Усилитель мощности - Угловой

[Nem0]

Чтобы сразу расставить все точки над "И". Данный усилитель мощности не является чем-то особенным или прорывным, чем-то что ранее никто не делал. Данная публикация создана не с той целью, чтобы преподнести какое-то революционное открытие, а лишь для того, чтобы безвозмездно поделиться с общественностью скромной работой автора, которая кому-то тоже сможет стать полезной. В данной статье представлена очередная схема из учебника, которая сделана автором под определенную задачу - активную акустическую систему с bi-amping'ом, однако это не мешает использовать данную схему для решения любых других задач.

Технические характеристики схем усилителя мощности "Угловой" (получены путем моделирования усилителя в NI Multisim 14):

Допустимый диапазон питающих напряжения = +/- 20 ... 50 В.

При эксплуатации усилителя с нагрузкой сопротивлением 4 Ом, напряжение питания усилителя не должно превышать +/- 38 В, а при эксплуатации усилителя с нагрузкой сопротивлением 8 Ом, допускается увеличить напряжение питания усилителя вплоть до +/- 50 В.

Максимальна выходная мощность (8 Ом, +/- 45 В) = 105 Вт;
Максимальна выходная мощность (4 Ом, +/- 35 В) = 115 Вт.

Скорость нарастания вых. напряжения (с входным фильтром) = 15 В/мкс;

Коэфф. нелинейных искажений (+/- 45 В, 8 Ом, 1 кГц, 0,7 - 50 Вт, ) < 0,005%;

Диапазон воспроизводимых частот (-1 дБ) = 10 - 85 000 Гц;
Диапазон воспроизводимых частот (-3 дБ) = 5 - 160 000 Гц.

Полная и актуальная версия статьи
Автор оставляет за собой право вносить изменения в статью и связанные с нею материалы. Актуальная версия версия статьи находиться по ссылке выше.

Файлы:
Авторская печатная плата - Uglovoy.lay
Альтернативная версия печатной платы без SMD элементов (автор - Андрей Сажин) - L.lay6

[Реклама]

Реклама: ООО ТД Промэлектроника, ИНН: 6659197470, Тел: 8 (800) 1000-321

[Гость]

Полевые транзисторы в дифкаскаде были бы уместнее, КМК.

[Реклама]

20% скидка на весь каталог электронных компонентов в ТМ Электроникс!

Акция "Лето ближе - цены ниже", успей сделать выгодные покупки!

Плюс весь апрель действует скидка 10% по промокоду APREL24 + 15% кэшбэк и бесплатная доставка!

Перейти на страницу акции

Реклама: ООО ТМ ЭЛЕКТРОНИКС, ИНН: 7806548420, info@tmelectronics.ru, +7(812)4094849

[Nem0]

@la5fn Биполярные меня вполне устраивают

[Реклама]

Выбираем схему BMS для корректной работы литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

 Обязательным условием долгой и стабильной работы Li-FePO4-аккумуляторов, в том числе и производства EVE Energy, является применение специализированных BMS-микросхем. Литий-железофосфатные АКБ отличаются такими характеристиками, как высокая многократность циклов заряда-разряда, безопасность, возможность быстрой зарядки, устойчивость к буферному режиму работы и приемлемая стоимость. Но для этих АКБ, также как и для других, очень важен контроль процесса заряда и разряда, а специализированных микросхем для этого вида аккумуляторов не так много. Инженеры КОМПЭЛ подготовили список имеющихся микросхем и возможных решений от разных производителей. Подробнее>>

Реклама: АО КОМПЭЛ, ИНН: 7713005406, ОГРН: 1027700032161

[Гость]

@Nem0 Хорошо. Тогда спрошу так: потенциально, применение в вашем УМ полевых транзисторов на входе улучшит его параметры на ваш взгляд? Объясню почему вопрос. Делал несколько вариантов предварительных усилителей и больше всего понравился (до сих) переделанная немного для ПУ схема корректора у Меньшикова-Касьянова из Радио 12/88.

Субьективно, качество звучания этой схемы превосходит по звучанию оч многое из того что перебирал и на ОУ и в том числе качественные биполяры. Хотя возможно я заблуждаюсь и пристрастен в своих предпочтениях)

[Nem0]

13 минут назад, la5fn сказал:

Тогда спрошу так: потенциально, применение в вашем УМ полевых транзисторов на входе улучшит его параметры на ваш взгляд?

Ничего по этому поводу сказать не могу т.к. никогда не изучал этот вопрос. Все как-то по привычке применяю биполяры и меня это полностью устраивает. 

13 минут назад, la5fn сказал:

Субьективно, качество звучания этой схемы превосходит по звучанию оч многое из того что перебирал и на ОУ и в том числе качественные биполяры. Хотя возможно я заблуждаюсь и пристрастен в своих предпочтениях)

Качество работы схемы зависит не только лишь от типа транзисторов установленных на ее входе. Считаю, что хорошую схему можно сделать на любой элементной базе, если знаешь как. 

[Гость]

@Nem0 Хорошо, спасибо.

 

[Black-мур]

@la5fn в этом усилителе, точнее в его реализации, заложена мина, "смертельная" для повторения начинающими. На предложенных lay.-ках вперемешку обозначения 2SD649/2SD669 и H649/H669. Эти транзисторы в целом близки по характеристиками, но расположение выводов баз и эмиттеров относительно коллектора у них зеркальное  Т.е., у SB/SD в корпусах ТО-126, так же как у BD139/140 база справа от коллектора, а у H-ек(это транзисторы чисто китайского происхождения, известного крупного китайского производителя полупроводниковых приборов Hi-Sincerity Mocroelectronics Corp.) в корпусах ТО126ML - слева. 

При повторении ориентироваться только на распиновку 2SD649/2SD669!

[Данная информация не соответствует действительности. Смотрите ниже подробней. Примечание от Nem0].

[HAKAS]

6 часов назад, Black-мур сказал:

но расположение выводов баз и эмиттеров относительно коллектора у них зеркальное.

Чего это?

Стандарт распиновка ТО-126 - ЭКБ.

 

Все Н-ки, что выпаивал из китайских усилителей, имеют стандарт распиновку.

[Nem0]

6 часов назад, Black-мур сказал:

2SD649/2SD669 и H649/H669. Эти транзисторы в целом близки по характеристиками, но расположение выводов баз и эмиттеров относительно коллектора у них зеркальное.

Данная информация не соответвует действительности. В действительности расположение выводов 2SD649/2SD669 и H649/H669 абсолютно одинаковое (эмиттер - слева, база - справа, коллектор - по центру), что подтверждается информацией из даташита и измерениями реальных транзисторов.

[HAKAS]

У Блэкмура пятница, вечер уже, если кто не понял...

[-Baton-]

3 минуты назад, HAKAS сказал:

пятница, вечер уже

А у нас ещё всё впереди.

[HAKAS]

Да, нам ещё предстоит всё.

Пить надо в меру! А мера у нас большая!

[Гость]

ТО-126

6 часов назад, HAKAS сказал:

Стандарт распиновка ТО-126 - ЭКБ.

Мне право не попадались прямо по @Black-мур , но на форуме (нескажу каком)) встречал восторженные и сильно нецензурные недоумения как раз по поводу распиновки. Т.е непонятно какой кристалл раскорпусировали в ТО-126... Видимо иногда китайцы играют вообще без правил, но это неточно)))

[HAKAS]

Только что, la5fn сказал:

Т.е непонятно какой кристалл раскорпусировали в ТО-126..

ТО-220

Значит, откровенный фэйк.

У оригинальных Н-ек всё норм.

[Гость]

27 минут назад, HAKAS сказал:

Значит, откровенный фэйк

Очевидно так) После той ветки проверяю теперь прям по взрослому)

[Nem0]

18 минут назад, la5fn сказал:

После

Необходимо проверять каждый элемент до его установки на плату - это помогает исключить ту же процедуры, но потом, когда собранное устройство откажется работать и для поиска неисправного элемента их придется выпаивать.

[Гость]

2 часа назад, Nem0 сказал:

но потом

Конешно, да. Просто раньше привык доверять ТХ ограничиваясь лишь мультиметром. Иногда только с полевыми возился подбирая в пары.. Так что согласен, всегда бесячит колхозить уже красиво распаянную плату)

[Black-мур]

2 @Nem0 , и ко всем остальным, извиняюсь за ошибку. Да, я ошибся в своём месседже выше. Ошибка связана с тем, что при проверке полученных H649А/Н669А своим транзистор-тестером Т-1 с цветным дисплеем обратил внимание на то, что у Н669А цветовое обозначение Б и Э зеркальные той, что у Н649А, и меня это даже сразу не озадачило, т.к. c китайскими транзисторами и не такое встречалось; и лишь позже, проверяя транзисторы на следующий день в субботу, обратил внимание на то, что H669A с браком - у всех 5 экземпляров маркировка слегка смазана и нанесена на обратной стороне корпуса. Хотя к измерениям Hfe и Ube никаких замечаний нет - они комплиментарны H649-ым

На прилагаемом фото по блестящим металлическим частям подложки транзисторов и по смещению шва литья корпуса относительно выводов видно, что маркировка на транзисторе слева нанесена на его тыльную сторону. 

 Вчера переписывался с менеджером службы поддержки. Мне предложили открыть спор иж дать решения, либо вместо этих 5 пар H649/669 прислать за счёт площадки, т.е. "бесплатно", 2SB649/2SD669 но с доплатой, т.к. лоты с последними, в том числе и у продавца, у которого я купил H649/669, в основном по 10 пар. Я отказался, т.к. SB/SD у меня уже есть в достаточном количестве, а к транзисторам H649/669 кроме как к ошибочной маркировке претензий нет. К Н.Г, или чуть позже, я ещё получу 20 пар H649/669 от того же продавца, которого я уведомил об ошибочной маркировке транзисторов. И вот  если среди них опять окажется перемаркировка, тогда и открою с ним спор. 

Подводя итог: без тщательной проверки транзисторов полученных с Ali к сборке электронных устройств, и УНЧ в частности, лучше вообще не приступать. 

К @Nem0, Илья прошу прощения за доставленные неприятности. Не со зла получилось, и не из желания опорочить твой "угловой". Просто произошла банальная ошибка, недоразумение.

[amart2]

У них ещё бывает, что h649 это NPN, то есть h669 и наоборот.  Надо всегда проверять.  Производитель HUASHAN [SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD]

Изменено 4 декабря, 2023 пользователем amart2

[amart2]

[Nem0]

Поделюсь заодно фотографиями от других "повторяльщиков" 

Первый повторивший усилитель - Vadim Krohin:

 

Илья Судаков:

 

Малахов Александр: