКС, ИНН: 7806548420, info@tmelectronics.ru, +7(812)4094849

Ну это ясно, что это ток базы, но откуда я возьму его значение? Я же не могу его замерить, т.к. я только рассчитываю каскад. :blink:

Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

Выбираем схему BMS для корректной работы литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

 Обязательным условием долгой и стабильной работы Li-FePO4-аккумуляторов, в том числе и производства EVE Energy, является применение специализированных BMS-микросхем. Литий-железофосфатные АКБ отличаются такими характеристиками, как высокая многократность циклов заряда-разряда, безопасность, возможность быстрой зарядки, устойчивость к буферному режиму работы и приемлемая стоимость. Но для этих АКБ, также как и для других, очень важен контроль процесса заряда и разряда, а специализированных микросхем для этого вида аккумуляторов не так много. Инженеры КОМПЭЛ подготовили список имеющихся микросхем и возможных решений от разных производителей. Подробнее>>

Реклама: АО КОМПЭЛ, ИНН: 7713005406, ОГРН: 1027700032161

Задаются током коллектора, исходя из обеспечения требуемого тока в нагрузке, а ток базы Ib=Ik/h21. А отсюда уже по закону Ома считаем Rб.

Отыщи всему начало, и ты многое поймешь!

Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

Тогда получается что надо задаваться и определенным напряжением покоя на коллекторе:

Заданные значения: Iк=4мА; h21э=35; Uк покоя=2В,Е пит=5В

1) I б=0,004А/35=0,1мА.

2)Напряжение на коллекторе =IбRб (подставляем значение Rб) =0,0001А*20 000 Ом=2В.

3)Е пит – Uк =5В – 2В=3В

4)Т.к. Епит=5В а Uк покоя=2В, то Rк=3В/0,004А=750 Ом.

Я правильно мыслю?

post-132371-0-18083500-1295591361_thumb.jpg

Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

Непонятно, откуда взялось Rб=20к. Надо так:

1. Iб=4/35=0,114 мА

1. Rк=(5-2)/(0,004+0,000114)=729 Ом, округляем до стандартного 750.

3. Rб=(Uк-Uб)/Iб=(2-0,6)/0,114=12,3 кОм, округляем до 12 кОм.

Не учел падение напряжения на переходе б-э, примерно 0,6 вольта для кремниевых транзисторов.

Отыщи всему начало, и ты многое поймешь!

Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

Картинки записывай в формате JPG, тогда напрямую в сообщение вставляются. Это схемы высокостабильного смещения. +Еб правильно, это, скажем, +1,5 вольт при Ек=12 вольт, на базу ж надо + относительно эмиттера подавать, а транзистор Т1 компенсирует тепловые уходы Т2. Схема для пояснения принципа работы смещения, поэтому не полная, нагрузка по классике, в коллекторе Т2.

Отыщи всему начало, и ты многое поймешь!

Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

И вот мне еще непонятно "трансформированное сопротивление". Там (на рис 1.9 б)что, транзистор заменен на h21эRэ ?

Да и вобще принцип непонятен.((((((

post-132371-0-75358700-1295694960_thumb.jpg

Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

Все так и есть. Этот расчет делается для правильного выбора сопротивлений делителя R1R2. Если не учитывать это трансформированное сопротивление, то в реале напряжение на базе окажется меньше. Можно брать нижний предел h21э из справочника, а лучше замерить его у конкретного транзистора при токе эмитера равном или чуть меньшем того, что будет в схеме. Тогда R2 можно взять чуть меньше Rэ*h21э/10. Ошибка установки рабочей точки при таком соотношении будет небольшая и делитель не сильно будет шунтировать входной сигнал, поскольку h21э у современных транзисторов достаточно велик. Разумеется если у Вас и Rэ выбран достаточно большим. Интересно, что скажут о моих рассуждениях любители экстремальной схемотехники? Я таковыми считаю строителей аппаратуры с питанием от 1элемента (1,5в), аккумулятора(1,2в), всяких картофельно-лимонных источников(0,8-0,5в)?

С уважением Виктор

Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

Гаврилов очень упрощает расчет каскадов, пренебрегает многими "малыми" величинами, пользуясь тем, что большинство схем нормально работают при отклонениях токов, напряжений и сопротивлений на +/- 20%, а то и больше. Но не всегда это так. Даже не "экстремальные" схемы иногда могут не заработать при таких упрощениях, ты сам видел, что при питающем 5 вольт из-за неучёта напряжения база-эмиттер резистор вместо 12 кОм получился 20. Так же и здесь. На самом деле эквивалентное сопротивление вместо транзистора будет Rэ*h21+Uбэ/Iб. h21 может меняться в очень широких пределах, например для КТ315 от 20 до 350. Поэтому если схема считается так, чтобы потом не настраивать, "взула и забула"-(укр.), надо сопротивление R2 выбирать раз в 5-10 меньше, чем Rэкв, или ток делителя в 5-10 раз больше, чем ток базы.

Отыщи всему начало, и ты многое поймешь!

Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

надо сопротивление R2 выбирать раз в 5-10 меньше, чем Rэкв, или ток делителя в 5-10 раз больше, чем ток базы.

А я что не то же написал?

С уважением Виктор

Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

Хотел прикинуть Rэ для расчета R1R2, как тут же столкнулся с проблемой. В книге формула Iк=(Еб-0,7В)/Rэ. Так Еб не должно быть более 0,7В! Тогда выходит (0,7-0,7)/Rэ=0/Rэ!

post-132371-0-18956700-1295778255_thumb.jpg

Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

Простите, не совсем понял. <= это значит "меньше или равно"?

UБ- это Вы имеете ввиду потенциал базы?

Запутался я совсем...

post-132371-0-67176900-1295841924_thumb.jpg

Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

Ничего не запутались. Вы на картинке все верно нарисовали. Потенциал базы, напряжение на базе, смещение на базе - это одно и тоже. И оно больше напряжения на эмитерном резисторе на 0,7 вольта.

С уважением Виктор

Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

Еб разное в разных схемах. Обычно задаются не им, а URэ, падением напряжения на эмиттерном резисторе. Если это мощный выходной каскад, желательно иметь малые потери мощности на Rэ, принимают URэ=0,2-0,5 вольт, но при этом стабильность параметров при изменении температуры, смене транзистора низкая. Но лучше, чем ничего. Если это предварительный каскад и главное стабильность, а не кпд, берут URэ=(0,15-0,25)Епит. А вообще искусство схемотехники - это искусство нахождения компромисса между противоположными требованиями.

Да, на всякий случай. Источник базового смещения - это для удобства и простого понимания. На самом деле, как правило, это делитель на двух резисторах от единого источника питания.

Изменено пользователем Alkarn

Отыщи всему начало, и ты многое поймешь!

Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

Постойте, я чтото недопонимаю. Делителем осущиствляют подачу базового смещения, чтобы сигнал не искажался, чтобы транзистор при отриц.полуволне тоже был открыт. При напряжении меньше 0,6-0,7В транзистор закрыт. При напр больше 0,6В он портится. Значит напряжение на базе должно быть 0,6-0,7В. А я читаю что Еб больше 0,7В!!!Как так??? :huh:

Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

Напряжение измеряется между 2 точками. В таких схемах часто второй точкой принимается корпус, общий провод, один из полюсов (в данном случае минусовый) источника питания. Относительно общего провода на базе может быть, скажем, 3 вольта, на эмиттере 2,35 а на переходе б-э 0,65 вольта, самое, что ему надо. Вообще характеристика транзистора от напряжения очень нелинейная, 0,5 вольта он еще закрыт и не усиливает, 0,7 вольта уже сгорает, это напряжение сильно зависит от температуры, поэтому гораздо удобнее транзистором управлять базовым током, он может меняться в больших пределах, его легче рассчитать, стабилизировать.

А напряжение на переходе, если в эмиттере есть резистор, установится само, автоматически.Скажем, транзистор нагрелся, при том же Uбэ ток вырос, увеличилось падение напряжения на Rэ на переходе соответственно уменьшилось и ток остался практически таким, как был. А если бы ты задал от источника напряжение на переходе б-э, то при изменении температуры на +/- 20гр транзистор переходил бы из полностью запертого состояния в полностью отпертое, насыщенное.

Отыщи всему начало, и ты многое поймешь!

Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

Присоединяйтесь к обсуждению

Вы можете написать сейчас и зарегистрироваться позже. Если у вас есть аккаунт, авторизуйтесь, чтобы опубликовать от имени своего аккаунта.
Примечание: Ваш пост будет проверен модератором, прежде чем станет видимым.

Гость
Unfortunately, your content contains terms that we do not allow. Please edit your content to remove the highlighted words below.
Ответить в этой теме...

×   Вставлено с форматированием.   Восстановить форматирование

  Разрешено использовать не более 75 эмодзи.

×   Ваша ссылка была автоматически встроена.   Отображать как обычную ссылку

×   Ваш предыдущий контент был восстановлен.   Очистить редактор

×   Вы не можете вставлять изображения напрямую. Загружайте или вставляйте изображения по ссылке.

Загрузка...
  • Последние посетители   0 пользователей онлайн

    • Ни одного зарегистрированного пользователя не просматривает данную страницу

×
×
  • Создать...