Перейти к содержанию

Защита mosfet. Импульсный ток


shaxel

Рекомендуемые сообщения

Все привет. Практически завершил расчеты своего проекта, перехожу к практике.
Итак, имеется цепь. В нулевой ммоент времени транзистор закрыт. Источник постоянного напряжения (автоаккумулятор) заряжает С1, диод d1 не позволяет устояться колебаниям на С1. Как только С1 заряжен до максимального напряжения, транзистор разряжает его на L2 и в момент нулевого напряжения на С1 (максимального тока на L2) или чуть раньше закрывается. В этот момент происходит выброс ЭДС самоиндукции на L2. Все. Цикл повторяется.
E   = 12,5-12,9 В
L1 = 2,7-8,00 мкГн
d1 - диод, препятствующий колебаниям на С1
С1 = 3,75-1,27 мкФ
К   - 3 параллельно мосфет STW48NM60N
L2  = 1,20-2,00 мкГн
время заряда С1 через L1     = 10-7,7 мкс
время разрядки С1 через L2 = 3,3 - 2,5 мкс
время работы мосфета вместе с фронтами ≈ 3,3 - 2,5 мкс
частота включения мосфета = 80-100 кГц
фронт закрытия мосфета      =  120 нс 
фронт открытия мосфета      = 120 нс или менее (насколько позволит драйвер)
драйвер мосфета IR4427 или 4428
ЭДС самоиндукции L2 ≈  537 В
I амплитудный через L1 = 14,7 - 5A 
I амплитудный через L2 = 35-55А
R омическое всех подводящих проводов в сумме не более 0,004 Ом, скорее всего будет литцендрат 
5c66b05e559ab_.jpg.a8ac4aeb4d0e82467c60a253d2d95a87.jpg

Вопрос: Какой d1 лучше поставить? Можно подороже-получше, в цене вопрос не стоит.
В момент настройки, ЭДС может превышать 600В (что выше порога мосфета), как защитить их? Может d2 поставить?
Надо ли ставить что-то с затвора на силовую цепь? Читал что-то про пробой затвора.
Может еще что-то от помех навесить, например экранированный провод на затвор, генератор в экранирующую коробку поместить...
Посоветуйте что-нибудь толковое.
К понедельнику фото самого девайса выкину
Заранее всем спасибо!

Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

Реклама: ООО ТД Промэлектроника, ИНН: 6659197470, Тел: 8 (800) 1000-321

Литцендрат, D1 L1 не надо. Ставим R6 в исток, снабер C13 R7 VD3 на сток, диод+резистор последовательно в затвор и можно защитный стабилитрон 12-15 В (анод на землю, катод к затвору).

qwe.png

Изменено пользователем РадиоНастройщик
Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

20% скидка на весь каталог электронных компонентов в ТМ Электроникс!

Акция "Лето ближе - цены ниже", успей сделать выгодные покупки!

Плюс весь апрель действует скидка 10% по промокоду APREL24 + 15% кэшбэк и бесплатная доставка!

Перейти на страницу акции

Реклама: ООО ТМ ЭЛЕКТРОНИКС, ИНН: 7806548420, info@tmelectronics.ru, +7(812)4094849

L1 убирать нельзя. А если будет L1, то и d1 убирать нельзя. Не понял на счет R6, у меня вообще омического сопротивление быть нигде не должно, я же не кипятильник делаю.

Из этого "снабер C13 R7 VD3 на сток" вообще ничего не понял. 

Меня больше всего интересует тепловыделение на ключах на линейном режиме именно закрытия транзистора. Ток 55а, фронт закрытия 120 нс. И какой ток с драйвера в таком режиме выжать можно...

Еще интересно можно ли напряжение источника как-то стабилизировать, ведь оно понемногу падать будет, ведь аккумулятор будет непрерывно разряжаться.

На затворе 10В если что.

Так, на счет снаббера понял: шунтирование самоиндукции L2. 

Изменено пользователем shaxel
Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

Выбираем схему BMS для корректной работы литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

 Обязательным условием долгой и стабильной работы Li-FePO4-аккумуляторов, в том числе и производства EVE Energy, является применение специализированных BMS-микросхем. Литий-железофосфатные АКБ отличаются такими характеристиками, как высокая многократность циклов заряда-разряда, безопасность, возможность быстрой зарядки, устойчивость к буферному режиму работы и приемлемая стоимость. Но для этих АКБ, также как и для других, очень важен контроль процесса заряда и разряда, а специализированных микросхем для этого вида аккумуляторов не так много. Инженеры КОМПЭЛ подготовили список имеющихся микросхем и возможных решений от разных производителей. Подробнее>>

Реклама: АО КОМПЭЛ, ИНН: 7713005406, ОГРН: 1027700032161

Создавать мощное магнитное поле, больше ни в чем. Но другие варианты предлагать не надо, для моих целей в общем виде это единственный верный вариант.

Vd3 - какой-то особый диод? Как они называются, забыл. Смысл R7 и С13 не совсем понятен...

Изменено пользователем shaxel
Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

2 часа назад, shaxel сказал:

мощное магнитное поле

Для чего? И нафига там L1?

4 часа назад, shaxel сказал:

в момент нулевого напряжения на С1 (максимального тока на L2)

В этот момент ток уже будет минимальным.

4 часа назад, shaxel сказал:

диод d1 не позволяет устояться колебаниям на С1

Откуда им там взяться?

4 часа назад, shaxel сказал:

В этот момент происходит выброс ЭДС самоиндукции на L2

Который должен гаситься снаббером, которого в схеме нет.

Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

BARS, я конечно извиняюся, но почти все что ты написал - полная чушь. Поверь, я хорошо понимаю какие процессы где и когда в этой схеме будут происходить, особенно колебания... Если есть С и L, то есть и колебания. Все, спорить не буду, просто не мешай...

Хотя нет, все что ты написал - полная чушь.

Изменено пользователем shaxel
Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

2 часа назад, shaxel сказал:

но почти все что ты написал - полная чушь.

Во-первых, не тыкай. Мы на брудершафт не пили.

2 часа назад, shaxel сказал:

Поверь, я хорошо понимаю какие процессы где и когда в этой схеме будут происходить, особенно колебания

Что-то незаметно. Ведь даже не можете сказать, на кой там L1. Неужто еще один искатель свободных энергий?

2 часа назад, shaxel сказал:

Если есть С и L, то есть и колебания

Вот только диод им не помеха. Хоть раз осциллограммы видели в тех же ИИП? Диод сам при закрывании создает импульс. Все просто. Выкидываем D1/L1 и колебания пропадают, а заодно и КПД схемы повышается.

4 часа назад, shaxel сказал:

3 параллельно мосфет

Только транзисторы нельзя просто так включать параллельно.

Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

48 минут назад, shaxel сказал:

Создавать мощное магнитное поле, больше ни в чем. Но другие варианты предлагать не надо, для моих целей в общем виде это единственный верный вариант.

 

444555666.GIF

Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

2 часа назад, shaxel сказал:

Практически завершил расчеты своего проекта, перехожу к практике.

А как ты рассчитал ? Все же можно проверить в Мультсим например, он хорошо все считает. Все данные у тебя есть, схему сделать за 2 минуты и увидишь сразу результат на графике. И смысл L1 d1 не совсем понятен, там потери будут у тебя 1 Вольт точно, а на сильном токе и еще больше

Я понял. Ты делаешь генератор торсионного поля, только там такие грамотеи, которые заново открывают горизонты пи-мезона и прочего.

Берем поп-корн и читаем о новой супер-схеме, которую никто не понимает))

Изменено пользователем РадиоНастройщик
Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

@Гость гость

Сударь, торсионное поле - это поле которое скручивает моСг в бублик.

У некоторых соискателей ещё при рождении :D

А вот так оно мне чёто напоминает...:D:D:D

бред.png

Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

20 часов назад, shaxel сказал:

К понедельнику фото самого девайса выкину

Ждем

И вот так надо соединять транзисторы в параллель для увеличения выходной мощности генератора

asa.png

Изменено пользователем РадиоНастройщик
Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

Присоединяйтесь к обсуждению

Вы можете написать сейчас и зарегистрироваться позже. Если у вас есть аккаунт, авторизуйтесь, чтобы опубликовать от имени своего аккаунта.
Примечание: Ваш пост будет проверен модератором, прежде чем станет видимым.

Гость
Unfortunately, your content contains terms that we do not allow. Please edit your content to remove the highlighted words below.
Ответить в этой теме...

×   Вставлено с форматированием.   Восстановить форматирование

  Разрешено использовать не более 75 эмодзи.

×   Ваша ссылка была автоматически встроена.   Отображать как обычную ссылку

×   Ваш предыдущий контент был восстановлен.   Очистить редактор

×   Вы не можете вставлять изображения напрямую. Загружайте или вставляйте изображения по ссылке.

Загрузка...
  • Последние посетители   0 пользователей онлайн

    • Ни одного зарегистрированного пользователя не просматривает данную страницу
  • Сообщения

    • @Андрей0З9  Это что за учитель и где, такой по трудовому обучению, задает задачи по физике 10 класса.?!  Бред полный.
    • Румынский дядька - перфекционист-фенечник. Бисера и бусин - дофига, вот и ставит куда не попадя, в данном случае бусинками выставил единую высоту ряда конденсаторов. Подобное встречалось, когда на ножки впаиваемых элементов одевались короткие кембрики одинаковой высоты, чем задавалась единая высота монтажа. Ну видимо румынскому дядьке лень было нарезать кучу одинаковой мелочёвки, зато было вналичии много бисера..., и креативно и желаемого достиг. С уважением, Сергей. 
    • О, это очень полезные регистры! в 88 только GPIOR0 сохранил свои полезные свойства. использую их как флаги событий прерываний. для GPIOR0 адрес порта ввода-вывода 0х1Е, а значит к нему применяются команды cbi, sbi, sbic, sbis   ну и   in, out. Когда происходит прерывание, процессор переходит на адрес обработки прерывания, вот там-то мы и располагаем код: sbi   GPIOR0, 0     ;установить в 1 бит 0 в регистре GPIOR0 reti                        ;вернуться из прерывания   Без использования регистра GPIOR0, а с использованием обычного регистра код выглядел бы иначе: push   R0                          ;освобождаем регистр R0 для SREG и сохраняем его in        R0, SREG               ;сохраняем SREG в R0, все флаги операций текущей программы sbr     R23, 1<<0             ;выставляем флаг признака прерывания, например бит 0 в регистре R23 out    SREG, R0               ;восстанавливаем SREG, все флаги операций текущей программы pop   R0                          ;восстанавливаем значение R0 reti                                  ;вернуться из прерывания   Нетрудно заметить......!   А, да команда: sbr     R23, 1<<0 в идеале изменяет флаги в SREG, потому и такая длинная цепочка команд.
    • Сабсоник 3 порядка потом усилитель на Оу. Далее все на столе отстроить и все 
    • Вот и я думаю сделать на сдвоенном операционнике входной усилитель и сабсоник. 
    • Я всегда подозревал, что эта схема была содрана кЕтайцами с какого-то старого и хорошо известного (но не у нас) блока питания, и что в оригинале использовались именно 741 операционники. И вот тому подтверждение... Все равно те микросхемы и транзисторы что они используют в наборах, чаще всего подделки. Мне например, пришлось заменить D1047 транзистор что шел в наборе на пару таких же, но нормальных (выдраных с дохлого усилка). Транзистор из набора (маркировка явно "левая", без какого-либо намека на изготовителя) сильно грелся даже на 1,5А. Такой же транзистор D1047, но из усилка грелся раза в два меньше, да и маркировка "нормальная".  Подозреваю что и TL081 что в наборе идут тоже возможно что перемаркированные 741 (они супердешевые, сравнимо с 358). 741 операционники выпускали все кому не лень, аналогов было выпущено очень много за полвека.  Были и на плюс-минус 22в, надо смотреть конкретный даташит и производителя, даже от буквы в конце это зависит.  Например, есть такой аналог uA741 от ST ("микро-А741"). ua741-957400.pdf ua741.pdf MA741.PDF
    • Нет. Эта модель TRI для 3фаз. Да и вся разводка сделана для 3х фаз. EVOLUTION Mono ➞ 1~ 230V ± 10% 50/60Гц EVOLUTION Tri ➞ 3~ 400V ± 10% 50/60Гц В конце второй минуты есть внутренности, подключение и включение пульта. Можно заметить, что платы идентичные. 
×
×
  • Создать...