H-мост до 1 МГц

[protector]

13 минут назад, shaxel сказал:

Q это Z/R

Добротность это в первую очередь вот чего:

Добро́тность — параметр колебательной системы, определяющий ширину резонанса и характеризующий, во сколько раз запасы энергии в системе больше, чем потери энергии за время изменения фазы на 1 радиан. Обозначается символом � от англ. quality factor.

Если два элемента включены параллельно ( R и C ), то при каком условии добротность выше? Очевидно, что при большем R и большем C.

[Реклама]

Реклама: ООО ТД Промэлектроника, ИНН: 6659197470, Тел: 8 (800) 1000-321

[shaxel]

Не согласен, если пока не брать во внимание параллельное R, то есть формула для добротности Q=Z/R, где Z = √(L/C). R - последовательное омическое цепи. Но у нас не последовательное 137 Ом, а параллельное, наверное, его можно привести к последовательному, возможно это будет ни что иное как 1/R но я не уверен.
 

[Реклама]

20% скидка на весь каталог электронных компонентов в ТМ Электроникс!

Акция "Лето ближе - цены ниже", успей сделать выгодные покупки!

Плюс весь апрель действует скидка 10% по промокоду APREL24 + 15% кэшбэк и бесплатная доставка!

Перейти на страницу акции

Реклама: ООО ТМ ЭЛЕКТРОНИКС, ИНН: 7806548420, info@tmelectronics.ru, +7(812)4094849

[aeternum]

Эммм...

С каких пор у нас RC - это колебательный контур?

В формуле добротности R обозначает общие потери, включая паразиты LC (самого контура), плюс намеренно для понижения добротности посталенное R (или не поставленное)

[Реклама]

Особенности хранения литиевых аккумуляторов и батареек

Потеря емкости аккумулятора напрямую зависит от условий хранения и эксплуатации. При неправильном хранении даже самый лучший литиевый источник тока с превосходными характеристиками может не оправдать ожиданий. Технология, основанная на рекомендациях таких известных производителей литиевых источников тока, как компании FANSO и EVE Energy, поможет организовать правильный процесс хранения батареек и аккумуляторов. Подробнее>>

Реклама: АО КОМПЭЛ, ИНН: 7713005406, ОГРН: 1027700032161

[protector]

1 час назад, shaxel сказал:

Q=Z/R, где Z = √(L/C)

Эти формулы здесь не подходят. Рассматривайте отношение мощностей:  реактивную конденсатора Q= U²/X_c и активную  P= U2/R.  Напряжение на обоих элементах равны, реактивная Q тем больше, чем больше емкость. Для того, чтобы прокормить нагрузку большим и красивым синусом, требуется большая реактивная мощность конденсатора.

 

[Реклама]

Выбираем схему BMS для корректной работы литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

 Обязательным условием долгой и стабильной работы Li-FePO4-аккумуляторов, в том числе и производства EVE Energy, является применение специализированных BMS-микросхем. Литий-железофосфатные АКБ отличаются такими характеристиками, как высокая многократность циклов заряда-разряда, безопасность, возможность быстрой зарядки, устойчивость к буферному режиму работы и приемлемая стоимость. Но для этих АКБ, также как и для других, очень важен контроль процесса заряда и разряда, а специализированных микросхем для этого вида аккумуляторов не так много. Инженеры КОМПЭЛ подготовили список имеющихся микросхем и возможных решений от разных производителей. Подробнее>>

Реклама: АО КОМПЭЛ, ИНН: 7713005406, ОГРН: 1027700032161

[shaxel]

Я лучше буду добротность увеличивать и получать выигрыш от квадрата напряжения на конденсаторе, чем увеличивать емкость и получать выигрыш в линейной зависимости от нее, при этом снижая добротность.
Ха-ха!
Не, это все фигня на самом деле. Есть у нас в городе профессор один, дает уроки, берет бабла кучу, физик так себе, зато посчитать может все что угодно. Вот к нему хотел сходить, да он сейчас в запаре.
так бы с расчетом все четко было и для параллельного и для последовательного соединения. Видел в инете, и мне кое-кто предлагал вариант, когда от меандра питания берется 1-я гармоника и считается наведенное ею напряжение, формула известна. А дальше по закону Ома и Джоуля...

Изменено 27 февраля пользователем shaxel

[protector]

20 минут назад, shaxel сказал:

Я лучше буду добротность увеличивать и получать выигрыш от квадрата напряжения на конденсаторе, чем увеличивать емкость

Квадрат напряжения выпадает при делении . Остается только R/Xc.

Изменено 27 февраля пользователем protector

[shaxel]

В 27.02.2024 в 10:06, protector сказал:

Наоборот должно быть. Емкость нужно повышать для большей мощности.

Вы были правы. Поставил емкость около 20 nF, получил амплитуду напряжения 150В. Все, мощности хватает. Вчера намотал трансформатор 1:1 на кольце М2000НМ 45х28х12. Мотал каждую обмотку тремя эмальпроводами диаметром 0,52 мм. Сердечник не нагревался абсолютно. Но стала греться вся схема. Начиная от дросселя, намотанного проводом 0,75 квадрата длиной около 40-50см, заканчивая дорожками платы моста (сопротивление 0,005 Ом!!!), проводом 0,5 квадрата длиной около 10см, который запитывает мост, обмотками трансформатора. Мосфеты с сопротивлением канала менее 0,020 Ом тоже стали нагреваться заметно.
Я так понимаю, схема эквивалентна нескольким последовательным резисторам, где плата, дроссель, конденсаторы по 0,1 Ом или менее, условно. И нагрузка, допустим 2 Ом эквивалента. То есть, вся мощность например в 60 Вт рассеивается на этих эквивалентных резисторах прямо пропорционально номиналам.
Наверное, чтоб снизить нагревы, мне надо или уменьшить омические сопротивления деталей, что сделать уже практически не возможно, или повысить эквивалентное сопротивление нагрузки. Как повысить эквивалентное сопротивление нагрузки? Снизить ее номинал? Но тогда что будет с напряжением на емкости, наверное оно должно упасть, и мощность снизится.
Может кто-то приведет точную теорию с формулами, или даст практический совет?
 

[protector]

12 минут назад, shaxel сказал:

тремя эмальпроводами диаметром 0,52 мм

Больше нужно проволок, то же касается и дросселя и всех остальных проводников – скин эффект немалый.

 

17 минут назад, shaxel сказал:

Поставил емкость около 20 nF, получил амплитуду напряжения 150В

Перестарались, вам же столько не нужно мощности.

[shaxel]

23 часа назад, protector сказал:

Больше нужно проволок, то же касается и дросселя

Я замерял потребление от источника, ставил шунт 0,1 Ом, сигнал был постоянка примерно 5-5,5 А.
Если омическое дросселя на рабочей частоте около 0,3 Ом (проверял анализатором), то ее нагрев 7,5 Вт. Что похоже на правду.
Но, амплитудный ток через трансформатор 1:1 был менее 1А, я не замерял, к сожалению, омическое обмоток, но не похоже что они должны были греться, но они грелись, именно обмотки, не сердечник.
Я вижу это по-другому: есть 3-4 последовательных резистора:
1) омическое дросселя
2) омическое ESR конденсаторов
3) эквивалентное последовательное омическое нагрузки
4) Омическое ключей и самой платы
Плюс есть реактивки как минимум дросселя и блока конденсаторов.
Вся потребляемая мощность, а по замером, допустим, это 5,5*12=66 Вт должна распределиться по элементам прямо пропорционально их сопротивлениям. Допустим, за пару тактов реактивка накачалась, тогда все 66 Вт распределяются по перечисленным сопротивлениям.
Например:
1) R дросселя = 0,1 Ом
2) ESR = 0,1 Ом
3) R ключей и дорожек платы = 0,1 Ом
4) R эквивалентное последовательное нагрузки = 0,3 Ом
Тогда на нагрузке выделится никак не более 66/0,6*0,3 = 33 Вт
На схеме выделится 66-33 = 33 Вт что очень много, 50% уходит чисто в тепло.
Все дело в соотношении паразитного омического к эквивалентному последовательному омическому нагрузки.
Тогда есть 2 выхода: 1 - снижать омическое элементов, или повышать эквивалентное последовательное омическое нагрузки.
Из сказанного видно, что при очень малом эквивалентном омическом нагрузки, придется очень сильно снижать паразитные сопротивления, что может быть чисто конструкционно невозможно.
2- повышать эквивалентное нагрузки, но это повлияет на схему, установка будет давать другую мощность. Наверное ее можно варьировать соотношением L/C.
Я пробовал изменить омическое нагрузки, оставляя  резонансную частоту и все остальные элементы неизменными. Получилось:
1) Rнагрузки = 100 Ом, Pнагрузки = 84 Вт
2) Rнагрузки = 50 Ом, Pнагрузки = 53,9 Вт
4) Rнагрузки = 200 Ом, Pнагрузки = 25,3 Вт

Тут не линейная зависимость, какой-то горб графика P=f(R) почему-то получился.
Бляха-муха, нужна система уравнений. Тогда все вопросы решатся легко и просто.

Изменено 6 марта пользователем shaxel

[shaxel]

Залил видео с обзором схемы на текущий момент, ничего особого не рассказал. Может кому будет интересно.