c того вывода потенциометра, куда подаётся сигнал.
Со второго вывода, который на землю, будет картина наоборот: сначала сопротивление почти не растёт, а потом резко увеличивается.
Я как-то измерял имеющиеся у меня такие советские переменники разных лет, оказалось, что:
Многие имеют сильное отклонение сопротивления от номинала, чуть ли не в половину
Выводы часто имеют плохой контакт к токопроводящему слою. Меряешь между отводом и средним выводом. У одних резисторов минимум где-то сотня ом, а у некоторых – килоомы. Причём даже на одном и том же резисторе с двумя отводами получалось, что эти минимальные сопротивления (когда ползунок возле отвода) различались.
Я изучаю вопрос использования счётчика при повышенном напряжении, и преобразователи, мне кажется, лучше приспособлены для большого размаха входящего напряжения.
При попытке применить в качестве контроля Iнам нанообруч, не все добились положительного результата. Лично меня такой метод не подводит, необходимо лишь нанообруч выполнить из того же материала, что и основной сердечник. Или из материала с магнитной проницаемостью выше, чем у сердечника трансформатора. При невыполнении этого требования (при малой магнитной проницаемости материала нанообруча) ожидаемый сигнал появится лишь после насыщения основного сердечника, когда значительная часть поля вытесняется в окружающее пространство. В результате получим датчик Роговского вместо Дырки Гиратора. Такой хоккей нам не нужен.
При правильной игре, через ОФ или через нанообруч можно мониторить не прямоугольные наносердечники (с отжигом в поперечном поле) даже в линейной области перемагничивания, без захода в насыщение. Надо лишь помнить, что ток намагничивания и дырочный ток могут быть весьма малыми, поэтому трансформатор тока с пропущенным через него витком Гиратора должен иметь невысокий коэффициент трансформации - для обеспечения достаточного базового тока транзисторов управления. А сам ТТ должен иметь небольшой собственный Iнам. При необходимости, порог срабатывания в узле контроля можно снизить, возможные варианты на картинке ниже.
мост c ОФ и защитой.asc
полумост с ОФ и защитой.asc
Я упоминал об этом.
Книжки про это, читал давно. Смысл рекомендаций в них, тоже понятен. Просто вживую, не все так страшно. Пока, складывается впечатление, что больше перестраховываются, от теоретически, возможных проблем.
Специалисты тоже всю жизнь учатся! А не рождаются ими.
Прошу помочь найти Spice-модели для MOSFET-драйверов MIC4452 или EL7104C.
Перерыл весь интернет, ничего нет. Пробовал искать спайс-модели аналогов, тоже пусто.
Если их вообще нет, то прошу подсказать, как эти спайс-модели делать самому.
Спасибо.
Recommended Posts