Драйвер для MOSFET транзисторов

[Piotr__1]

@BARS_ Даже не Dpak уже давно, но даже так Алеша опять съехал с доказательств.

[Реклама]

Реклама: ООО ТД Промэлектроника, ИНН: 6659197470, Тел: 8 (800) 1000-321

[Огонёк]

5 часов назад, BARS_ сказал:

Процы то уже давно далеко за 100А откушивают...

Это из-за низкого напряжения питания, надо полагать? Сколько там сейчас на процессоры подают - три вольта, а то и меньше?

[Реклама]

20% скидка на весь каталог электронных компонентов в ТМ Электроникс!

Акция "Лето ближе - цены ниже", успей сделать выгодные покупки!

Плюс весь апрель действует скидка 10% по промокоду APREL24 + 15% кэшбэк и бесплатная доставка!

Перейти на страницу акции

Реклама: ООО ТМ ЭЛЕКТРОНИКС, ИНН: 7806548420, info@tmelectronics.ru, +7(812)4094849

[VIT13]

1 час назад, Огонёк сказал:

три вольта

Около 0,8-1,2 вольта обычно на процессор, и около 0,9 на видеочип. 

[Реклама]

Выбираем схему BMS для корректной работы литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

 Обязательным условием долгой и стабильной работы Li-FePO4-аккумуляторов, в том числе и производства EVE Energy, является применение специализированных BMS-микросхем. Литий-железофосфатные АКБ отличаются такими характеристиками, как высокая многократность циклов заряда-разряда, безопасность, возможность быстрой зарядки, устойчивость к буферному режиму работы и приемлемая стоимость. Но для этих АКБ, также как и для других, очень важен контроль процесса заряда и разряда, а специализированных микросхем для этого вида аккумуляторов не так много. Инженеры КОМПЭЛ подготовили список имеющихся микросхем и возможных решений от разных производителей. Подробнее>>

Реклама: АО КОМПЭЛ, ИНН: 7713005406, ОГРН: 1027700032161

[Bobius]

1 час назад, Огонёк сказал:

три

один

[BARS_]

11 часов назад, Огонёк сказал:

три вольта, а то и меньше?

Оооо, 3 В уже давно не подают. Сейчас все в пределах 1 В работает

Ноутбучный проц, максимум по напряжению - 0,7 В. Конечно, не 100 А жрет, но и проц для мобильной электроники сделан.

[VIT13]

12 минут назад, BARS_ сказал:

Конечно, не 100 А жрет

Да, ноутбучные процы жрут примерно 20 Ампер. 100 Ампер я как и писал жрут "игровые" процы последних поколений, где один только проц уже 200-300 Ватт жрëт, а видеокарта почти киловатт. 

Изменено 27 апреля, 2023 пользователем VIT13

[Огонёк]

Интересно, если современный процессор выполнить по технологии 100 нанометров, например - какого размера он будет? Его же тогда пятью вольтами питать можно будет, а то и выше. Не нужны будут сотни ампер, можно будет без вентиляторов работать. Тишина, красота!

[BARS_]

54 минуты назад, VIT13 сказал:

ноутбучные процы жрут примерно 20 Ампер.

У моего проца тепловыделение 28 Вт и напряжение питания 0,7 В. Даже и не знаю, какими расчетами можно было 20 А получить...

4 минуты назад, Огонёк сказал:

можно будет без вентиляторов работать.

Как правило, чем больше нанометров в техпроцессе, тем сильнее нагрев и ниже производительность...

[Эйлер Леонард]

Доброго времени суток. Дабы не плодить новых тем у меня вопрос как-бы в контексте темы. Необходимо подобрать MOSFET для управления топливными форсунками инжектора бензинового двигателя с помощью ШИМ микроконтроллера.
И вот наткнулся на одном из сайтов "Интеллектуальные ключи для автоэлектроники"
Там кратко описываются "Интеллектуальные силовые ключи с низким RDS(on) и всевозможными защитами"
Интеллектуальные силовые ключи (Intelligent Power Switches — IPS) компании IR в одном корпусе объединяют МОП-ключ семейства HEXFET® с низким RDS(on) и цепи управления и защиты, чем достигается их наибольшая выносливость, эффективность и компактность, требуемые для применения в суровых условиях, характерных для автоэлектроники.©
Это что получается - MOSFET со строенным драйвером... Т.е. в традиционной обвязке нет необходимости, просто кидай лапу с ШИМ от микроконтроллера (0...5) и все дела. НЕ ВЕРЮ!
Задачка у меня пока довольно проста - ШИМ с МК на частоте порядка 100...400 Гц. С заполняемостью 10...90%. Активное сопротивление форсунки в пределах 12...17 Ом. Подаваемое напряжение (через MOSFET) 12...14V.
Вопрос - какой ключик IPS подойдет для одной форсунки и на что необходимо ориентироваться.

[IMXO]

2 минуты назад, Эйлер Леонард сказал:

Это что получается - MOSFET со строенным драйвером... Т.е. в традиционной обвязке нет необходимости, просто кидай лапу с ШИМ от микроконтроллера (0...5) и все дела. НЕ ВЕРЮ!

да, так и эст.

3 минуты назад, Эйлер Леонард сказал:

Вопрос - какой ключик IPS подойдет для одной форсунки и на что необходимо ориентироваться

ни какой... они не для этого.

[Эйлер Леонард]

Однако на сайте такая информация (скрин)

[IMXO]

да есть. но сути это не меняет.

[Эйлер Леонард]

Вот информация с другого сайта Журнал "Новости Электроники", номер 11, 2008 год.  Интеллектуальные ключи International Rectifier  как бы привлекательная штуковина, ну и куда их можно втетерить?

[IMXO]

И? Вы  покажите серийно выпускаемое ЭБУ на этих ключах...
И пока будете такое искать, попутно изучите пачаму на инжекторы ставят мосфеты с напряжением 200+
 

8 минут назад, Эйлер Леонард сказал:

ну и куда их можно втетерить?

фот на своей картинко красной линией инжектора зачеркиваем и получаем куда можно.

[Эйлер Леонард]

В том то и дело, что индуктивность в цепи постоянного тока имеет свою специфику. Эта колючка на графике - выброс ЭДС самоиндукции как раз и может превышать напряжение бортовой сети в несколько раз. (я не электронщик, я только учусь).  По этому на драной козе к этому вопросу не подойти. И все-таки на какие параметры следует ориентироваться при выборе MOSFET для одной форсунки инжектора?

[Vslz]

16 минут назад, Эйлер Леонард сказал:

на какие параметры

Avalanche energy - выброс энергии, единоразово рассеяной на ключе во время ограничения самим ключом, приведенного Вами индуктивного выброса. Прямой ток ключа должен быть с запасом выше тока форсунки. Ну, и лучше всего, когда выброс напряжения просто не достигает уровня стабилитронного пробоя, то есть, мосфет по vdss заведомо имеет запас в несколько раз.

Igbt для катушек зажигания stgb10nb31lz, например, тоже работают с большими выбросами напряжения - поищите их характеристики в даташитах. В них есть встроенное активное ограничение перенапряжения на коллекторе, и защитный стабилитрон на затворе. Они заведомо намного мощнее, чем то, что надо для форсунок

Изменено 27 августа, 2023 пользователем Vslz

[IMXO]

читаем старые темы https://forum.cxem.net/index.php?/topic/148553-посмотрите-схему-моего-стенда-для-промывки-форсунок/#comments

 

[Эйлер Леонард]

Поискал и нашел на одном сайте такую схемку. Пока в узелок сохраню (как бы даже нравится).

[IMXO]

13 минут назад, Эйлер Леонард сказал:

такую схемку

схема имеет место быть , но явно не с 540м и тем более не с 44м, и явно не со стабом на 33в...

[Эйлер Леонард]

Как раз читаю Вашу тему по стенду для промывки форсунок и сразу же начали грызть всякие сомнения...

[Black-мур]

В 24.04.2023 в 06:08, _Po_Ty_Storony_ сказал:

Буду краток - зачем нужны драйвера на мосфеты?

Так же кратко(по-простому) - чтобы быстро включать/выключать их; т.е. максимально быстро заряжать/разряжать ёмкости затвор-исток и затвор- сток. См. графики в pdf.-нике любого силового ключа - там всё подробно разрисовано и расписано  - время заряда, уровень(напряжение) включения и т.д.

ЗЫ. В линейном режиме всё точно так же. Многие считают, что если полевик управляется напряжением, то ток в гейт(затвор) ему не нужен. Это заблуждение. Нужен, и ещё как! 

[Эйлер Леонард]

Итак, с мосфетом для форсунок я определился - FDB14N30.
Серийно выпускаемые и используемые в ЭБУ на инжекторных авто.

Согласно ДШ на мосфет FDB14N30
Напряжение сток-исток 300V (не более), ток 14A.
Сопротивление при открытом затворе 0.29Ω.
Количество заряда необходимое для открытия - Qg, 18 nC (нанокулон) при подаче напряжения на затвор 10V.

Суммарные паразитные емкости.

Входная емкость, Ciss = CGS + CGD.  815pF (typical)
Обратная переходная емкость (емкость Миллера), 17pF (typical)
Выходная емкость, пФ    Coss = CGD + CDS, 150pF (typical)

Время открытия транзистора td(on) Turn-On Delay Time,  20ns (typical) 50ns(max).

Разделим заряд затвора Qg на величину требуемого времени открытия (или закрытия) ключа Tвкл(выкл) — получим средний ток, выходящий из драйвера проходящий через затвор (драйвер ещё необходимо подобрать).

Iср=Qg/Tвкл.

0.9=18/20.

Iср = 0,9А. Это один из параметров для выбора драйвера.

А ещё какие параметры необходимо сопоставить..!

Пока приглядываюсь к счетверенному неинвернирующему TC4468, даже как бы подходит.
Ну а с величиной резистора в цепи затвора - пока не выяснил.

Резистор в цепи затвора или как делать правильно (ссылка с Хабра)