Работа Транзистора В Ключевом Режиме.

[NailDer]

Надеюсь дорогие форумчани поможете разобраться в возникших вопросах по работе транзистора в режиме ключа.

Есть схема

Вопросы:

1. Как расчитываеться сопротивление Rбэ. Если напряжение падения на переходе База, Эммитер 0,6В.
   

Расчет:

Iобщ = Uобщ / Rобщ = 5 В/4730 Ом = 0,00105 А = 1,05 мА

U2 = Iобщ * Rбэ = 0.00105*4300 Ом = 4,515 В

U1 = Uобщ - U2 = 5 В - 4,5 В = 0,5 В

На каждом сайте где описываеться включевой режим работы транзистора говориться что напряжение База, Эммитер должно быть равно (0,6-0,8 В). По справочнику для КТ 815 напряжение насыщения не более 1,2 В и постоянное напряжение база эммитер 5 В. Но из расчетов следует что падение напряжения на резисторе Rб 0,5В на резисторе Rбэ 4,5 В, в итоге напряжение на участке базза эммитер равно 0, если напряжение равно 0 то и насыщения нет и транзистор должен быть закрыт. Если я неправильно понял схему и расчеты и напряжение на базе, эммитре 4,5 вольта тоесть это напряжение падения на сопротивлений Rбэ то тогда по справочнику оно выше допустимого (по справочнику допустимое не больше 1,2В).

Helppp!!!!

[Реклама]

Реклама: ООО ТД Промэлектроника, ИНН: 6659197470, Тел: 8 (800) 1000-321

[ТАП]

Расчет ведется по току, т.к. транзистор является усилителем тока, о чем говорит его параметр b(бетта) - статически коэффициент усиления по току. Тогда у вас все получится.

Изменено 28 сентября, 2013 пользователем ТАП

[Реклама]

20% скидка на весь каталог электронных компонентов в ТМ Электроникс!

Акция "Лето ближе - цены ниже", успей сделать выгодные покупки!

Плюс весь апрель действует скидка 10% по промокоду APREL24 + 15% кэшбэк и бесплатная доставка!

Перейти на страницу акции

Реклама: ООО ТМ ЭЛЕКТРОНИКС, ИНН: 7806548420, info@tmelectronics.ru, +7(812)4094849

[NailDer]

Расчет ведется по току, т.к. транзистор является усилителем тока, о чем говорит его параметр b(бетта) - статически коэффициент усиления по току. Тогда у вас все получится.

Согласен. Тогда подскажите как расчитать резистор Rбэ. И что такое

Изменено 28 сентября, 2013 пользователем NailDer

[Реклама]

Hongfa для различных применений в Компэл. Большой выбор в наличии!

Компания HONGFA - это не только крупнейший в мире производитель электромеханических реле, но также производитель конденсаторов, вакуумных прерывателей, трансформаторов и низковольтного коммутационного оборудования. На складе КОМПЭЛ регулярно поддерживаются около 100 самых популярных позиций электромеханических реле. Реле Hongfa могут заместить многие изделия производства недоступных брендов. Подробнее>>

Реклама: АО КОМПЭЛ, ИНН: 7713005406, ОГРН: 1027700032161

[ТАП]

Напряжение насыщения б-э - это такое напряжение приложенное к переходу б-э, при котором приращение тока базы от напряжения=0. Т.е. ток базы больше не увеличивается, не зависимо от увеличения приложенного напряжения.

Изменено 28 сентября, 2013 пользователем ТАП

[Реклама]

Тренды и лучшие решения для разработки зарядных станций в России

К 2029 году в России прогнозируется увеличение числа зарядных станций до 40 000. При этом отечественный рынок электротранспорта имеет климатические, потребительские и географические особенности. Для успешной разработки и построения инфраструктуры станций заряда в России идеальным вариантом является использование решений и электронных компонентов китайских производителей – лидеров индустрии электротранспорта и возобновляемой энергетики, которые уже представлены в КОМПЭЛ. Подробнее>>

Реклама: АО КОМПЭЛ, ИНН: 7713005406, ОГРН: 1027700032161

[NailDer]

Напряжение насыщения б-э - это такое напряжение приложенное к переходу б-э, при котором приращение тока базы от напряжения=0, достигая своего максимума для данного типа транзистора. Т.е. ток базы больше не увеличивается, не зависимо от увеличения приложенного напряжения.

но как же выбираеться Rбэ

[Реклама]

Секреты депассивации литиевых батареек FANSO EVE Energy

Самыми лучшими параметрами по энергоемкости, сроку хранения, температурному диапазону и номинальному напряжению обладают батарейки литий-тионилхлоридной электрохимической системы. Но при длительном хранении происходит процесс пассивации. Разберем в чем плюсы и минусы, как можно ее избежать или уменьшить последствия и как проводить депассивацию батареек на примере продукции и рекомендаций компании FANSO EVE Energy. Подробнее>>

Реклама: АО КОМПЭЛ, ИНН: 7713005406, ОГРН: 1027700032161

[ТАП]

Rбэ как можно меньше учавствовал в отборе тока базы, т.е. д.б. максимально большим. Но не более, чем нужно для нормальной работы транзистора в закрытом состоянии при Uкмакс доп.(без пробоя). Обычно указывается в справочнике в предельно допустимых данных. Поэтому можно взять произвольно по вашим входным и выходным данным вплоть до 10-15 кОм. Оставляйте ваш номинал. Зная ток нагрузки =100мА, находим ток базы при этом: Iб=Iк:b=100:30=3,33 мА. Для работы транзистора в насышенном режиме примем ток базы =10 мА Отсюда находим Rб=5:0,01=500 Ом (510 Ом). С учетом Rэб можно принять как у вас 430-470 Ом. Это не критично, т.к. ток базы взят в три раза больше нужного. Напряжение на базе не будет больше чем 0,7 В, т.к. участок б-э работает как диод в прямом включении.

Изменено 28 сентября, 2013 пользователем ТАП

[NailDer]

Rбэ как можно меньше учавствовал в отборе тока базы, т.е. д.б. максимально большим. Но не более чем нужно для нормальной работы транзистора в закрытом состоянии при Uкмакс доп.(без пробоя). Обычно указывается в справочнике в предельно допустимых данных. Поютому можно взять произвольно по вашим входным и выходным данным вплоть до 10-15 кОм. Оставляйте ваш номинал. Зная ток нагрузки =100мА, находим ток базы при этом: Iб=Iк:b=100:30=3,33 мА. Для работы транзистора в насышенном режиме примем ток базы =10 мА Отсюда находим Rб=5:0,01=500 Ом (510 Ом). С учетом Rэб можно принять как у вас 430-470 Ом. Это не критично, т.к. ток базы взят в три раза больше нужного. Напряжение на базе не будет больше чем 0,7 В, т.к. участок б-э работает как диод.

По вашим как и по моим расчетам получаеться что напряжение падения на резисторе Rб 0,5 В. А питание которое подаеться на базу 5 В, значит через резисторна базу приходит питание 4,5в. А через переход база эммитер разве эти 4,5 вольта не переходят? Хотя даже в книге описываеться что напряжение питания перехода бза эммитер не больше 0,6-0,8В.

[Falconist]

По справочнику для КТ 815 напряжение насыщения не более 1,2 В и постоянное напряжение база эммитер 5 В.

"Смешались с кучу кони, люди"...

"Напряжение насыщения" - это напряжение между коллектором и эмиттером в режиме насыщения, когда коллекторный ток равняется максимально допустимому.

"Постоянное напряжение база эмиттер = 5 В" - это обратное допустимое напряжение, при котором база-эмиттерный переход не переходит в режим зенеровского пробоя.

Учите матчасть, вьюнош!

[NailDer]

По справочнику для КТ 815 напряжение насыщения не более 1,2 В и постоянное напряжение база эммитер 5 В.

"Смешались с кучу кони, люди"...

"Напряжение насыщения" - это напряжение между коллектором и эмиттером в режиме насыщения, когда коллекторный ток равняется максимально допустимому.

"Постоянное напряжение база эмиттер = 5 В" - это обратное допустимое напряжение, при котором база-эмиттерный переход не переходит в режим зенеровского пробоя.

Учите матчасть, вьюнош!

Да вот и пытаюсь разобраться по мат части как работает база эммитерный переход в ключевом режиме и для чего нужен резистор Rбэ и как его расчитать.

[Falconist]

Нарушение п.II.9 Правил форума (цитирование предыдущего сообщения).

Предупреждение! В следующий раз накажу "по совокупности".

Впредь вместо кнопки "Ответить с цитатой" пользуйтесь окном " Ответить"!

[Электроникс]

А никто не знает для чего он нужен, все знают, что он нужен, но для чего никто не знает, то ли от помех, то ли от случайного срабатывания. Лично у меня все схемы прекрасно себя чувствуют без него, но если разработчики советуют, то лучше поставить.

[Igel]

когда подниметесь по частоте чуть выше чем коммутирование моторчиков постоянным током тогда очень быстро поймёте что транзистор иногда надо быстро закрывать.

вот для быстрейшего закрытия и стоят, ну и что б база не болталась в воздухе.

А никто не знает для чего он нужен...

а не надо говорить за всех... Он там нужен для быстрейшего рассасывания неосновных носителей в базе.

[Электроникс]

А я и не говрю за всех, просто этот вопрос не раз задавался на форуме, но так внятно ни кто и не ответил , ну и как он повлияет на скорость биполярного транзистора? Если б полевой , тогда понятно, хотя спорить не буду, Вы же профи, а я любитель

[Igel]

А я и не говрю за всех, просто этот вопрос не раз задавался на форуме, но так внятно ни кто и не ответил , ну и как он повлияет на скорость биполярного транзистора?

А смысл в перепечатывании сюда того что написано в любой книжке по цифровой технике?

[минздрав]

этот вопрос не раз задавался на форуме, но так внятно ни кто и не ответил ,

Я лично читал внятные ответы именно на этот вопрос, причём не один раз, причём мне это совсем не нужно и я даже не любитель.

[Электроникс]

я даже не любитель.

Ну а кто Вы, если не секрет?

[минздрав]

Не секрет - пенсионэр и поклонник справедливости.

[Юрий Зинченко_161774]

Доброго времени суток! столкнулся с вот такой проблемкой:

Делаю преобразователь собрал задающий генератор по схеме

выходной каскад нужен как по этой схеме

питание микросхем 7,5 вольт выходные транзисторы вместо кт 805 нужно поставить КТ8101

Расскажите пожалуйста как рассчитать правильно сопротивления?

Как я понимаю нужно пересчитать R3, R4 так как питание 7,5 ну и соответственно R5,R6,R7,R8.

Может я ошибаюсь но в моем представлении нужно начинать с кт8101 тоисть 15/20=0,75A выходит что базовые резисторы R5 ,R7 согласно R б = U б-0,6 /Iб (A) = 15,2 Ом как считать дальше? Ну не вспомню хоть тресни! Объясните пожалуйста у кого память по свежее! Буду очень благодарен! Спасибо!

[Электроникс]

Не нужно ничего пересчитывать. h21э у них почти одинаковый, да и не существенно это в ключевом режиме. Главное, чтоб транзистор открывался полностью, но при этом не превышался допустимый ток базы. Хотя подробнее почитайте здесь http://forum.cxem.ne...40#comment-2016657