Jump to content
Sign in to follow this  
marty

Два Умножителя

Recommended Posts

Простой вопрос.

Если после повышающего трансформатора подключить параллельно два умножителя (например УН9-27), что это даст?

Насколько это безопасно для самих умножителей?

(чтобы подключить их последовательно, я так понимаю один из умножителей нужно дорабатывать напильником... точнее сверлом, так как у него нет выхода масштабирования)

Share this post


Link to post
Share on other sites

Есть подозрение,что кроме перегрузки по входу,параллельное соединение умножителей ничего не даст.


Не можешь-научим! Не хочешь-не надо!P.S. А достанешь-заБАНят!

Решительный шаг вперёд-как правило результат хорошего пинка сзади.

Не тратьте силы, возьмите молоток побольше!

Share this post


Link to post
Share on other sites

При параллельном включении оба будут работать независимо друг от друга, на выходе каждого утроенное напряжение. При последовательном по схеме см. ниже опасность пробоя и выхода из строя первых диодов.

post-173347-0-41385800-1413894427.png


Чтобы СЛЫШАТЬ, нужно СЛУШАТЬ!

Share this post


Link to post
Share on other sites

Вебинар «STM32L5. Секреты оценки энергопотребления» (05.11.2020)

Компания КОМПЭЛ приглашает 5 ноября принять участие в вебинаре, посвященном первому семейству МК STM32L5 на ядре Cortex-M33. На вебинаре будет рассказано об ошибках при расчете энергопотребления МК с помощью отладки STM32L562E-DK. Отладки STM32L562E-DK будут разыгрываться среди участников. Информация об условиях участия будет озвучена на вебинаре.

Подробнее

Да ничё не будет,ток увеличится и всё,а выдаст ли его преобразователь ,эт другой вопрос.

Edited by Mahno

Лужу,паяю,телевизоры починяю.

Share this post


Link to post
Share on other sites

Как снизить потери мощности на 30%? Транзисторы SiC MOSFET.

Прогресс в области широкозонных полупроводниковых материалов позволил создать карбид-кремниевые полевые транзисторы (SiC MOSFET) с повышенной рабочей частотой, обеспечивающие меньшие потери на переключение. Усовершенствованные корпуса с малой паразитной индуктивностью, в которых выпускаются такие транзисторы, позволяют разработчикам в полной мере использовать возможности этих компонентов для увеличения КПД силовых преобразователей.

Подробнее

Все зависит от тока разряда на выходе. Величина тока через диодные столбы (КЦ106Г) на входе первого УН будет в 9, (а может и в большее число), раз больше тока разряда. Допустимый ток столбика около 10 мА.

Edited by ТАП

Чтобы СЛЫШАТЬ, нужно СЛУШАТЬ!

Share this post


Link to post
Share on other sites

Нейросети в STM32G4 - пошаговое руководство!

Наличие программного пакета X-CUBE-AI, расширяющего функционал STM32CubeMX, поможет разработчику построить искусственную нейросеть на базе микроконтроллера из линейки STM32G4 производства STMicroelectronics. Статья включает пошаговое описание реализации такой нейросети.

Подробнее

Я не понимаю ваших опасений. Если подключить 2 УН через резистивный делитель, нагрузка на них уменьшится. Так даже лучше. Но сила тока больше будет.

Share this post


Link to post
Share on other sites

Join the conversation

You can post now and register later. If you have an account, sign in now to post with your account.
Note: Your post will require moderator approval before it will be visible.

Guest
Reply to this topic...

×   Pasted as rich text.   Restore formatting

  Only 75 emoji are allowed.

×   Your link has been automatically embedded.   Display as a link instead

×   Your previous content has been restored.   Clear editor

×   You cannot paste images directly. Upload or insert images from URL.

Loading...
Sign in to follow this  

×
×
  • Create New...