Усилитель Stachki Invertamp Big Ver

[Андрей Андреевич]

Так может в личку или на "мыло" можно скинуть ПП, а то из первого поста первой темы по Стачкам файлы не открываются

[Реклама]

Реклама: ООО ТД Промэлектроника, ИНН: 6659197470, Тел: 8 (800) 1000-321

[hjvf]

из первого поста старой темы все открывается Лейаут6.

[Реклама]

20% скидка на весь каталог электронных компонентов в ТМ Электроникс!

Акция "Лето ближе - цены ниже", успей сделать выгодные покупки!

Плюс весь апрель действует скидка 10% по промокоду APREL24 + 15% кэшбэк и бесплатная доставка!

Перейти на страницу акции

Реклама: ООО ТМ ЭЛЕКТРОНИКС, ИНН: 7806548420, info@tmelectronics.ru, +7(812)4094849

[hjvf]

кстати, замечание по конденсаторам: один известный ростовский паятель Хай-Энд усилителей лепит Самвхну, причем экономией там и не пахнет!!! тулят мелкими 1000-2200мкФ по нескольку фарад набирая....

[Реклама]

Особенности хранения литиевых аккумуляторов и батареек

Потеря емкости аккумулятора напрямую зависит от условий хранения и эксплуатации. При неправильном хранении даже самый лучший литиевый источник тока с превосходными характеристиками может не оправдать ожиданий. Технология, основанная на рекомендациях таких известных производителей литиевых источников тока, как компании FANSO и EVE Energy, поможет организовать правильный процесс хранения батареек и аккумуляторов. Подробнее>>

Реклама: АО КОМПЭЛ, ИНН: 7713005406, ОГРН: 1027700032161

[Jora]

Нет защиты - это плохо. Тем более на такой мощности....

Изменено 11 февраля, 2014 пользователем Jora

[Реклама]

Выбираем схему BMS для корректной работы литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

 Обязательным условием долгой и стабильной работы Li-FePO4-аккумуляторов, в том числе и производства EVE Energy, является применение специализированных BMS-микросхем. Литий-железофосфатные АКБ отличаются такими характеристиками, как высокая многократность циклов заряда-разряда, безопасность, возможность быстрой зарядки, устойчивость к буферному режиму работы и приемлемая стоимость. Но для этих АКБ, также как и для других, очень важен контроль процесса заряда и разряда, а специализированных микросхем для этого вида аккумуляторов не так много. Инженеры КОМПЭЛ подготовили список имеющихся микросхем и возможных решений от разных производителей. Подробнее>>

Реклама: АО КОМПЭЛ, ИНН: 7713005406, ОГРН: 1027700032161

[hjvf]

какой именно защиты? токовой? по мне так определения сопротивление нагрузки вполне хватит. КЗ на средней мощности усилитель переживает нормально.

[Jora]

Токовой..

КЗ на средней мощности усилитель переживает нормально.

Все зависит от многих факторов - говорить так конкретно я бы не стал

[hjvf]

основополагающий фактор - напряжение питания и эмиттерные резики в 0.56Ом!))) но, да, Вы правы, без токовой защиты есть риски в случае КЗ в нагрузке. так как усь не ПРО, то это терпимо.

хотя...уже оба канала испытаны на КЗ при 50В на ВК.

на фото еще не отмытая ПП второго канала.

играет очень хорошо, весомо, с запасом как бы...такое ощущение, как от неспешной езды на мощной машине. думаю непоследнюю роль сыграл и БП на борту.

при обрыве плеча питания постоянки на выходе нет (200-300мВ, ну так это как бы поломка, так что отлично. а в норме у обоих каналов 8-9мВ

[lazertok]

а в норме у обоих каналов 8-9мВ

попробуй ещё с двумя одинаковыми резюками в ДК поиграться (добавляя / убавляя последовательно одинаково в плечах 100 и потом точно десятки Ом - ими можно добиться постоянки в ноль,

т.е. подобрать токи покоя ДК с точностью +/- 0.01/3 мА (но геморно будет)

на сам ток покоя "не обращай внимания", он где-то в приделах от 2-3.5 мА может быть, главное ноль на выходе, а токи станут сами почти равными.

и симметрия плеч и все остальные параметры становятся лучше, в том числе и устойчивость в клипе и повышение придела резкого увеличения сквозного тока по ВК в глубоком клипе.. - без ТЗ, проверять в железе в этом режиме нельзя!!!

Изменено 11 февраля, 2014 пользователем lazertok

[hjvf]

да, но.....конструктивно возможный предел искажений получен, а перепаивать и подбирать резики можно до старости .

я к сожалению скриншот RMAA сделать не могу (когда запускаю программу для скриншотов, то РМАА вылетает), но искажения напрямую 0.0004%, через усь (нагрузка 7.2Ом) не более 0.001%. понятно, что это все не точно, но ниже 0.001% (грубо говоря 0.000%) достигнуты. искажения куска провода под током в разы выше....так что

сейчас отчет по коррекции напишу...

и так, Лис,ВНВ, внутреннюю коррекцию (С4,5) можно убрать, но....я бы 2-5пФ все таки ставил бы.

внешняя (С2,3) 22пФ. на выходе УНа (С10) 33пФ начинается возбуд. мягкий. это хорошо. лечить его лучше всего внешней коррекцией, а С10 - корректировка формы меандра. у меня при 47пФ выброса уже нет

Изменено 11 февраля, 2014 пользователем hjvf

[lazertok]

Напомню о коррекции

[hjvf]

да, согласен на все 100%, но ПП на тот момент уже делались . новая партия (если будет) будет с этой функцией

[Nem0]

я к сожалению скриншот RMAA сделать не могу (когда запускаю программу для скриншотов, то РМАА вылетает)

Есть такая кнопка на клаве PrtScr. Нажимаешь и скрин записывается в буфер, без каких-либо программ. Открываешь любой редактор изображения, жмешь ВСТАВИТЬ и получаешь скрин. Сочетание клавиш Alt+PrtScr делает скрин только активного окна.

[hjvf]

ну молодец, что знаешь. только 1)не всегда оно работает (винда бывает крякнет и функция не работает), 2) у меня планшет и этой кнопки нет

[Nem0]

У меня всегда работает, никогда не подводило.

[lazertok]

DEL

Изменено 11 февраля, 2014 пользователем lazertok

[25602]

и так, Лис,ВНВ, внутреннюю коррекцию (С4,5) можно убрать, но....я бы 2-5пФ все таки ставил бы.

внешняя (С2,3) 22пФ. на выходе УНа (С10) 33пФ начинается возбуд. мягкий. это хорошо. лечить его лучше всего внешней коррекцией, а С10 - корректировка формы меандра. у меня при 47пФ выброса уже нет

Я бы коррекцию попытался бы сделать немного по другому - С2/3 нафиг, С4/5 - 5пФ, верхний по схеме конец С10 оторвал бы от земли и переключил на ИНВ вход. Естественно его (С10) нужно будет подобрать по квадрату.

Изменено 11 февраля, 2014 пользователем 25602

[hjvf]

нет, Иван, все ради С2/3 затевалось! ты не прав хотя...ухи у всех свои)

а С10 я пробовал в точку суммирования оос, и пробовал эмиттерный резик драйвера разбивать на 2 и из середины конденсатор вести....не, все не то)

[lazertok]

все кондюки внутри схемы, кроме параллельной RC в ОС - дают прирост шумов на спектре, но увеличивают устойчивость при клипе, т.е. до клипа Усь и без них устойчив только с RC в ОС, а устойчивость в целом зависит от симетрии плеч, которая достигается настройкой в ноль по входу и выходу схемы Уся.

Это в симе.!!!

Изменено 11 февраля, 2014 пользователем lazertok

[hjvf]

ну это только в симмуляторе. в железе лучше иметь +3дБ к шуму (который и так за -105дБ лежит), чем нюхать транзисторную пластмассу.

и еще, какой шум в Симе у моей схемы?

[25602]

хотя...ухи у всех свои

+1

Тут можно вообще избавиться от коррекции по Миллеру. Вариант №2 - С4/5 долой, С10 делим на два, на глаз 56+20 пФ, 20 пФ на ИНВ вход среднюю точку соединения кондеров через резистор 150 Ом-1кОм на землю. Такой вариант УН это позволяет.

[hjvf]

С4/5 вообще можно не применять. никакой проблемы в этом нет (я писал чуть выше по этому поводу). но я не тов. В.Жук. и мне Миллер под калитку не гадил)) по этому проблемы в С4/5 , да при их номинале (2-5пФ) не вижу. но, тут можно думать.

двухполюсную я пробовал еще на ранних макетах маленькой версии. отказался потому что никакой разницы ни в звуку, ни в параметрах (при нормальном измерительном оборудовании) не обнаружил.

думаю можно будет поиграться с этим в ПРОшнике)))

Спасибо за проявленный интерес!)

[lazertok]

какой шум в Симе у моей схемы?

тут

[25602]

Вариант №3 - отказаться в УН от структуры ОЭ-ОБ, а применить структуру ОК-ОБ. Вот для затравки

Изменено 11 февраля, 2014 пользователем 25602

[hjvf]

ага, извиняюсь, запамятовал.

вообщем, от части я боялся вносить координальные изменения в уже проверенную многократно мною и другими конструкцию. давайте Миллера изгоним и RC присобачим уже в ПРОшнике?) Лазертое, как только Вы по токовой что-то предложите начну трассировку

Вариант №3 - отказаться в УН от структуры ОЭ-ОБ, а применить структуру ОК-ОБ.

экай ты хитрый))давно моделил?))

да, я думал об этом, даже делал несимметричный макет на эту тему с ПТ на выходе. но, все не объять))

Букварев на Веге такую топологию развил до безобразия)) но результаты достойны уважения)

[25602]

давно моделил?

Еще когда первая версия твоего УМ вышла. Просто архив со спайсами под руками.