Помогите Понять Схему Усилителя

[apolon1919]

В этой книге есть такое выражения

Прошу объяснить мне что это за ересь?

что такое h21э

и какаето кривая В ??????????

Что это за выражение?

Ну а зачем тебе примитивная схема усилителя на одном транзисторе ? Делай на tda2003.

Да мне этот усилитель нафиг не нужен вообще! Но я должен это понимать! акже каогда я делал переходник USART-RS232, говорили возьми просто MAX232, но мне надо это самому понимать! И я сделал на транзисторах!

[Реклама]

Реклама: ООО ТД Промэлектроника, ИНН: 6659197470, Тел: 8 (800) 1000-321

[Romanchek82]

h21э - коэффициент усиления по току, в справочнике по транзисторам есть.

А вообще это в гугле есть, забанили?

[Реклама]

20% скидка на весь каталог электронных компонентов в ТМ Электроникс!

Акция "Лето ближе - цены ниже", успей сделать выгодные покупки!

Плюс весь апрель действует скидка 10% по промокоду APREL24 + 15% кэшбэк и бесплатная доставка!

Перейти на страницу акции

Реклама: ООО ТМ ЭЛЕКТРОНИКС, ИНН: 7806548420, info@tmelectronics.ru, +7(812)4094849

[apolon1919]

просто не ясно это! непонятно откуда его брать! выдумывать чтоли

И что такое кривая B ????

[Реклама]

Особенности хранения литиевых аккумуляторов и батареек

Потеря емкости аккумулятора напрямую зависит от условий хранения и эксплуатации. При неправильном хранении даже самый лучший литиевый источник тока с превосходными характеристиками может не оправдать ожиданий. Технология, основанная на рекомендациях таких известных производителей литиевых источников тока, как компании FANSO и EVE Energy, поможет организовать правильный процесс хранения батареек и аккумуляторов. Подробнее>>

Реклама: АО КОМПЭЛ, ИНН: 7713005406, ОГРН: 1027700032161

[Romanchek82]

Да еманарот ёжкин кот! В СПРАВОЧНИКЕ ПО ТРАНЗИСТОРАМ!!!

[Реклама]

Выбираем схему BMS для корректной работы литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

 Обязательным условием долгой и стабильной работы Li-FePO4-аккумуляторов, в том числе и производства EVE Energy, является применение специализированных BMS-микросхем. Литий-железофосфатные АКБ отличаются такими характеристиками, как высокая многократность циклов заряда-разряда, безопасность, возможность быстрой зарядки, устойчивость к буферному режиму работы и приемлемая стоимость. Но для этих АКБ, также как и для других, очень важен контроль процесса заряда и разряда, а специализированных микросхем для этого вида аккумуляторов не так много. Инженеры КОМПЭЛ подготовили список имеющихся микросхем и возможных решений от разных производителей. Подробнее>>

Реклама: АО КОМПЭЛ, ИНН: 7713005406, ОГРН: 1027700032161

[Pont 007]

И я сделал на транзисторах!

Ну сделай

[apolon1919]

Уф, да делал и по лучше! Я понять хочу

[Falconist]

apolon1919, в микроконтроллерах я даже не "самый начинающий", а еще и не начавший. Если придется всё-таки осваивать, то не исключено, что и Вы меня чему-нибудь научите. Но сначала, перед тем как волать на форумах: "Памагице, люди добрыя!!!" прочитаю всю возможную (доступную) литературу и постараюсь разобраться сам. Как делал это все 45 лет прежде.

[apolon1919]

Но я читаю! Это так сложно дается потому что это не где на практике не применить!

[mvkarp]

просто не ясно это! непонятно откуда его брать! выдумывать чтоли

И что такое кривая B ????

Кривая В - это греческая буква бета. Она - синоним параметра h_21Э - коэффициент усиления транзистора по току в схеме с общим эмиттером. Берется этот коэффициент из технических условий на транзистор от производителя. Для любителей - из справочников, из даташитов (datasheet) для иностранного производства.

В них чаще всего приводится диапазон возможных значений. Для предварительных расчетов берется среднее геометрическое значение этого параметра. Иногда следует сразу брать минимальное значение, чтобы схема работала с любыми транзисторами этого типа.

То, что Вы что-то сварганили уже и оно работает, не ставит Вас в ряд опытных. Вы по прежнему - начинающий радиолюбитель. Ибо не знаете пока азов электроники и схемотехники. Пока с этим смиритесь. Упорство поможет Вам достигнуть иных высот.

И, конечно же, изучение литературы, а не крики помощи о том, что описано за каждым углом интернета. Я уверен, что книжку Вы начали читать не с начала. Потому и не знаете, что такое "кривое В" и иные применяемые буквенные обозначения параметров.

Удачи!

[apolon1919]

Я уверен, что книжку Вы начали читать не с начала.

С начала! И там все понятно пока не дошел до транзисторов!

[mvkarp]

Так, неужели нигде раньше не встретилось "кривое В"?

Какую книжку читаете, номер редакции, год издания и страница?

[Falconist]

Если уж объяснять "на пальцах", то см. рисунок.

Транзистор (в самом первом приближении, без учета всяких падений на переходах, коэффициентах усиления и т.п.) можно грубо представить себе, как переменный резистор, движок которого ("база") управляется внешним током. Чем он больше, тем больше "вверх" перемещается движок. В верхнем положении "движка" сопротивление между коллектором и эмиттером максимально (транзистор открыт). В нижнем - минимально (транзистор закрыт). Если номиналы коллекторного (R1) и эмиттерного (R3) резисторов одинаковы, то в открытом состоянии "транзистора", когда его "сопротивление" условно равно нулю, получается делитель из этих двух резисторов. Очевидно, что в таком случае напряжение на "коллекторе" и "эмиттере" равны друг другу и составляют половину напряжения питания. В закрытом состоянии "транзистора" получается делитель уже из трех резисторов, причем средний имеет "сопротивление" на несколько порядков большее, чем два крайних. Соответственно, напряжение на "коллекторе" почти равно потенциалу питания, а на "эмиттере" - потенциалу нулевой (общей) шины. Что и показано на графике в центре.

Такая схема реально применяется в качестве фазоинвертора, когда надо расцепить входной сигнал на два противофазных.

Если номинал коллекторного резистора R1 существенно превышает номинал эмиттерного резистора - в закрытом состоянии "транзистора" потенциалы на "коллекторе" и "эмиттере" будут такими же, как и в случае, описанном выше. Но в открытом состоянии "транзистора" на коллекторе будет уже не 1/2 напряжения питания, а существенно меньше, приближаясь к потенциалу общего провода (график справа). На "эмиттере", соответственно, амплитуда сигнала уменьшится на ту же величину, на которую возрастет амплитуда сигнала на "коллекторе".

В Вашем же случае из поста № 1 ситуация прямо противоположная: в эмиттере стоит сопротивление 180 Ом, а в коллекторе - "спикер", с сопротивлением 4...8 Ом. Всего!!! Следовательно, напряжения на "коллекторе " и "эмиттере" из правого графика поменяются местами.

Что Вы и увидели на "осциллограмме".

Компреме?

[apolon1919]

Вот яркий пример моего не понимания!

Посмотрим.

Ток базы равен 10 / 1000 = 0,01. или 10 мА.

но ток еще идет на коллектор 10 / 20000 = 0.0005 или 0,5 мА

Соответственно на базе должно быть 10 - 0,5 = 9,5 мА

Но в протеусе 9.21 мА Не ясно почему.

Далее, на эмиттере ток Iэ = Iб + Iк.

значит должен быть 9,5+0,5 = 10 мА

но в протеусе 9,21 + 0,5 = 9,71 мА

Теперь такой вопрос,

Почему напряжения база - эмиттер 0,79В?? Откуда оно рассчиталось?

По идеи 0,00921 * 1000 = 9,21В это и должно быть на базе!

Откуда взялось 0,79В ???

[Igel]

Это пядь...

[Falconist]

На базе всегда будет примерно на 0,7 В больше, чем на эмиттере ("стандартное" падение напряжения на р-п переходе база-эмиттер). А поскольку эмиттер сидит на общем проводе...

[apolon1919]

Falconist читаю...

[Сергей Николаевич]

Вот здесь почитай о параметрах транзисторов: book-chapter5-part17.shtml

[apolon1919]

Falconist По твоей схеме я кое что понял!

Малым током я включаю транзистор, а значит сопротивления становится нулевым у транзистора у транзистора! И ток через него протекает, а значит на выходе у коллектора напряжения будет = 0, если транзистор закрыт, то напряжения будет такое как на питании транзистора.

Тут R2 и R4 являются делителем напряжения 1/2 базы Q2, тоесть 5В, если кнопка нажата, то транзистор открывается! и на коллекторе Q2 напряжения будет = 0В и Q1 будет закрыт, а на коллекторе будет 10В. Когда кнопка отпущена, транзистор Q2 закрыт и напряжения на его коллекторе соответственно 10В, а ток 10 / 20000 = 0,5 мА. Который открывает транзистор Q1 и на выходе у него будет 0В ))) Это похоже на усилитель который я хотел. Я правильно понял этот момент?

На базе всегда будет примерно на 0,7 В больше, чем на эмиттере ("стандартное" падение напряжения на р-п переходе база-эмиттер). А поскольку эмиттер сидит на общем проводе...

То и напряжения на нем будет 0В + 0,7В = 0,7В

Теперь остался вопрос с насыщением транзистора.........

[apolon1919]

Ну я хоть правильно понял? Ответте

[mvkarp]

Пока - правильно.

С некоторыми, конечно, нюансами. Позднее, по мере изучения, дойдете и до них.

[Falconist]

...остался вопрос с насыщением транзистора.

"Был ответ на тот вопрос прост"...

Коэффициент усиления - это соотношения коллекторного тока к базовому. Скажем, если он равен 100, то при подаче в базу тока = 1 мА, ток коллектора может достигать 100 мА. НО! при условии, что номинал коллекторного резистора при данном напряжении питания способен такой ток обеспечить. Если взять схему из поста № 38, то через резистор 20 кОм при питании = 10 В ток ни при каких обстоятельствах не может превысить 0,5 мА. Что и показывает измеритель. А вот на 10 Омах получатся те же 100 мА. Но в базу ведь "вливаются" целых 9,21 мА! Т.е., такой базовый ток совершенно избыточен для данной коллекторной нагрузки. Он способен обеспечить коллекторный ток 921 мА (при К_у = 100)! Иными словами, он более, чем на 3 порядка больше, чем нужно.

В такой ситуации транзистор не просто полностью открыт, но и полностью насыщен.

[apolon1919]

Так, теперь понятно, но только в теории. Надо найти подходящий транзистор, даташит, и проверять!

[mvkarp]

Так берите любой транзистор. Желательно не составной (исключительно для изучения). В коллектор включите резистор, чтобы ток коллектора не мог превысить максимально допустимый.

Найдите по справочнику минимальный коэффициент усиления h_21Э (b, h_FE, DC current gain) для этого транзистора. Умножьте сопротивление коллекторного резистора на этот коэффициент. В базовую цепь установите резистор с противлением раза в 3-5 меньша рассчитанного (между базой и питанием, между базой и эмиттером ничего не устанавливайте).

Включайте и измеряйте напряжения на выводах. У Вас должно получиться:

- напряжение база-эмиттер порядка 0,7 вольт;

- напряжение коллектор-эмиттер порядка 0,4 вольт.

Итак, переход база-эмиттер смещен в прямом направлении, переход база-коллектор - также (потенциал базы выше потенциала коллектора). Это и есть работа транзистора в режиме насыщения.

[apolon1919]

Одно НО я не могу найти в даташите на http://alltransistors.com/pdfview.php?doc=bc546b_bc547a-b-c_bc548b-c.pdf&dire=_onsemi какой у него максимальный ток!!!!

BC546BP

У базы максимальный ток 100 мА, это написано! А у коллектора????

[mvkarp]

Первая страница. Таблица "MAXIMUM RATINGS"

Строка 4: "Collector Current − Continuous IC 100 mAdc".