Jump to content
radio.elektronik

Принцип работы транзистора на основе термоэлектроники.

Recommended Posts

Принцип работы транзистора.

Самый главный вопрос, который содействовал созданию физики полупроводников это «каков принцип работы транзистора, как усилительного электронного прибора?». Создателям транзистора пришлось изобрести теорию, в которой выходной ток транзистора увеличивался при поступлении на базу тока в отрицательной полярности. Ответить на этот вопрос без применения термодинамической теории было просто невозможно. Тогда были изобретены «дырки» - ток электронов в валентной зоне. Подвижность «дырок» научились измерять… И было придумано много такого, благодаря чему сегодня мы должны создавать физику полупроводников с нуля. Зонная теория, правда пока никуда не ушла. Но, судя по тому как она смело обошлась с валентными электронами, наверное следует пересмотреть и её. Квантовая теория к физике полупроводников вообще никакого отношения не имеет. Так, как квантовую теорию разрабатывали в начале прошлого века, когда плохо была разработана термодинамика ( отсутствовала теория теплового заряда ), то сегодня она тоже нуждается в пересмотре, а главное в ограничении действия квантовых условий. Теория квантов применима, там, где атом излучает световую волну. Такое явление возникает в светодиодах и полупроводниковых лазерах. Несмотря на это, термодинамика явлений в этих приборах должна быть изучена.

Существующее сегодня ( в официальной физике ) объяснение работы биполярного транзистора:
Принцип работы биполярного транзистора
http://electroandi.ru/elektronika/printsip-raboty-bipolyarnogo-tranzistora.html

https://ru.wikipedia.org/wiki/Биполярный_транзистор


Итак, главный вопрос - «каков принцип работы транзистора, как усилительного электронного прибора?» - должен изменить физику полупроводников.
У полупроводниковых элементов Пельтье, которые тоже имеют PN-переходы,  энергообмен ( влияние тепла) неплохо изучен.
Элемент Пельтье

https://dic.academic.ru/dic.nsf/ruwiki/418212


Почему же полупроводниковый диод остался без термодинамики (термоэлектроники)?

Сначала изложим правила, по которым происходит энергообмен в PN-переходах.
Правила:

1. Вход энергии в PN-переход. ( Эффект Зеебека )
1.1. Если в PN-переход поступает тепловая энергия в виде эстафетного тока электронов, то она преобразуется в ЭДС на PN-переходе. При этом эстафетный ток преобразуется в инжекционный ток. Инжекционный ток имеет тепловую природу, поэтому не управляется по законам Киргофа.
1.2. Если входящая энергия создала ЭДС, то эта ЭДС создаёт в PN-переходе прямой ток, по величине этот ток определяется Вольт-Амперной характеристикой соответствующего PN-перехода.

2. Выход энергии из PN- перехода. ( Тепловой эффект Пельтье. )
2.1. Если через PN-переход пропускать прямой ток, то на PN-переходе создаётся разность потенциалов ( ЭДС ) согласно Вольт-Амперной характеристики этого перехода. При этом, электроны, проходящие через PN-переход в прямом направлении выделяют тепловую энергию. Процесс выделения тепла определяется сопротивлением Rd.
2.2. Если вблизи нет соседних PN-переходов ( потенциальных барьеров ), то энергия из PN- перехода выходит посредством эстафетных движений (токов) электронов – что соответствует теплопередаче.
Если поблизости от выделяющего энергию PN-перехода находиться другой PN-переход, то он создаёт потенциальную яму – отбирает у эстафеты электрон для заполнения своего скрытого электрического барьера, тем самым превращает эстафетный ток в инжекционный. Как уже говорилось, инжекционный ток имеет тепловую природу и не подчиняется законам Киргофа.

3. Вход энергии в запертый PN-переход. (Холодильный эффект Пельтье.)
3.1. Энергия, входящая в запертый PN-переход способна реализовать электронное управление. При входе энергии в запертый PN-переход, сам PN-переход начинает работать сразу в 2-х режимах.
В нём создаётся ЭДС и протекает прямой ток, сгласно поступившей энергии. (Эффект Зеебека.) Инжекционный ток несёт с собой тепловую энергию. Эта тепловая энергия поглощается в запертом PN-переходе и через переход совместно с прямым током протекает и обратный ток, равный по величине прямому току – это соответствует холодильному эффекту Пельтье. Величина ЭДС устанавливается согласно эмиссионному уравнению для прямого тока PN-перехода, и дополнительно она складывается с разностью потенциалов, создаваемой обратным током.
3.2. Кроме энергии электронного управления, запертый PN-переход перехватывает все возможные другие поступающие энергии. В эти энергии входят следующие:
- энергия световых волн.
- энергия тепла.(Локальное тепло относительно температуры окружающей среды. )
- энергия тепла, возникающая при протекании электрического тока, при конвертировании энергии источника в тепло – это соответствует закону Джоуля-Ленца.
- энергия обратного напряжения. ( Подобное явление – это эффект Эрли.)
Все эти энергии участвуют в процессе управления обратным током.

Схема с общей базой.

Рассмотрим работу транзистора как термодинамического электронного прибора в схеме с Общей Базой.
Работу рассмотрим поэтапно, исследуя во времени 4 момента. Такое рассмотрение удобно для понимания термодинамического принципа работы транзистора. На самом деле – в реальности – транзистор включается в работу мгновенно. Итак, 4 момента во времени.

i-77.jpg

Рис. 1. Момент 1.
Момент 1. Включение цепи. Токи ещё не начались. Здесь на рисунке, транзистор показан в виде 3-х областей NPN, Rвх – входное сопротивление, принадлежащее цепи входного сигнала, Rн – сопротивление нагрузки ( или сопротивление для измерения токов коллектора ), Eб – источник напряжения, представляющий из себя входной сигнал. Eк – батарея цепи коллектора. Полярности включения Eб и Eк отмечены знаками «+» и «-».

i-78.jpg

Рис. 2. Момент 2.
Момент 2. Через переход База-Эмиттер протекает входной ток. В переходе База-Эмиттер возникает выход тепловой энергии в виде эстафетного тока электронов – обозначен сиреневыми двунаправленными стрелками. Эстафетный ток электронов возникает в том случае, если есть градиент температуры и происходит процесс теплопередачи. В данном случае переход База-Эмиттер теплее холодной потенциальной ямы перехода Коллектор-База. Вольтметр В1, подключенный к переходу База-Эмиттер показывает разность потенциалов (ЭДС), согласно Вольт-Амперной характеристики перехода. В PN- переходе База-Эмиттер протекает прямой ток, обозначенный синими стрелками.

i-79.jpg

Рис. 3. Момент 3.
Момент 3. Эстафетный ток достиг потенциальной ямы – перехода База-Коллектор. У перехода База-Коллектор есть скрытый электрический барьер, который отрывает электрон от эстафеты, заряжая тем самым барьер. В результате постоянного отрыва последнего электрона ( достигшего перехода База-Коллектор ), эстафетный ток преобразуется в инжекционный, направленный от перехода База-Эмиттер в сторону перехода База-Коллектор. Инжекционный ток имеет термодинамическую природу.
Скрытый электрический барьер перехода База-Коллектор начинает заряжаться, в переходе База-Коллектор возникает ЭДС ( измеряется вольтметром В2 ). Соответственно этой ЭДС, согласно эмиссионному уравнению перехода База-Коллектор, через переход База-Коллектор протекает прямой ток – на схеме обозначен синими стрелками.

i-80.jpg

Рис. 4. Момент 4.
Момент 4. Электроны инжекционного тока приносят в переход энергию. Через PN-переход База-Коллектор начинает протекать обратный ток, согласно холодильному эффекту Пельтье. Величина обратного тока зависит от полученной энергии от перехода База-Эмиттер. Поэтому ток коллектора Ik не превышает Ib. Энергия, забираемая от перехода База-Эмиттер определяется некоторым резистором Rd.
Вольтметр В2 показывает уже не ЭДС в чистом виде, некую сумму этой ЭДС и разности потенциалов, создаваемой обратным током. ЭДС прямого тока перехода База-Коллектор существует, и ток коллектора Ik без неё был бы невозможен. Усилитель по схеме с общей базой работает! Если к коллектору приложить высокое напряжение (порядка 100 Вольт для кремниевых транзисторов), то это напряжение не попадёт на вывод эмиттера, по той простой причине, что у инжекционного тока природа – термодинамическая. Электроны инжекционного тока движутся в сторону коллектора из-за явления теплопередачи! Высокое напряжение коллектора не может повернуть их назад, так, как контуры тока – входного и выходного - ( по закону Киргофа для электрических цепей ) разорваны.

При изготовлении транзистора, переход База-Коллектор делается более чувствительным к энергии, а значит – более управляемым. Для перехода База-Коллектор параметр TF значительно выше, чем для перехода База-Эмиттер. Например, для транзистора КТ312В для перехода База-Эмиттер TF = 550 Кельвин, для перехода База-Коллектор TF = 843 Кельвин.
Если у батареи Eк поменять полярность и тем самым создать прямой ток в переходе База-Коллектор, то возникает процесс, когда оба перехода транзистора будут выделять тепловую энергию. Согласно термодинамике, эстафетный ток электронов возникнет при различном нагреве этих переходов. Передача энергии при этом будет осуществляться методом уравнивания термического заряда (это принцип теплопередачи), от горячего объекта к более холодному. В данном случае, более горячим объектом окажется коллектор ( TF определяет более тёплый переход, при одинаковых приложенных напряжениях, для КТ 312В: 843К > 550К). Эстафетный ток двинется к эмиттеру и превратиться в инжекционный. После чего к ЭДС эмиттера добавиться разность потенциалов – в результате теплового инжекционного тока несущего энергию от перехода База-Коллектор.
Если увеличивать ток в переходе База-Коллектор, ЭДС в переходе База-Эмиттер будет увеличиваться. Этот процесс будет выглядеть как смещение Вольт-Амперной характеристики перехода База-Эмиттер в сторону более больших напряжений.
Из-за параметров своего эмиссионного уравнения, переход База-Коллектор обладает более смещающим действием на Вольт-Амперную характеристику перехода База-Эмиттер.

Точно также объясняется работа схемы с общей базы транзистора PNP- типа. Для инжекционного тока важно наличие горячего и холодного PN- переходов. А направление его движения определяется разностью их температур.
Не нужны такие фикции как «дырка» и «дырочная проводимость», когда явление электронного управления возможно объяснить с помощью понятия теплопередачи, посредством эстафетных и инжекционных токов, с позиций термодинамики.

Схема с общим эмиттером.


 Так, как тепловой ток (ему соответствует параметр – мощность, или по другому – входной энергетический сигнал) управляет закрытым переходом, то в схеме с общим эмиттером между переходами возникает многократное отражение этого сигнала. Оба перехода играют роль зеркал, а кратность отражения соответствует коэффициенту β. Как известно, β изменяется в зависимости от протекающего тока (эффект Кирка).

Рассмотрим работу схемы с общим эмиттером, применяя метод остановки времени – с помощью временных моментов.
i-81.jpg

Рис. 1. Момент 1.
Момент 1. Включение цепи. Токи ещё не начались. Здесь на рисунке, транзистор показан в виде 3-х областей NPN, Rвх – входное сопротивление, принадлежащее цепи входного сигнала, Rн – сопротивление нагрузки ( или сопротивление для измерения токов коллектора ), Eб – источник напряжения, представляющий из себя входной сигнал. Eк – батарея цепи коллектора. Полярности включения Eб и Eк отмечены знаками «+» и «-».

i-82.jpg

Рис. 2. Момент 2.

Момент 2. Через переход протекает ток входного сигнала. Возникает выход из перехода База-Эмиттер тепловой энергии. Возникает явление теплопередачи посредством эстафетного тока электронов. На рисунке 20 эстафетный ток обозначен двунаправленными стрелками фиолетового цвета. В переходе База-Эмиттер возникает ЭДС, согласно Вольт-Амперной характеристики. Синими стрелками в переходе База-Эмиттер обозначен прямой ток.
О величине Ib и процессе многократных отражений:
Первоначально величина Ib имеет максимальную величину, но с каждым последующим отражением величина этого тока будет уменьшаться… Если на вход входной сигнал подаётся через стабилизатор тока, то с каждым последующим процессом отражения возникает явление смещения входной характеристики в сторону более больших напряжений, что как раз и показывает уменьшение величины Ib.

i-83.jpg

Рис. 3. Момент 3.
Момент 3. Эстафетный ток достиг потенциальной ямы PN-перехода База-Коллектор. Электрон эстафетного тока, достигший перехода База-Коллектор отрывается электрическим барьером этого перехода и идёт на создание ЭДС этого перехода. Из-за этого эстафетный ток преобразуется в инжекционный. Но природа этого тока осталась прежней – это явление теплопередачи. Запертый переход База-Коллектор является холодным ( холодильный эффект Пельтье ), а переход База-Эмиттер является горячим (тепловой эффект Пельтье).
Скрытый электрический барьер перехода База-Коллектор начинает заряжаться. Возникает ЭДС. Соответственно этой ЭДС, согласно Вольт-Амперной характеристике перехода База-Коллектор, через переход База-Коллектор протекает прямой ток – обозначен синими стрелками.

i-84.jpg

Рис. 4. Момент 4.
Момент 4. Первое зеркальное отражение. Закрытый переход База-Эмиттер получает энергию от перехода База-Эмиттер посредством инжекционного тока. Холодильный эффект Пельтье срабатывает и начинает течь ток коллектора Ik. Его можно назвать 1-м зеркальным отражением, потому что, ему предстоит пересечь переход База-Эмиттер в прямом направлении, что вызовет увеличение инжекционного тока – на рисунке 22 это показано как сумма инжекционных токов E1+E2. Следующим шагом будет прибавление к току коллектора ещё одной его порции – второе зеркальное отражение.

Итак, коллекторный ток становиться источником выброса добавочной энергии, выражающейся в инжекционном токе E2. Этот выброс должен далее создать второе зеркальное отражение, то есть прибавку (удвоение ) тока коллектора.

После будет утроение коллекторного тока, после ток возрастёт в 4 раза…
Такой процесс отражений происходит β раз. Казалось бы умножению не будет конца, но существует процесс, ограничивающий β. Это как раз процесс выделения тепла в переходе База-Эмиттер. Процесс выделения тепла определяется резистором Rd, который вносит отрицательную обратную связь для тока База-Эмиттер. Этот процесс сопровождается смещением входной характеристики, и тем самым уменьшением порции входного тока Ib.
Процессы положительной обратной связи (ПОС) и отрицательной обратной связи (ООС) уравновешиваются при β равном 100 – 300 раз.
Кольцо ООС ограничивает количество отражений до β раз.
Если процесс многократных отражений превысит процесс ограничения, то на выходной Вольт-Амперной характеристики транзистора образуется S-образный участок, говорящий о существовании ПОС. Такой режим возникает у германиевых транзисторов при малых токах базы ( 1- 10 мкА), при больших ( порядка 10 Вольт ) коллекторных напряжениях. Такие же процессы, приводящие к образованию S-образной характеристики, происходят при работе динисторов и тиристоров.

Объяснение работы биполярного транзистора дано с учётом термодинамики (термоэлектроники).

Источник:
Принцип работы транзистора
https://my.mail.ru/community/blog.physics/60DED587A8C5F9E0.html
Валерий Багницкий,
07-06-2011

Инжекционного в кавычках. Инжекционный ток - это тепловой ток, посредством электронов.

Share this post


Link to post
Share on other sites

-Что пишешь ?

-Оперу.

-А про меня будет?

Будет, - опер сказал про всех писать.....

"Из сочинений про Василия Ивановича Чапаева"


Что обещано- УЖЕ НЕ ТВОЕ

Share this post


Link to post
Share on other sites

Время – деньги и наноамперы: применение часов реального времени Maxim Integrated

Зачем использовать внешнюю микросхему часов реального времени (RTC), а не внутренние RTC микроконтроллера? Хотя бы потому, что у RTC MAX31342 производства Maxim Integrated типовое потребление составляет 150 нА при 3 В и температуре 25°С, а у встроенных RTC одного из самых малопотребляющих микроконтроллеров при тех же условиях – примерно 370 нА.

Читать статью

Оооо, весенне обострение и сюда добралось. И не лень было эту хрень набирать сидеть?

Share this post


Link to post
Share on other sites
                     

Чип-резисторы Panasonic - технология мягких выводов и сертификация AEC-Q200

Технология мягких выводов чип-резисторов производства компании Panasonic. Обзор серий с оптимизированными параметрами: прецизионных тонкопленочных, токоизмерительных, антисерных, резисторов с повышенной стойкостью к статике и импульсным нагрузкам, резисторных сборок.

Читать статью

Не коммерческие организации и фонды оплатят...

Кто-то же должен мозги людям парить, чтобы дуриков больше было в России...

Share this post


Link to post
Share on other sites
4 минуты назад, TIMIK74 сказал:

Ну прямо аналог кеши с

Я же говорил - в официальной физике много фальсификаций. Одна из фальсификаций - это теория о дырках. Дырок не существует. Есть термо-электричество, которое тупо проигнорировали... Приблизительно в декабре 1947 года.

 

Транзисторная история W.pdf

Share this post


Link to post
Share on other sites

ну вот и напечатайте свои "труды" в научные журналы, зачем сюда писать, тут же бездари сидят ничего не понимающие в школьном курсе физики.

Share this post


Link to post
Share on other sites
10 минут назад, BARS_ сказал:

весенне обострение

Весной напишешь - будет весеннее... зимой - зимнее. А вообще, эта статья написана в июне 2011. (см. источник)

Share this post


Link to post
Share on other sites
2 минуты назад, radio.elektronik сказал:

Дырок не существует

Как так? Они ж у вас в голове. Полно их, судя по бреду. Вы бы к врачу обратились, может зеленку пить пора.

Share this post


Link to post
Share on other sites
1 минуту назад, radio.elektronik сказал:

Весной напишешь - будет весеннее... зимой - зимнее.

Ну это вам и врачам виднее

Share this post


Link to post
Share on other sites
1 минуту назад, TIMIK74 сказал:

ну вот и напечатайте свои "труды" в научные журналы, зачем сюда писать, тут же бездари сидят ничего не понимающие в школьном курсе физики.

Школьный курс не поможет. Слишком много фэйков сегодня в школьном курсе физики. Надо просто думать. Искать ошибки в физике. Двигаться вперёд.

2 минуты назад, BARS_ сказал:

Как так? Они ж у вас в голове. Полно их, судя по бреду. Вы бы к врачу обратились, может зеленку пить пора.

А троллям пора на троллейбусе двигаться  в сторону  РЕН-ТВ.

Share this post


Link to post
Share on other sites

что слабо в нормальный научный журнал? ну вот, а то шнобелевка то уйдет другим..

Share this post


Link to post
Share on other sites
2 минуты назад, radio.elektronik сказал:

двигаться  в сторону  РЕН-ТВ.

Там уже такими "мозгопарами", как вы все занято.

Share this post


Link to post
Share on other sites
5 минут назад, Геннадий сказал:

Вы не на тот форум пришли. Вам бы обратно вернуться...

Кто-то от этого что-то потеряет? Или найдёт?

Потеряет веру в безграничную силу официальной физики...

Share this post


Link to post
Share on other sites
5 минут назад, radio.elektronik сказал:

Двигаться вперёд.

Ну так вперед и с песней. Выходите на научный уровень и рассказывайте это там. Может совершите переворот в физике. Кто ж мешает? А пока вы в инете трындите - эта "теория" остается околонаучным бредом.

Edited by BARS_

Share this post


Link to post
Share on other sites
1 минуту назад, BARS_ сказал:

Там уже такими "мозгопарами", как вы все занято.

Такими ещё нет.

В физике много ошибок. И о некоторых я могу Вам сообщить.   ФТТ - физику твёрдого тела - пора дружно нести на помойку.

Share this post


Link to post
Share on other sites
Только что, radio.elektronik сказал:

В физике много ошибок.

Опять же, что мешает идти и обсуждать это на научных конференциях и писать об этом в научных журналах? Может то, что это чушь?

Share this post


Link to post
Share on other sites
2 минуты назад, radio.elektronik сказал:

Кто-то от этого что-то потеряет? Или найдёт?

Вы... как бы это сказать... "портите воздух" (не в обиду). И если Вы перестанете это делать, думаю, все только приобретут возможность свободно дышать...:) 

Share this post


Link to post
Share on other sites

Вы не понимаете - на этом ресурсе ваших потуг никто не оценит.


"Я не знаю какой там коэффициент, я просто паять умею. "

Share this post


Link to post
Share on other sites
5 минут назад, BARS_ сказал:

Выходите на научный уровень

Кто нам мешает обсуждать? Другого уровня нет, кроме этого.

2 минуты назад, Геннадий сказал:

если Вы перестанете это делать, думаю, все только приобретут возможность свободно дышать

Дышите. Без проблем. На форуме спорят. А если Вы спор называете плохим делом - идите погуляйте на свежем воздухе.

Share this post


Link to post
Share on other sites
Только что, radio.elektronik сказал:

Кто нам мешает обсуждать?

Отсутствие необходимых знаний и желанеи читать эту хрень?

 

2 минуты назад, radio.elektronik сказал:

Другого уровня нет

Тогда это уже точно диагноз. Ваш уровень рен-тв, не более. А выйти на уровень ученых у вас кишка тонка. Да и увезут вас сразу оттуда в рубашке с длинными такими рукавами.:crazy:

Share this post


Link to post
Share on other sites

Join the conversation

You can post now and register later. If you have an account, sign in now to post with your account.
Note: Your post will require moderator approval before it will be visible.

Guest
Reply to this topic...

×   Pasted as rich text.   Restore formatting

  Only 75 emoji are allowed.

×   Your link has been automatically embedded.   Display as a link instead

×   Your previous content has been restored.   Clear editor

×   You cannot paste images directly. Upload or insert images from URL.

Loading...

  • Сообщения

    • Так от чего же тогда ваши ревизоры антимагнитные пломбы клеят? если производители все предусмотрели!
    • благодарю за помощь! именно так и заработало всё: 1-4 и 2-3, а 5 общий. на всякий случай протестировал и зеркальный вариант, там одна пара без изменения сопротивления (10к) а вторая 0 и 20к в крайних положениях.
    • Догадки есть, подождём знающих людей.
    • Помогите опознать радио-деталь на фото? Стоит около питания на IP камере, подали на камеру вместо 12V, 24 и аж по полом треснула эта деталь. 
    • Guest Arhangel
      Вроде нашол всем спасибо, =)) перепаяю расскажу =)) будем надеяться только в нем проблема.  PU9 - RT8065ZQW
    • Когда я ваял подсветку для микшерного пульта, то "щупал" подобные резисторы, как описал @sanya110 . Цоколевка у них хитрая: Но такая, как я показал, относится к резисторам из регуляторов громкости наушников. А у резисторов из передних планок CD-ROMов (которые с выходом на наушники) она зеркальная. Так что на весу или не на весу, но прозвонить всё равно придется.
    • Еще раз всем спасибо за советы. В итоге купил трансформатор "ТрансЛед ТП-135-3". Цена вопроса в Туле- 540 рублей. Правда чуть больше оригинала, так что в колонку не влез. Установил в корпус от старого блока питания, на колонки- разъем. По ходу пьесы на плате обнаружил останки конденсатора- полностью аналогично ситуации в данной теме (стр.40) у Teplotexnik. Там же нашел ответ по его номиналу. Все спаял. Полет нормальный. Звук чистый, ни хрипа, ни фона. Внутренняя жаба, квакнув напоследок на стоимость запчастей, успокоилась.
  • Similar Content

    • By Aura_
      Пишу реферат на тему "Бумажные транзисторы". К сожалению, в интернете очень мало информации, и она вся очень поверхностная. Хотелось бы подробнее узнать о работе таких транзисторов, проблемах производства, плюсах и минусах.
      Поэтому хочу попросить поделиться материалами на эту тему: авторы статей, учебные пособия, любые источники, где затрагивается эта тема.
      Надеюсь на вашу помощь.
    • By Leonid Play
      Здравствуйте. У меня есть хобби Стряпаяю зарядки для акб (схемка ниже) и раздаю друзьям. Сделал 6 штук. Проблема в том, что я очень слабо разбираюсь в электронике. Тупо мотаю вторичка с телевизионных трансфера и паяю по схеме найденный в закромах хлам. КТ827А приходится покупать. Тут обнаружил у себя десяток КТ808БМ. Кажется они стояли в СССРовских усилках. Так вот можно ли их использовать в место КТ827А, не сильно меняя эту схему - уж очень она по моим  знаниям подходит. Заранее благодарю всех кто поможет.

      https://www.komitart.ru/87-zaryadnoe-ustroystvo-dlya-avtomobilnogo-akkumulyatora-svoimi-rukami.html
    • Guest Аноним
      By Guest Аноним
      Собрал ЛБП по этой схеме, но без конденсатора C2. Очень сильно греется T2(КТ805АМ), чуть не пробило за секунд 10 работы. Подскажите, в чём дело и как исправить.
    • By Александр Барищук
      Для начала стоит отметить несколько вещей: я не электронщик ни разу. Пожалуйста, не нужно меня корить, что я не понимаю элементарных вещей и так далее. В университете нужно сделать работу совершенно не по моей специальности. Я понимаю как и что, но только в очень общих чертах, поэтому и пишу сюда.
      Программная среда - Micro-Cap 12.2.0.3
      Имеется биполярный p-n-p транзистор BD169. Нужно найти рабочую точку по заданным параметрам, а именно: ток коллектора: 380 мА, напряжение коллектор-эмиттер: 9 В. Как построить выходную ВАХ данного транзистора? Я нашел схему в интернете (см. картинку), по которой строиться выходная ВАХ, и вроде бы все хорошо, НО как определить параметры источника тока и источника напряжения? Я прекрасно понимаю, что вопрос ОЧЕНЬ глупый, но, пожалуйста, проявите терпение. 

×
×
  • Create New...