Перейти к содержанию

Оффтоп


Рекомендуемые сообщения

Мощные транзисторы подбирать в пары такими приборами, себя не уважать. Слишком маленькие токи коллектора, микроамперы - единицы миллиампер. Говорить о нормальности в таких режимах...

Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

Реклама: ООО ТД Промэлектроника, ИНН: 6659197470, Тел: 8 (800) 1000-321

Мощные транзисторы нужно подбирать при токе 1-5А и возможно даже больше. Осуществлять подбор мощных транзисторов при токе коллектора 2мА - это просто смешно. 

Илья
Сообщество в ВК - https://vk.com/nem0_audio | Канал Дзен - https://dzen.ru/nem0_audio

 

Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

20% скидка на весь каталог электронных компонентов в ТМ Электроникс!

Акция "Лето ближе - цены ниже", успей сделать выгодные покупки!

Плюс весь апрель действует скидка 10% по промокоду APREL24 + 15% кэшбэк и бесплатная доставка!

Перейти на страницу акции

Реклама: ООО ТМ ЭЛЕКТРОНИКС, ИНН: 7806548420, info@tmelectronics.ru, +7(812)4094849

5 А и более - это уже излишество, КМК. В реальных УНЧ при таком токе  большинство выходников будут за гранью ОБР, или  на грани ее же.

Изменено пользователем Viktor126
Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

Hongfa для различных применений в Компэл. Большой выбор в наличии!

Компания HONGFA - это не только крупнейший в мире производитель электромеханических реле, но также производитель конденсаторов, вакуумных прерывателей, трансформаторов и низковольтного коммутационного оборудования. На складе КОМПЭЛ регулярно поддерживаются около 100 самых популярных позиций электромеханических реле. Реле Hongfa могут заместить многие изделия производства недоступных брендов. Подробнее>>

Реклама: АО КОМПЭЛ, ИНН: 7713005406, ОГРН: 1027700032161

Тренды и лучшие решения для разработки зарядных станций в России

К 2029 году в России прогнозируется увеличение числа зарядных станций до 40 000. При этом отечественный рынок электротранспорта имеет климатические, потребительские и географические особенности. Для успешной разработки и построения инфраструктуры станций заряда в России идеальным вариантом является использование решений и электронных компонентов китайских производителей – лидеров индустрии электротранспорта и возобновляемой энергетики, которые уже представлены в КОМПЭЛ. Подробнее>>

Реклама: АО КОМПЭЛ, ИНН: 7713005406, ОГРН: 1027700032161

У меня режимы: ток базы 1, 10, 30 мА, строю кривую из полученного тока коллектора... и  вперед. Напряжение коллектор-эмиттер при измерении 12 В. Ток коллектора ограничен 4 А, чтобы избежать возможных фейерверкоффф.

Изменено пользователем Viktor126
Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

Секреты депассивации литиевых батареек FANSO EVE Energy

Самыми лучшими параметрами по энергоемкости, сроку хранения, температурному диапазону и номинальному напряжению обладают батарейки литий-тионилхлоридной электрохимической системы. Но при длительном хранении происходит процесс пассивации. Разберем в чем плюсы и минусы, как можно ее избежать или уменьшить последствия и как проводить депассивацию батареек на примере продукции и рекомендаций компании FANSO EVE Energy. Подробнее>>

Реклама: АО КОМПЭЛ, ИНН: 7713005406, ОГРН: 1027700032161

Транзисторы с большим коэффициентом усиления будут частенько выходить из строя, так как на них будет наибольшая нагрузка, не считая увеличения КНИ из-за не подбора.

Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

Хорошо. А если в один канал я подберу тр-ры с большим КУ а в другой с меньшим. Разница в звучании каналов левый-правый будет существенна?

Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

Понятно что одинаковых не подобрать если транзисторы разных партий. Но какой разброс по hfe от транзистора к транзистору считать допустимым? На сколько могут отличаться друг от друга? 5%  10%  20%? Ведь порой разброс и 200% от экземпляра к экземпляру может быть.

Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

Желательно уложиться в 2%, в крайнем случае допустимо 5%, если транзисторов на выходе 1 пара.

Позвольте спросить, а почему у Вас портрет хомяка под надписью ящер? Несоответствие. Или хомяка зовут ящер?

Изменено пользователем Viktor126
Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

8 часов назад, lus сказал:

Ну так а чем черевато если я просто жменю возьму и не выбирая не подбирая буду использовать в пары?

На заводах так и делают. Схема должна перекрывать весь диапазон допусков. В малосигнальной зоне будет работать один транзистор, а при увеличении нагрузки за счет падения на эмиттерных резисторах будут подключаться остальные. Только один немецкий усилитель встречал с подобранными транзисторами, но там стояли латералы 6 шт тупо впараллель без сякого выравнивания токов, только за счет обратной характеристики полевиков.

7 часов назад, lus сказал:

Но какой разброс по hfe от транзистора к транзистору считать допустимым?

Я подбираю по максимальной возможности. Не выбрасывать же новые исправные транзисторы.

Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

Заводы-изготовители ставят в УСи транзисторы не подбирая их по параметрам индивидуально. Они заказывают транзисторы партиями с близкими параметрами. Даже в автомобильных усилителях, поступивших мне в ремонт, разброс по бете не более 5%. Специально замерял.

Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

Правильно ли я понимаю, что при явной неодинаковости параметров тр-ров лучше применить не общепринятые 0.22 Ом эмитерные транзисторы, а пусть 0.47 Ом. Что бы хоть это как-то нивелировало немного неодинаковость.

Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

13 часа назад, Viktor126 сказал:

Транзисторы с большим коэффициентом усиления будут частенько выходить из строя, так как на них будет наибольшая нагрузка, не считая увеличения КНИ

о как интересно, хотелось бы поподробнее - про то как в схемах с ООС транзисторы с бОльшим коэффициентом усиления - чаще выходят из строя.

Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

В большинстве УНЧ бюджетного сегмента выходные транзисторы используются в режимах, выходящих за ОБР, при токах, когда у выходников существенно уменьшается коэффициент усиления. ООС в этом случае просто перестает работать.

Изменено пользователем Viktor126
Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

23 минуты назад, Viktor126 сказал:

ООС в этом случае просто перестает работать

Каков механизм прекращения работы ООС со снижением беты? Что-то не прослеживаю корреляции.

Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

30 минут назад, Viktor126 сказал:

В большинстве УНЧ бюджетного сегмента выходные транзисторы используются в режимах, выходящих за ОБР, при токах, когда у выходников существенно уменьшается коэффициент усиления...

Уменьшается у того транзистора, у которого большее усиление и который взял на себя больше тока.

8 минут назад, finn32 сказал:

Каков механизм прекращения работы ООС со снижением беты?

Тока базы на пиках перестает хватать и транзистор уходит в насыщение разрывая ООС. 

Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

39 минут назад, finn32 сказал:

Каков механизм прекращения работы ООС со снижением беты? Что-то не прослеживаю корреляции.

Я и сам ее не очень-то прослеживаю. Так объясняли умные дядьки, когда я был еще начинающим усилителепостроителем.:)

32 минуты назад, Александр2 сказал:

 

Тока базы на пиках перестает хватать и транзистор уходит в насыщение разрывая ООС. 

Что-то типа этого. Связано с насыщением транзисторов.

2 часа назад, lus сказал:

Правильно ли я понимаю, что при явной неодинаковости параметров тр-ров лучше применить не общепринятые 0.22 Ом эмитерные транзисторы, а пусть 0.47 Ом. 

В общем, да.

Изменено пользователем Viktor126
Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

1 час назад, Александр2 сказал:

Тока базы на пиках перестает хватать и транзистор уходит в насыщение разрывая ООС

Тут что-то явное не то. Для насыщения транзистора ток базы должен увеличиваться.

Насыщение имеет место тогда, когда соотношение тока коллектора к току базы меньше пятой части беты транзистора.

IC/IB < hFE/5.

Т.е, чем меньше ток базы и меньше бета, тем дальше транзистор от насыщения.

Да и в принципе, как тока базы выходника может не хватать, если драйвера дают его с избытком...

Изменено пользователем finn32
Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

У меня немножко не хватает:) образования, чтобы лезть в глубинные электрические, физические и химические свойства транзисторов. Мой товарищ и наставник, хорошо разбиравшийся в этих делах, давно уже на том свете, светлая ему память. Тут похоже, ООС старается вытянуть из транзистора нужные рабочие токи, транзистор с меньшей бетой работает в нормальном режиме, а парный ему, с большой бетой, входит в насыщение, разрывая ООС. Возможно, что из этих соображений П. Зуев делал свой УМЗЧ с многопетлевой ООС.

Изменено пользователем Viktor126
Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

37 минут назад, finn32 сказал:

Тут что-то явное не то.

Согласен. Это общий случай, когда разрывается ООС. Низкая бэтта одного из транзисторов не может стать причиной разрыва ООС. 

Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

ООС рвется в клиппе (как раз тут транзистор насыщается), т.е. тогда, когда рост тока базы уже не приводит к росту тока коллектора из-за ограничения напряжения питания. Причем происходит оно попеременно в каждом плече, т.к каскад двухтактный. Вот тут можно сказать о том, что транзисторы с большей бетой насыщаются быстрее и берут на себя наихудший тепловой режим. Я так это вижу. 

Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

Присоединяйтесь к обсуждению

Вы можете написать сейчас и зарегистрироваться позже. Если у вас есть аккаунт, авторизуйтесь, чтобы опубликовать от имени своего аккаунта.
Примечание: Ваш пост будет проверен модератором, прежде чем станет видимым.

Гость
Unfortunately, your content contains terms that we do not allow. Please edit your content to remove the highlighted words below.
Ответить в этой теме...

×   Вставлено с форматированием.   Восстановить форматирование

  Разрешено использовать не более 75 эмодзи.

×   Ваша ссылка была автоматически встроена.   Отображать как обычную ссылку

×   Ваш предыдущий контент был восстановлен.   Очистить редактор

×   Вы не можете вставлять изображения напрямую. Загружайте или вставляйте изображения по ссылке.

Загрузка...
  • Последние посетители   1 пользователь онлайн


  • Сообщения

    • Название микры написано в заголовке. 8051 - совместимый универсальный МК.  На этом наши полномочия - всё.
    • @Boris U, у тебя что ли такие же "колонки" на 10ГДГДШ-1-4? При Qts 0,8 и выше ФИ подобным динамикам противопоказан. Банально потому, что рано или поздно от их ППУ-подвесов останутся одни лохмотья и дыры. Не зря же их на заводе ставили в различной формы ЗЯ.  В середине 80-ых я пытался повторить проект акустической системы высокой верности А. Голунчикова. Полгода с упорством носорога пыхтел над динамиками и собирал одну, а потом как только не пытался настроить её, так чтобы, как описано в статье журнала Радио'10, 83г, чтобы работал а "в полку" не смог добиться желаемого результата. И только когда измерил АЧХ тех своих 10ГД-36К и прикинул какова их добротность, понял, что все мои попытки тщетны, и почти готовый корпус пошёл на дрова, а для 10ГД36К вылепил из папье маше пару шаров объёмом около 8 литров. Для тех динамиков такое решение было оптимальным. 
    • Не буду спорить. Для меня это скорее "дело тёмное и непонятное". Вот до сих пор для меня загадка, считать ли внутренний объём этого резонатора частью внутреннего объёма колонки? Ведь начиная со своего входного сечения он же уже резонатор. Если это четвертьволновый разомкнутый на конце резонатор, то по определению его входное сопротивление на резонансной частоте близко к нулю (КЗ), и значит для динамика никак не может являться объёмом (нагрузкой)... А вот в таких конструкциях мучаюсь вопросом, как считать вот этот объём и его форму. Почему это - не резонатор, если у него, причём на довольно высокой частоте, есть прилично выраженный резонанс? Так что просто читаю с интересом и иногда задаю глупые вопросы.
    • Лучше поздно, чем некогда. Нашел время отыскать схемку аткель можно взять ограничение тока с синхрона. Сам же преобразователь будет представлять собой две синхронные понижайки на драйверах 2104, 2184 работающие в противофазе от двухтактного контроллера. Меньше пульсации с двух дросселей и четырех транзисторов от материнок, они лучше под синхрон заточены в плане быстроты бодидиодов.  Проще 494. На один операционник подать ОСН с выхода, на второй с интегратора измеряющего через диоды напряжение открытого нижнего ключа. На словах для понимания описание принципа в несколько измененном варианте. При открывании ключа управляющее напряжение на его затвор через резистор заряжает конденсатор интегратора, а через диод со стока разряжает пропорционально току через ключ с поправкой на его температуру. Через второй диод и резистор во втором такте. Напряжение с интегратора сравниваем с предустановкой тока. Вообщем кто захочет разберется. Практически вся инфа есть в теме по ссылке и ссылках в ней. Удачи!  
    • Если не знаешь так бы и сказал, зачем попросту тратить время
    • Представьте себе: есть на свете люди, которые не таскают с собой по квартире смартфон, даже в сортир. А некоторые вообще его не имеют. Но картошку варить надо. Ну а кто имеет, уж наверняка и так знает о базовом наборе приложений. Тут смысл-то не столько в результате, сколько в процессе. И утилизации старого электронного хлама, который выкинуть жалко.
    • Таких конструкций для дома полно.  К примеру, одна из нихhttps://dzen.ru/a/YFDASmyGHwEHmLbD @Lexter , можешь сам набрать в поисковой строке что-то типа " четвертьволновой резонатор на ШП-динамике" и посмотреть по высветившимся линкам в "тыдубе" сколько каких "Труб войта" и различных TQWP строит народ для своих скромных и не совсем скромных жилищ. Вопрос в другом. Сможет ли @ShukhratM верно рассчитать такой корпус для своих 10ГДШ-1-4, правильно изготовить его/их, и понравится ли ему звучание этих 1,4-волновиков, т.к. в полосе примерно  70Гц - 150-120 с учётом их добротности будет явный подъём АЧХ в +3дБ, т.е. всё, что попадёт в эту полосу будет звучать вдвое громче всего остального. Кому-то это нравится, а у кого-то могут возникнуть головные боли. 
×
×
  • Создать...