Перейти к содержанию

Расчёт резистора для базы транзистора


Рекомендуемые сообщения

Читаю книгу Ревич Ю. В. Занимательная электроника.

И я не понимаю, как он расчитал резистор для базы? Про падение напряжение 0.6 написал, а какая формула для резистора?

1494476446_2021-05-2222-58-31.png.b525b25e9ccbb3c5e2e10bc9f54cfd13.png

1820792344_2021-05-2222-59-08.png.519c14822018a3bd012e0763c0a88f36.png

 

 

Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

Реклама: ООО ТД Промэлектроника, ИНН: 6659197470, Тел: 8 (800) 1000-321

19 минут назад, Схеман сказал:

И я не понимаю, как он расчитал резистор для базы?

По закону Ома. Ток в резистор  Rбэ не учитывал.

Если нужно более точно, то к току в базу надо добавить ток в Rбэ и напряжение Б-Э транзистора надо брать для открытого состояния. Для разных типов транзисторов оно может быть от 0,7-0,9 до 1,2 В.

Изменено пользователем Lexter
Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

20% скидка на весь каталог электронных компонентов в ТМ Электроникс!

Акция "Лето ближе - цены ниже", успей сделать выгодные покупки!

Плюс весь апрель действует скидка 10% по промокоду APREL24 + 15% кэшбэк и бесплатная доставка!

Перейти на страницу акции

Реклама: ООО ТМ ЭЛЕКТРОНИКС, ИНН: 7806548420, info@tmelectronics.ru, +7(812)4094849

Я нагуглил, что это связано с коэффициентом β транзистора. Транзистор я использую bc337, в даташите я эту букву β не нашёл, ткните пожалуйста пальцем. 

Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

Особенности хранения литиевых аккумуляторов и батареек

Потеря емкости аккумулятора напрямую зависит от условий хранения и эксплуатации. При неправильном хранении даже самый лучший литиевый источник тока с превосходными характеристиками может не оправдать ожиданий. Технология, основанная на рекомендациях таких известных производителей литиевых источников тока, как компании FANSO и EVE Energy, поможет организовать правильный процесс хранения батареек и аккумуляторов. Подробнее>>

Реклама: АО КОМПЭЛ, ИНН: 7713005406, ОГРН: 1027700032161

Секреты депассивации литиевых батареек FANSO EVE Energy

Самыми лучшими параметрами по энергоемкости, сроку хранения, температурному диапазону и номинальному напряжению обладают батарейки литий-тионилхлоридной электрохимической системы. Но при длительном хранении происходит процесс пассивации. Разберем в чем плюсы и минусы, как можно ее избежать или уменьшить последствия и как проводить депассивацию батареек на примере продукции и рекомендаций компании FANSO EVE Energy. Подробнее>>

Реклама: АО КОМПЭЛ, ИНН: 7713005406, ОГРН: 1027700032161

1 минуту назад, Схеман сказал:

почему?

потомушта в ДШ коэффициент β приводится для так называемых малых сигналах или он же усилительный режим , когда на переходе коллектор-эмиттер падает 1..5в (указывается в ДШ) , транзисторный ключ работает в режиме насыщения, в котором коэффициент β резко падает до 5..25 в зависимости от транзистора, короче минимальное значение указанное в ДШ или измеренное тестером грубо делим на 10. и получаем ток базы для режима насыщения.

Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

7 минут назад, IMXO сказал:

в режиме насыщения ... коэффициент β резко падает до 5..25 в зависимости от транзистора

Да, встречается такое объяснение, но оно только запутывает и вызывает вопрос "с чего бы это"?

Существует нормальное объяснение. Чтобы загнать транзистор в режим насыщения, надо превысить необходимый (по β) ток в базу, т.е. "насытить" базу. Чем больше ток превышен, тем глубже насыщение. Но особо превышать для приличных транзисторов не требуется. В 10 раз - это очень глубокое насыщение, при закрытии транзистор будет очень долго из него выходить, а напряжение на коллекторе при этом сильно меньше не будет. "За глаза" достаточно в 2-3 раза.

@Схеман , обратите ещё внимание, там же, в таблице, на параметр "Base-Emitter On Voltage" (следующая строка). При указанном в левом столбце режиме оно будет 1,2 В.

Изменено пользователем Lexter
Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

для фключить/фыключить лампочку или двигатель , абсолютно пофиг сколько там будет транзистор выходит из насыщения, а вот то что на коллекторе вместо 2..5в будет падать 0,1..0,5 это уже для работы двигателя существенно.

Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

В даташите про bc337 написано, 

DC Current Gain (IC= 100 mA, VCE= 1.0 V)

это значит, что если на базу подать напряжение 1 вольт, то коэфициент усиления будет 100, если 2 вольта, то будет 200?

Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

9 минут назад, Схеман сказал:

VCE= 1.0 V

- это напряжение между коллектором и эмиттером. :)

Написал же, "При указанном в левом столбце режиме оно (напряжение База-Эмиттер в открытом состоянии) будет 1,2 В." И никакого напряжения на переход Б-Э подавать нельзя. Биполярный транзистор управляется ТОКОМ. Током в базу.

Изменено пользователем Lexter
Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

Когда дадите в базу достаточно большой ток, чтобы загнать транзистор в насыщение, на Б-Э переходе этого транзистора будет 1,2 В. (В вашей статье автор считал, что будет 0,6 В).

Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

Моя лампочка потребляет 360 мА, значит ток в базе = 360/100 = 3.6 мА. Пусть будет 4.
Uбэ = 5В – 0,6В = 4,4В.
Сопротивление резистора: Rб = Uбэ / Iб = 4,4В / 0,04А = 110 Ом, правильно ли?

Ошибся, получается 4.4/0.0036 = 1222Ом

Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

34 минуты назад, Схеман сказал:

правильно ли?

По рис.4 из этого даташита находите ток в базу при токе коллектора 360 мА и напряжении К-Э открытого транзистора 0,4 В. Это будет 5 мА. При этом рассеиваться на транзисторе будет 0,36 А * 0,4 В = 0,144 Вт. Это вполне допустимо для этого транзистора (максимально допустимая рассеиваемая мощность 0,625 Вт).

Если хочется ещё уменьшить мощность, рассеиваемую на транзисторе, можно загнать его в ещё более глубокое насыщение. При токе коллектора 360 мА можно получить напряжение К-Э  0,2 В, если загнать в базу 10 мА. Рассеиваться на коллекторном переходе транзистора будет вдвое меньше -  0,36 А * 0,2 В = 0,072 Вт. Но тут надо будет учитывать и мощность, рассеиваемую на базо-эмиттерном переходе. Она будет равна 10 мА * 1,2 В = 12 мВт. Если сложить с мощностью, рассеиваемой на коллекторе, суммарно транзистор будет рассеивать 0,072 + 0,012 = 0,084 Вт. Т.е. рассеиваемая на транзисторе мощность уменьшилась не сильно. Если дальше увеличивать ток в базу, рассеиваемая транзистором мощность может стать даже больше. Вот поэтому тоже не надо слишком сильно завышать необходимый ток в базу.

Возьмём ток в базу 10 мА. Резистор между базой и эмиттером (нужен чтобы току базы было куда рассасываться при закрывании транзистора) возьмём те же 4,3 кОм. Ток в него при открытом транзисторе будет 1,2 В / 4,3 кОм = 0,3 мА. Можно не учитывать. Напряжение на базовом резисторе Rб равно 5 - 1,2 = 3,8 В. Сопротивление резистора получается 3,8 В / 10 мА = 380 Ом. Ближайший номинал в сторону увеличения (ток и так больше требуемого) - 390 Ом.

Итого, базовый резистор может быть от 390 до 820 Ом. При номинале резистора Rб в этих пределах, этот транзистор прекрасно и в пределах допустимого с запасом будет работать в ключевом режиме при токе вашей лампочки 360 мА.

Мощности резисторов сами посчитаете. :)

Изменено пользователем Lexter
Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

@IMXO , если взять предельно-минимально гарантированную β = 60 из таблицы (указано при токе коллектора 300 мА и напряжении Uкэ 1 В), то чтобы выйти на эту границу открывания транзистора, ток в базу должен быть не менее 360 мА / 60 =  6 мА. Таким образом в самом худшем случае на транзисторе будет рассеиваться где-то 360 мА * 1 В = 0,36 Вт. Это при 6 мА тока в базу. В принципе ещё допустимо.

Согласен. Да. Уменьшать ток в базу до 5 мА для профессиональных разработок (там требование - установка комплектующих без предварительного отбора) нельзя. Нужно где-то 8-10 мА. Но в любительской конструкции можно предварительно измерить β, чтобы не гонять лишние токи, а самый паршивый по параметрам транзистор можно и выбросить. :)

Изменено пользователем Lexter
Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

Присоединяйтесь к обсуждению

Вы можете написать сейчас и зарегистрироваться позже. Если у вас есть аккаунт, авторизуйтесь, чтобы опубликовать от имени своего аккаунта.
Примечание: Ваш пост будет проверен модератором, прежде чем станет видимым.

Гость
Unfortunately, your content contains terms that we do not allow. Please edit your content to remove the highlighted words below.
Ответить в этой теме...

×   Вставлено с форматированием.   Восстановить форматирование

  Разрешено использовать не более 75 эмодзи.

×   Ваша ссылка была автоматически встроена.   Отображать как обычную ссылку

×   Ваш предыдущий контент был восстановлен.   Очистить редактор

×   Вы не можете вставлять изображения напрямую. Загружайте или вставляйте изображения по ссылке.

Загрузка...
  • Последние посетители   0 пользователей онлайн

    • Ни одного зарегистрированного пользователя не просматривает данную страницу
  • Сообщения

    • @DownHouse , насчёт номинала затворного резистора вам уже сказали. Он образует RC-цепочку с ёмкостью затвора транзистора. На высоких частотах ШИМ работать не будет. Кроме того, у транзисторных оптопар есть такой параметр: Как видите, ток коллектора может быть даже меньше входного тока в светодиод. Быстро управлять затвором мощного полевика, у которого ёмкость под 10 нФ, таким маленьким током не получится. Так что и тут ограничение на частоту ШИМ. По закону Ома он считается. Какой ток коллектора сможет выдать транзистор оптопары, такое напряжение на R2 и получится. Естественно с "упором" в напряжение питания. Выше него не прыгнешь. Транзистор оптопары войдёт в насыщение, выходной ток оптопары станет меньше максимального, который может выдать её транзистор, ток будет ограничен значением сопротивления R2. Например, при коэффициенте передачи тока оптопары, равным единице, при напряжении питания 5 В, при токе в светодиод оптопары 10 мА и при сопротивлении резистора R2 500 Ом, напряжение на нём будет 10 мА * 0,5 кОм = 5 В. Но если оптрон посредственный, с коэффициентом передачи тока 0,5, то при тех же условиях, выходной ток коллектора транзистора оптрона будет не больше 5 мА, и напряжение выше 2,5 В на R2 не поднимется. Если пороговое напряжение открывания полевого транзистора выше, то он не откроется. Чтобы схема работала при установке любого экземпляра оптопары, без отбора, схема проектируется исходя из наихудших значений параметров. В вашем случае минимально-допустимое сопротивление R2 будет 1 кОм (10 мА/2 * 1 кОм = 5 В).  
    • Алексей, ну ты-то уже опытный в аудиотехнике волк и понимаешь, что все эти буквенные обозначения на латинице у производящих е-cap-ы контор по факту означают разные потребительские характеристики. А товарищ @Алексей Акулиничев в этом ещё новичок; натрёт в залобье мозолей, с опытом тоже начнёт разбираться в "who из где". 
    • Смотря для чего оптимальный. Если вы КПД блока под 99% вытягиваете, то нужен очень маленький. Но при этом будет сильное недоиспользование габаритной мощности "железа" сердечника. Если задача по-максимуму использовать возможности сердечника - то ограничивается только максимальной температурой сердечника, точкой Кюри...
    • Примерно так. НО! Если у этих динамиков НЧ реально от 40Гц, то кубики пенопласта будут тереться друг об друга , создавая заметные на слух "артефакты", поэтому надо бы запастись тонким поролоном, или плотной тканью прокладывая его/её между ними, или обворачивая их. ЗЫ. Чем дешевле динамик и чем проще кажется реализация на нём более-менее ровно играющей акустической системы,тем  больше возни с ним. Это уже не раз доказанный практикой факт.
    • Вот спасибо. Это прям для меня.  Я не про этот резистор. Про этот резистор я понял. Я не понимаю нужен ли резистор перед 4 выводом оптопары. Да я пока думаю нужен ли он будет (в смысле ШИМ). Точности большой по температуре не нужно будет. R1 будет от 150 - 200 Ом, а вот R2 не очень понимаю как считать (как я понимаю этот резистор будет затвор транзистора на землю сажать пока оптопара закрыта,  5-10 кОм думаю) Вот так сделал.
×
×
  • Создать...