MOSFET vs IGBT

[Wector]

В 27.12.2016 в 21:17, IRFP460 сказал:

 

Но зачем, к примеру ,  использовать 60 кГц если можно 600 кГц - это меньше трансформатор, меньше активное сопротивление обмоток, меньше паразитные связи,  меньше емкости конденсаторов.  потери в феррите не сильно возрастают.

До 1мГЦ я пока не дошел,  не нашел вменяемого LLC контроллера.  вот на 450кГц в режиме полумоста 800 Вт получал,   и никакой фантастики в 1мгц не вижу.

 

Не пойму, че всех гребет от сотен киллогерц тут, взъерошились, как ежики

Какой получился КПД на полной мощности 800 Вт, при полумегах? по ДС/ДС или АС/ДС.   Выходное какого номинала?

[Реклама]

Реклама: ООО ТД Промэлектроника, ИНН: 6659197470, Тел: 8 (800) 1000-321

[UVV]

огромное количество бешенных электронов так быстро не выпенеш, а запинуть можно.

[Реклама]

20% скидка на весь каталог электронных компонентов в ТМ Электроникс!

Акция "Лето ближе - цены ниже", успей сделать выгодные покупки!

Плюс весь апрель действует скидка 10% по промокоду APREL24 + 15% кэшбэк и бесплатная доставка!

Перейти на страницу акции

Реклама: ООО ТМ ЭЛЕКТРОНИКС, ИНН: 7806548420, info@tmelectronics.ru, +7(812)4094849

[IRFP460]

В 29 декабря 2016 г. в 02:35, Manowar сказал:

нецелесообразно это. трансформатор и выходные  емкости уменьшатся. но потери вырастут несуразно. и на феррите и на ключах(включая потери управления), диодах, проводниках и на паразитных емкостях, упадёт кпд, возрастёт стоимость.

 

 

 

Может и нецелесообразно. Но в первую очередь движет спортивный интерес. ключи есть такие - производители пишут рабочую частоту несколько МГц - значит их кто то использует.

 

 

потери в ключах особо не вырастут , при условии использования соответствующих ключей .

Потери в сердечнике  для ETD44  100кГц 0.1T 100гр  0.8ВТ

для ETD 34 1000кГЦ 0.25Т 100гр 1.8Вт

потери вырастут на 1 ВТ,  но при этом длина обмоток уменьшиться более чем в три раза, (считал для 48 Вольт 12 А)  на ET44 три витка на вторичку, ETD34 1 виток  ,  упадут омические потери в обмотках.  Меньший размер транса, конденсатора и транзисторов  - уменьшат размер дорожек и паразитные емкости, межвитковые емкости и прочее.

 

В теории особо сильно потери не вырастут, на практике посмотрим.

 

 

По своему опыту - подъем рабочей частоты, для 300ВТ питальника , c 70кГЦ  до 160кГЦ (частоты для максимальной нагрузки)  КПД БП вырос.

[Реклама]

Особенности хранения литиевых аккумуляторов и батареек

Потеря емкости аккумулятора напрямую зависит от условий хранения и эксплуатации. При неправильном хранении даже самый лучший литиевый источник тока с превосходными характеристиками может не оправдать ожиданий. Технология, основанная на рекомендациях таких известных производителей литиевых источников тока, как компании FANSO и EVE Energy, поможет организовать правильный процесс хранения батареек и аккумуляторов. Подробнее>>

Реклама: АО КОМПЭЛ, ИНН: 7713005406, ОГРН: 1027700032161

[Dimoniz]

3 часа назад, IRFP460 сказал:

 

Потери в сердечнике  для ETD44  100кГц 0.1T 100гр  0.8ВТ

для ETD 34 1000кГЦ 0.25Т 100гр 1.8Вт

 

Чо-то вы с 0.25Т  при 1МГц загнули ......  Какой материал ?

[Реклама]

Выбираем схему BMS для корректной работы литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

 Обязательным условием долгой и стабильной работы Li-FePO4-аккумуляторов, в том числе и производства EVE Energy, является применение специализированных BMS-микросхем. Литий-железофосфатные АКБ отличаются такими характеристиками, как высокая многократность циклов заряда-разряда, безопасность, возможность быстрой зарядки, устойчивость к буферному режиму работы и приемлемая стоимость. Но для этих АКБ, также как и для других, очень важен контроль процесса заряда и разряда, а специализированных микросхем для этого вида аккумуляторов не так много. Инженеры КОМПЭЛ подготовили список имеющихся микросхем и возможных решений от разных производителей. Подробнее>>

Реклама: АО КОМПЭЛ, ИНН: 7713005406, ОГРН: 1027700032161

[IRFP460]

опечатался,  0.025 Т

[Dimoniz]

1 час назад, IRFP460 сказал:

опечатался,  0.025 Т

 

Принято, но опять сравнение не корректно -  ETD34 вы даете посеить 1.8Вт , а более крупному 44 всего 0.8Вт , хотя он может до 9Вт (по даташиту) . Логичнее сравнивать 34 при 1000кГц 0.025Т , и 44 при 100кГц  0.2Т . И в этом сравнении я вижу одинаковое кол-во витков . 

Далее встает вопрос - а чем на 1МГц мотать будете ?  Китайским литцем из 0.04мм ?

Мое ИМХО - для этих частот - планары , и материал N49 .

[IRFP460]

За подсказку материала спасибо.     литц с минимальной проволокой доступен  пока только 0.071.   Если  опыты  дадут хоть какой-то дельный результат, можно дальше копать и литц взять 0.04.

Планары - давно у  меня ходит эта мысль,   для частот 100 кГЦ  много витков нужно, ну в общем получается дороже чем намотать трансформатор.  Из-за них и возникла мысль повысить частоту.

 

Мое сравнение было исходя из расчетов рабочего транса на выходное напряжение 48 вольт.  9Ватт потерь в сердечнике очень много для меня,  мне необходимо пассивное охлаждение.

[Dimoniz]

39 минут назад, IRFP460 сказал:

За подсказку материала спасибо.   

9Ватт потерь в сердечнике очень много для меня,  мне необходимо пассивное охлаждение.

Вот такой я альтруист ....   Так как Эпкос является законодателем моды ферритов в мире , то  логично придерживаться их классификации - https://en.tdk.eu/tdk-en/529404/products/product-catalog/ferrites-and-accessories/epcos-ferrites-and-accessories/ferrite-materials

Можно воспользоваться табличками переводов аналогов - http://ferrite.rct.ru/mn-zn-ferrite-material-cross-list/

9 действительно много , но для разогрева 44отого до искомых 100град. Ваттов 5-6 точно понадобиться.

А вообще , расчет тепловой кондиции СТ - чисто эмпирическая форма.

[IRFP460]

5-6 ватт наверно достаточно будет.   Судя по тепловым измерения большую роль в нагрев транса вносят потери в обмотках, нежели в сердечнике. Они у меня теплее на 10-15 гр относительно сердечника.

[Manowar]

В 03.01.2017 в 12:01, IRFP460 сказал:

потери в ключах особо не вырастут , при условии использования соответствующих ключей .

тогда  этот "соотвествующий ключ" пользуем  на частоте ниже - даст рост кпд.

вы же не отрицаете потери переключения, что порой соизмеримы со статическими потерями? и, при увлечении частотой, превышают оную "статику".

даже банальные "прикидки на пальцах" дают понять: если процесс переключения включает и потери мощности, то больше переключений за единицу времени - больше потерь.

но это рассмотрели только ключи и только потери переключения( там дальше идут потери управления, мизер, но растёт с частотой), другие детали: диоды-конденсаторы-магнитопроводы, потери в проводниках и диэлектриках: скин-эффект, растут диэлектрические потери изоляции(провода), потери, вызванные необходимостью дополнительно демпфировать выбросы ,  даже банальные потери на излучение. (обьективности ради, могу сказать, что с ростом частоты можно снизить резистивные потери обмоток трансформаторов-дросселей)

...да что опять перечислять, проще сказать:

на ваш "мегагерцовый" блок питания, превышающий диапазон мощности зарядника от телефона и имеющий хороший кпд - нужно всё "соответствующее", включая разводку.  а это деньги и не малые.

 те, кто умеет считать деньги, почему-то, предпочитают мощности в единицы кВт(а то и ниже) до сих пор на десятках кГц преобразовывать...

немного выше лезут в резонансниках , но они больше подходят под фиксированную нагрузку.  

пысы: если ваш бп, при удвоении рабочей частоты заметно увеличил кпд - усматриваю вариант недомотанного трансформатора 

Изменено 8 января, 2017 пользователем Manowar

[IRFP460]

) Пока не попробую не успокоюсь. Я не рассчитываю получить положительный результат. Отрицательный результат тоже результат.

 

Но тем временем   они существуют

http://www.semiconductor-today.com/news_items/2012/NOV/FRAUNHOFERISE_191112.html

 

[герд]

7 часов назад, IRFP460 сказал:

Но тем временем   они существуют

Ещё с прошлого века, посредством многофазности, получали замечательную динамику и надёжность питальников, запараллеливая неограниченное кол-во преобразовательных ячеек или целых питальников. Для этого лишь потребно уметь автоматом выравнивать токи отдельных источников, как в синронном, так и в асинхронном варианте многофазности. При асинхроне есть неприятный момент в виде биений, при близких частотах коммутации, но, как показала практика, они успешно подавляются схемой ОС по напряжению. Тем не менее, синхронизация многофазов всё же предпочтительнее с точки зрения ЭМС.

[Dimoniz]

Вы о чем ? Название темы как бы не рифмуется с вашими мемуарами....

[герд]

Не обращайте внимания и не будьте "затычкой" для каждой "дырки".

Слив ваш засчитан, в теме отметились, как напишите мемуары, можете опубликовать.

Изменено 9 января, 2017 пользователем герд

[Armenn]

Народ, а кто-нибудь такой  MOSFET пробовал?

[Falanger]

@Armenn  , не пробовал , но у меня на работе , полетел такой модуль в частотном (3-ёх фазном) регуляторе.

 

[Armenn]

1 час назад, Falanger сказал:

 ...у меня на работе , полетел ...

 

Тут написано что вещь вообще улетная:

Цитата

Оценки показывают, что использование твердотельных ключей на основе SiC взамен используемых сегодня Si приборов позволит более чем в 100 раз улучшить соотношение между мощностью и быстродействием. Возможность работы SiC приборов при более высоких температурах позволит резко уменьшить габариты систем охлаждения и упростить их конструкцию. Все это позволит снизить массогабаритные показатели импульсных устройств и добиться улучшенных показателей по контролю за их параметрами, а это, в свою очередь, обеспечит создание более компактных схем с повышенными характеристиками по надежности.

 

[Vovk Z]

5 часов назад, Falanger сказал:

@Armenn  , не пробовал , но у меня на работе , полетел такой модуль в частотном (3-ёх фазном) регуляторе.

Ну, значит в цитате - все верно. "позволит", "резко уменьшить", "позволит снизить", "добиться" и т.п. - будущее время. :-)

Как обычно - прямо сейчас - никто ничего не гарантирует :-). 

[Falanger]

Не факт , в моём частотнике транзеля по одной фазе навстречку сработали - "мозги" глюкнули или пыль на оптодрайвере дала о себе знать ... , у меня на работе пыль агрессивная и влажность большая.

Модуль и два драйвера заменил , повторно от души , пролачил плату - китайесцы делают не плохо , но на лаке экономят аж припой корродирует.

 

 

[Manowar]

В 18.01.2017 в 13:56, Armenn сказал:

Тут написано что вещь вообще улетная:

 

только стойкость к перегрузкам(время воздействия, ток) снижается, кристалл мелкий. 

и стоят, во всяк случае сейчас, как ведро "обычных". да и одними ключами не отделаться - диоды соотвествующие тоже денег стоят.

https://www.einfo.ru/store/CMF20120D/

ключик хорош, весьма хорош.  но пока не готов платить 3-5 килорублей за один(!) 24а ключик, за эти деньги могу взять 2-4 полумостовых(сборка 2 ключа) igbt  интеллектуальных модуля на 120-200а 1200в(аля pm150dsa120) и пусть клацают они на своих 20-30кгц.

да и как выше говорил, частота не есть кардинально определяющий фактор габаритов устройства.