Jump to content

boris_ka

Members
  • Content Count

    548
  • Joined

  • Last visited

  • Days Won

    2

boris_ka last won the day on June 15 2018

boris_ka had the most liked content!

Community Reputation

289 Хороший

1 Follower

About boris_ka

  • Rank
    Завсегдатай

Информация

  • Город
    Sankt-Peterburg

Электроника

  • Стаж в электронике
    Более 20 лет
  • Оборудование
    С1-114, OWON VDS3102, В7-38, Ч3-36, Г3-106.

Recent Profile Visitors

6681 profile views
  1. Ёмкость БК надо измерить, всякие М890 прекрасно подходят для измерения. Если магнитятся, то совсем никуда не годятся. Расчленил несколько 2SC5200, TTC5200 разных китайских поставщиков, предварительно провёл измерение ёмкости переходов база-коллектор. И действительно есть прямая зависимость на качество, а именно на величину кристалла. 1. Совсем плохо 100-400 пф кристалл 2 мм. Даже не стоит о них думать. В совсем жутких подделках, которые магнитятся 100-200пф. 2. 400-600 пф- кристалл 3 мм. уже можно применить в облегчённом режиме. 3. 600-800пф- кристалл 4 мм -нормально. 4. Транзисторы из старой аппаратуры -ёмкость доходит до 1200 пф. И из этого следует, что в магазин нужно идти с магнитом и измерителем ёмкости.
  2. Нашел картинку, как выглядит On/Off в ЛБП v18yR c TL072 без нормального минуса питания. Выброс при вкл. 26V, так что не надо бездумно тыкать в ЛБП всякие МС33078.
  3. Коррекция ОУ - это не сферический конь в вакууме, а фактор снижающий скорость нарастания, увеличивающий задержку реакции ОУ и приводящий к сильному увеличению выброса на выходе ЛБП. Не надо зацикливаться на одном дереве, постарайтесь увидеть весь лес. На картинке выбросы ПиДБП при кондере коррекции 1н, 100пФ и 0пФ. Коррекция радикально ухудшает динамику ЛБП.
  4. Да, в схеме кружочки инверсии были неправильно нарисованы. Мой опыт говорит, что применять MC33078 и аналогичные в схемах, где нет минуса питания ОУ, сильно неправильно. Будут охренительные выбросы при вкл. и выкл. и от ПХ останутся рожки да ножки, и при КЗ возможны проблемы с витальностью. Ослик с памятью это видит. ОУ с однополярным питанием, типа LM358, MC34072, в данной схеме, где есть намеки на минус на шунте, работать будут. А в схемах, где нет и этого намека, для ОУ с однополярным питанием, типа LM358, MC34072, все будет сильно плохо при скачках нагрузки, КЗ и пр. нестационарностях. Исправленная схема -
  5. На самих резисторах, при максимально коротких проводах, что не совсем правильно.
  6. Выходное сопротивление считаю по формуле R=ΔU/ΔI. Цепляю на выход два разных резистора, получаю два напряжения и два тока. Вольтметр - В7-38.
  7. У меня нет полного понимания всей этой электроники, и я не знаю, что такое электричество, все надежды на коллективное творчество. ПиДБП общими усилиями был более менее оптимизирован до стабильной версии 16у2, хоть и с выбросом 1,5V. Если бы у кого-либо было понимание, как сделать идеальный ЛБП, то все давно бы собирали этот абсолютно идеальный ЛБП. Данный вариант схемы по динамике явно лучше предыдущих, но есть над чем помедитировать, и R9 там явно лишний. Выходное сопротивление посмотрел на скорую, получилось - 0,028 Ом, с общим усилением тоже надо поиграться. Сразу идеальной схемы не получить, отладка в реале, а не токмо в симуляторах нужна.
  8. Попробовал выжать по максимуму из V16y2, не тратя время на переборы транзисторов и прочих деталей, этой схеме ничего не поможет. Получилась очень хорошая переходная характеристика. Выброс на выходе всего от 0,2V, на шунте выброс также изменился в лучшую сторону. И это без какой-либо коррекции и ускоряющего конденсатора Су в делителе. Убрать выброс на выходе можно Су в делителе 500-1000 пФ, но и так замечательно. У многих фирменных ЛБП с этим выбросом не лучше. Ни разу не видел такого маленького выброса на выходе и без каких-либо усилий, тем более с медленным ОУ LM358. Вот что местная ООС животворящая делает. Более быстрые ОУ ничего не улучшат, схема засвистит, у нее очень плохо с устойчивостью. Придется все это глушить кондерами, которые не только снизят скорость нарастания до LM358, но и добавят выбросов и длительности переходным процессам, которых у LM358 не было. Пробовал схему с диодами из 17 версии, но ПХ сильно ухудшилась, разбираться не стал. Конденсатор на выходе лучше больше 10,0, это добавит устойчивости. Осциллограммы сняты на одной и той же плате, до и после переделки соответственно. Лайка - это набросок, в реальности не паялась, проверяйте. V18yR.lay6
  9. Я свой 1000 ваттный утюг откалибровал термопарой к тестеру. 160С на утюге получается при питании 85V с ЛАТРа. Желательно контролировать температуру в процессе, хотя бы поначалу. Утюжил на нагретой электроплите для стабильности параметров. Температуру плиты тоже естественно промерял.
  10. Если бумага с глянцем, то на тонере остается слой глянца, который защищает от протравов даже полигоны. Глянец это пористый лавсан, если его пережарить, он разрушается. А если бумага от газеты, то что вы ждали?
  11. Это что же такое получается, MOSFET в таком корпусе ватт 50 рассеет, а Но igbt позволяют переварить существенно большую мощность в том же корпусе? А тепло от этой существенно большую мощность то куда девается? Неужели в чОрную дыру? Или может в параллельное измерение? Сверхпроводящих транзисторов еще не афишировали.
  12. Нет ни у кого в линейном режиме никаких 300 ватт, особенно в ТО-247. Берем IRFP264N в ТО-247АС, сферическая мощность 380 ватт при Т кристалла 25С. Смотрим SOA, 380 ватт получается при 50V 7,6А и длительности одиночного импульса ~7ms и Т=25С. 25С на кристалле не сделать никаким обдувом. Где обещанные пациентам ЕГЭ 300 ватт в линейном режиме?
  13. Тепловое сопротивление кристалл-корпус у ТО-247 позволит при адекватном радиаторе долговременно рассеить 85 ватт, независимо от типа и структуры транзистора. Ну допустим удалось купить настоящий IGBT в ТО-247, снять с него больше 85 ватт в линейном режиме не удастся. А всякие большие цифры типа 300 ватт относятся к ключевому режиму с конкретными микросекундами и температурой кристалла 25С и взгляд не мальчика но мужа совсем не баламутят.
  14. Есть IRLZ44. Сравнивать полевик с биполярным транзистором надо в конкретной схеме. Абстрактно спрашивать, кто кого переборет, слон или кит, это не наш метод. В данной схеме ЛБП, транзистор включен повторителем, потерь будет больше у полевика, но кого это останавливало. В низковольтной, маломощной аппаратуре, типа ЛБП, IGBT MOSFETу не конкурент. Современные низковольтные MOSFETы очень совершенные изделия. А у IGBT частота переключения дай бог 10-20 кГц. IGBT при очень больших мощностях применяют. И аналоговые ЛБП на большую мощность, это разве что в какой-то специфической области применения. Меня совсем не привлекают IGBT в ЛБП, и купить IGBT на али и ибее - очень редкая удача, сплошные подделки.
  15. Совершенно с Вами согласен, но есть ньюансы. Во-первых любознательность, во-вторых меньшее число транзисторов в тракте усиления. Я много возился с ЛБП Шелестова и видел, что схема с полевиком более устойчивая, чем с двумя биполярами. В Чинайце Бип были возбуды, пока не заменил BD139 на КТ611 с меньшей ёмкостью и h21. А Чинаец Фет сразу получился красивый. На картинках ниже разница в переходных характеристиках маленькая. В схемах нет конденсаторов коррекции и ускоряющего конденсатора, (С7, С2), который убирает выброс при восстановлении. На выходе обеих схем стоит 0,1 мкФ + 5 Ом последовательно для повышения ESR. В Бипе выброс при восстановлении 3V, в Фете - 2,4V. ЛБП строю только с коммутаторами вторичек, что снижает потери на регулирующем транзисторе.
×
×
  • Create New...