Оффтоп

[Viktor126]

Мощные транзисторы подбирать в пары такими приборами, себя не уважать. Слишком маленькие токи коллектора, микроамперы - единицы миллиампер. Говорить о нормальности в таких режимах...

[Реклама]

Реклама: ООО ТД Промэлектроника, ИНН: 6659197470, Тел: 8 (800) 1000-321

[Nem0]

Мощные транзисторы нужно подбирать при токе 1-5А и возможно даже больше. Осуществлять подбор мощных транзисторов при токе коллектора 2мА - это просто смешно. 

[Реклама]

20% скидка на весь каталог электронных компонентов в ТМ Электроникс!

Акция "Лето ближе - цены ниже", успей сделать выгодные покупки!

Плюс весь апрель действует скидка 10% по промокоду APREL24 + 15% кэшбэк и бесплатная доставка!

Перейти на страницу акции

Реклама: ООО ТМ ЭЛЕКТРОНИКС, ИНН: 7806548420, info@tmelectronics.ru, +7(812)4094849

[Viktor126]

5 А и более - это уже излишество, КМК. В реальных УНЧ при таком токе  большинство выходников будут за гранью ОБР, или  на грани ее же.

Изменено 25 августа, 2018 пользователем Viktor126

[Реклама]

Выбираем схему BMS для корректной работы литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

 Обязательным условием долгой и стабильной работы Li-FePO4-аккумуляторов, в том числе и производства EVE Energy, является применение специализированных BMS-микросхем. Литий-железофосфатные АКБ отличаются такими характеристиками, как высокая многократность циклов заряда-разряда, безопасность, возможность быстрой зарядки, устойчивость к буферному режиму работы и приемлемая стоимость. Но для этих АКБ, также как и для других, очень важен контроль процесса заряда и разряда, а специализированных микросхем для этого вида аккумуляторов не так много. Инженеры КОМПЭЛ подготовили список имеющихся микросхем и возможных решений от разных производителей. Подробнее>>

Реклама: АО КОМПЭЛ, ИНН: 7713005406, ОГРН: 1027700032161

[Александр2]

Согласен. Я даю в базу один миллиампер и получаю усиление в чистом виде. Малосигнальная зона.

[Viktor126]

У меня режимы: ток базы 1, 10, 30 мА, строю кривую из полученного тока коллектора... и  вперед. Напряжение коллектор-эмиттер при измерении 12 В. Ток коллектора ограничен 4 А, чтобы избежать возможных фейерверкоффф.

Изменено 25 августа, 2018 пользователем Viktor126

[lus]

Ну так а чем черевато если я просто жменю возьму и не выбирая не подбирая буду использовать в пары?

[Viktor126]

Транзисторы с большим коэффициентом усиления будут частенько выходить из строя, так как на них будет наибольшая нагрузка, не считая увеличения КНИ из-за не подбора.

[lus]

Хорошо. А если в один канал я подберу тр-ры с большим КУ а в другой с меньшим. Разница в звучании каналов левый-правый будет существенна?

[Viktor126]

Нет, разницы не дОлжно быть. Здесь усиление зависит от ОООС.

[lus]

Понятно что одинаковых не подобрать если транзисторы разных партий. Но какой разброс по hfe от транзистора к транзистору считать допустимым? На сколько могут отличаться друг от друга? 5%  10%  20%? Ведь порой разброс и 200% от экземпляра к экземпляру может быть.

[Viktor126]

Желательно уложиться в 2%, в крайнем случае допустимо 5%, если транзисторов на выходе 1 пара.

Позвольте спросить, а почему у Вас портрет хомяка под надписью ящер? Несоответствие. Или хомяка зовут ящер?

Изменено 27 августа, 2018 пользователем Viktor126

[lus]

Я  в ЛС отвечу. Хорошо?

[Viktor126]

Конечно. Надеюсь, без матов.

[Александр2]

8 часов назад, lus сказал:

Ну так а чем черевато если я просто жменю возьму и не выбирая не подбирая буду использовать в пары?

На заводах так и делают. Схема должна перекрывать весь диапазон допусков. В малосигнальной зоне будет работать один транзистор, а при увеличении нагрузки за счет падения на эмиттерных резисторах будут подключаться остальные. Только один немецкий усилитель встречал с подобранными транзисторами, но там стояли латералы 6 шт тупо впараллель без сякого выравнивания токов, только за счет обратной характеристики полевиков.

7 часов назад, lus сказал:

Но какой разброс по hfe от транзистора к транзистору считать допустимым?

Я подбираю по максимальной возможности. Не выбрасывать же новые исправные транзисторы.

[Viktor126]

Заводы-изготовители ставят в УСи транзисторы не подбирая их по параметрам индивидуально. Они заказывают транзисторы партиями с близкими параметрами. Даже в автомобильных усилителях, поступивших мне в ремонт, разброс по бете не более 5%. Специально замерял.

[lus]

Правильно ли я понимаю, что при явной неодинаковости параметров тр-ров лучше применить не общепринятые 0.22 Ом эмитерные транзисторы, а пусть 0.47 Ом. Что бы хоть это как-то нивелировало немного неодинаковость.

[next sound]

13 часа назад, Viktor126 сказал:

Транзисторы с большим коэффициентом усиления будут частенько выходить из строя, так как на них будет наибольшая нагрузка, не считая увеличения КНИ

о как интересно, хотелось бы поподробнее - про то как в схемах с ООС транзисторы с бОльшим коэффициентом усиления - чаще выходят из строя.

[Viktor126]

В большинстве УНЧ бюджетного сегмента выходные транзисторы используются в режимах, выходящих за ОБР, при токах, когда у выходников существенно уменьшается коэффициент усиления. ООС в этом случае просто перестает работать.

Изменено 28 августа, 2018 пользователем Viktor126

[finn32]

23 минуты назад, Viktor126 сказал:

ООС в этом случае просто перестает работать

Каков механизм прекращения работы ООС со снижением беты? Что-то не прослеживаю корреляции.

[Александр2]

30 минут назад, Viktor126 сказал:

В большинстве УНЧ бюджетного сегмента выходные транзисторы используются в режимах, выходящих за ОБР, при токах, когда у выходников существенно уменьшается коэффициент усиления...

Уменьшается у того транзистора, у которого большее усиление и который взял на себя больше тока.

8 минут назад, finn32 сказал:

Каков механизм прекращения работы ООС со снижением беты?

Тока базы на пиках перестает хватать и транзистор уходит в насыщение разрывая ООС. 

[Viktor126]

39 минут назад, finn32 сказал:

Каков механизм прекращения работы ООС со снижением беты? Что-то не прослеживаю корреляции.

Я и сам ее не очень-то прослеживаю. Так объясняли умные дядьки, когда я был еще начинающим усилителепостроителем.

32 минуты назад, Александр2 сказал:

 

Тока базы на пиках перестает хватать и транзистор уходит в насыщение разрывая ООС. 

Что-то типа этого. Связано с насыщением транзисторов.

2 часа назад, lus сказал:

Правильно ли я понимаю, что при явной неодинаковости параметров тр-ров лучше применить не общепринятые 0.22 Ом эмитерные транзисторы, а пусть 0.47 Ом. 

В общем, да.

Изменено 28 августа, 2018 пользователем Viktor126

[finn32]

1 час назад, Александр2 сказал:

Тока базы на пиках перестает хватать и транзистор уходит в насыщение разрывая ООС

Тут что-то явное не то. Для насыщения транзистора ток базы должен увеличиваться.

Насыщение имеет место тогда, когда соотношение тока коллектора к току базы меньше пятой части беты транзистора.

IC/IB < hFE/5.

Т.е, чем меньше ток базы и меньше бета, тем дальше транзистор от насыщения.

Да и в принципе, как тока базы выходника может не хватать, если драйвера дают его с избытком...

Изменено 28 августа, 2018 пользователем finn32

[Viktor126]

У меня немножко не хватает образования, чтобы лезть в глубинные электрические, физические и химические свойства транзисторов. Мой товарищ и наставник, хорошо разбиравшийся в этих делах, давно уже на том свете, светлая ему память. Тут похоже, ООС старается вытянуть из транзистора нужные рабочие токи, транзистор с меньшей бетой работает в нормальном режиме, а парный ему, с большой бетой, входит в насыщение, разрывая ООС. Возможно, что из этих соображений П. Зуев делал свой УМЗЧ с многопетлевой ООС.

Изменено 28 августа, 2018 пользователем Viktor126

[Александр2]

37 минут назад, finn32 сказал:

Тут что-то явное не то.

Согласен. Это общий случай, когда разрывается ООС. Низкая бэтта одного из транзисторов не может стать причиной разрыва ООС. 

[finn32]

ООС рвется в клиппе (как раз тут транзистор насыщается), т.е. тогда, когда рост тока базы уже не приводит к росту тока коллектора из-за ограничения напряжения питания. Причем происходит оно попеременно в каждом плече, т.к каскад двухтактный. Вот тут можно сказать о том, что транзисторы с большей бетой насыщаются быстрее и берут на себя наихудший тепловой режим. Я так это вижу.