Измерение параметров полевых транзисторов (MOSFET)

[Aleksandr1111]

Не нашел аналогичную тему.

В данной теме предлагаю обсуждение измерений различных параметров полевых транзисторов, имеющих практическое значение.

Пример: купил на Али IR3205 в корпусе to-220ab, у которых сопротивление открытого канала Rds on должно быть 8 мОм. При измерении с током стока 0,4 А  получается 28 мОм, никак не меньше. Скажете, при больших токах, как в даташите, оно будет 8? Такого ничего не говорится, наоборот, у высоковольтных полевых сопротивление канала возрастает с увеличением Id. Может, придется смириться с этим за их дешевизну ( 93р/10шт)?

Изменено 27 февраля, 2018 пользователем Aleksandr1111

[Реклама]

Реклама: ООО ТД Промэлектроника, ИНН: 6659197470, Тел: 8 (800) 1000-321

[kotosob]

@Aleksandr1111 ,замеры твои ни о чем не могут тебе говорить,читай ,а не понимаешь значений в таблице и графиков,гугл приводит примеры,как искать и оценивать нужные параметры в ПДФ:
http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irf3205.pdf

Изменено 27 февраля, 2018 пользователем kotosob

[Реклама]

20% скидка на весь каталог электронных компонентов в ТМ Электроникс!

Акция "Лето ближе - цены ниже", успей сделать выгодные покупки!

Плюс весь апрель действует скидка 10% по промокоду APREL24 + 15% кэшбэк и бесплатная доставка!

Перейти на страницу акции

Реклама: ООО ТМ ЭЛЕКТРОНИКС, ИНН: 7806548420, info@tmelectronics.ru, +7(812)4094849

[motoandrey14]

@Aleksandr1111 Что значит смириться? Тебе подсунули транзистор в 10 раз хуже и дешевле, который обязательно сгорит, и тебя это устраивает?

3205 при 5А сильно не греется даже без радиатора, 10А с маленьким радиатором. А твой, скорее всего, взорвётся, или очень сильно будет греться и деградировать, до взрыва или тихого пробоя

Изменено 28 февраля, 2018 пользователем motoandrey14

[Реклама]

Особенности хранения литиевых аккумуляторов и батареек

Потеря емкости аккумулятора напрямую зависит от условий хранения и эксплуатации. При неправильном хранении даже самый лучший литиевый источник тока с превосходными характеристиками может не оправдать ожиданий. Технология, основанная на рекомендациях таких известных производителей литиевых источников тока, как компании FANSO и EVE Energy, поможет организовать правильный процесс хранения батареек и аккумуляторов. Подробнее>>

Реклама: АО КОМПЭЛ, ИНН: 7713005406, ОГРН: 1027700032161

[mail_robot]

сколько заплатил, столько и получил. Китаец в описании лота соврал? Нет, он написал то что увидел на корпусе. Соответствует? Да. Какие проблемы?

Хочешь оригинал, иди к диллеру.

[Реклама]

Выбираем схему BMS для корректной работы литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

 Обязательным условием долгой и стабильной работы Li-FePO4-аккумуляторов, в том числе и производства EVE Energy, является применение специализированных BMS-микросхем. Литий-железофосфатные АКБ отличаются такими характеристиками, как высокая многократность циклов заряда-разряда, безопасность, возможность быстрой зарядки, устойчивость к буферному режиму работы и приемлемая стоимость. Но для этих АКБ, также как и для других, очень важен контроль процесса заряда и разряда, а специализированных микросхем для этого вида аккумуляторов не так много. Инженеры КОМПЭЛ подготовили список имеющихся микросхем и возможных решений от разных производителей. Подробнее>>

Реклама: АО КОМПЭЛ, ИНН: 7713005406, ОГРН: 1027700032161

[motoandrey14]

Кто есть диЛЛер?

[Dr. West]

Изменено 28 февраля, 2018 пользователем Dr. West

[Aleksandr1111]

8 часов назад, kotosob сказал:

оценивать нужные параметры в ПДФ:
http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irf3205.pdf

Ну и что? У меня есть этот даташит. Почему это Вы решили, что я не понимаю таблиц и графиков? Все я там понимаю. Факт то, что там нет графика зависимости сопротивления открытого канала от тока стока. Или, может, Вы мне такой покажете? И почему это мои замеры мне ни о чем не говорят? Вы хотите сказать, что при duty cycle 2 % , как указано в даташите, температура кристалла будет 25 С, и тогда получим 8 мОм? 

Изменено 28 февраля, 2018 пользователем Aleksandr1111

[boris_ka]

Измерял разные полевики при токах 0,1-2А, зависимости Rds от тока не заметил. 

 

[kotosob]

@Aleksandr1111 ,я хотел сказать,что надо учиться читать даташиты ,а заодно и зависимость параметров  от напряжения на затворе,тока стока и при этом  сравнивать с таблицей,где указаны режимы,при каких сопротивление перехода будет минимальным.Транзистор  скорей нормальный,чем надумано- проблемный .Проверять в статике минимальных режимов и стремиться увидеть ключевые достижимые ,руководствуясь чем угодно,только не чернобелым текстом даташита,смешно..)).

[Aleksandr1111]

1 час назад, kotosob сказал:

параметров  от напряжения на затворе

Мерял при Vgs 10-12 V.

При моих 0,4 А рассеиваемая мощность 0,4*10 mV( падение на канале)=4 мВт, умножаемаем на тепловое сопротивление кристалл-среда 62 С/W, получаем перегрев кристалла 0,25 С, т.е. при таком токе сопротивление канала не должно быть существенно больше указанного в даташите.(если б температура кристалла была близка к макисмальным 175 С, тогда б еще можно было понять)

Не думаю, что многие меряют при импульсном токе 62 А, скорее, при более скромных (тут, наверно, авто аккум. в помощь ).Поэтому хотелось хотя бы узнать, у кого какие значения получались в статике при обычных токах.

[ndiod]

Проверял при токе 1А транзисторы с распая IRF630, IRF540, STP5N60, STP4N60  Rds сходилось с даташитом, у купленных с Али FQPF20N60 Rds измерил 1,4 Ома, по даташиту 0,37

[Vslz]

При измерении столь малых сопротивлений, можно легко напортачить. Источник тока 0,4А и провода к милливольтметру должны подключаться по-отдельности к электродам транзистора, чтобы проходящий ток не вызывал падения напряжения на измерительных проводниках. У меня все купленные когда-то на рынке IR3205 (иногда тоже попадается ХЗ что) показывали Rdson 6-6,5 мОм при стабилизированном токе стока Id=1,0А и Vgs=9,5 В. При измерениях они, естественно не грелись совсем. Для контроля, проверял тем же методом шунт мультиметра - 10мОм, все ОК.

Изменено 28 февраля, 2018 пользователем Vslz

[Aleksandr1111]

1 час назад, Vslz сказал:

провода к милливольтметру должны подключаться по-отдельности к электродам транзистора

Да, я это учёл.

@kotosob , померил у IRF630 с логотипом ST (с монитора), при том же токе получилось 370 мОм - сходится с даташитным. Так что, видимо, такие уж они есть у этого продавца. У IRFZ44N, купленных около года назад (по 43р/5 шт) у другого продавца, вместо 22 мОм получалось около 29 - т.е. разница не в разы, как с этими 3205

Изменено 28 февраля, 2018 пользователем Aleksandr1111

[kotosob]

@Aleksandr1111 ,попробуй мерять точно так,как здесь описано,сверяясь в точности измерений,как Vslz пример привел:
http://allgosts.ru/31/080/gost_20398.13-80.pdf
..где-то даже уверен,что *измерения * проводились по-касьяновски..))..:
 https://www.youtube.com/watch?v=EhJwkAmCNls

Кто-то не заморачиваясь на вычисления нагружает током,близким к максимуму,проверяя нагрев..)....и на последок--просто вскрой транзистор и сравни кристалл с  образцовым,а то нэт полон таких страстей в погоне за дешевкой..

 

Изменено 28 февраля, 2018 пользователем kotosob

[Vslz]

12 часа назад, Aleksandr1111 сказал:

У IRFZ44N...вместо 22 мОм получалось около 29

В даташите обычно есть три колонки: минимум, типовое и максимум. Иногда производитель ограничивается заполнением максимума, а остальные не указывает. В даташитах на некоторые мосфеты есть и типовая величина Rdson. Сколько типов ключей перепроверил, в основном из распая - у всех Rdson оказывалось ниже даташитного максимума. Они соответствовали именно типовому Rdson. То есть, у меня для IRFZ44N получено 15-16 мОм, можете посмотреть - это соответствует "типовому значению" из даташита. Ваши 28 мОм наводят на подозрение.

Что было у Вас в качестве источника тока и нагрузки при измерениях? Может, ток плывет, или большие пульсации.

Возможно, ситуацию прояснит фотография вашей измерительной "установки". 

[Aleksandr1111]

Примерно так: (фото)

Источник напряжения 12 V стабилизированного (пульсации малы), на затвор через резистор 1к - тоже 12 V, нагрузка около 27 Ом. К выводам припаяны отрезки провода, падение измеряю на концах выводов. Ну я, в принципе, для себя этот вопрос уже прояснил, буду иметь ввиду, что на Али транзисторы хуже, чем настоящие, которые стОят не 9-10р, а до 40-50/шт в разных интернет-магазинах.

Изменено 1 марта, 2018 пользователем Aleksandr1111

[Vslz]

2 часа назад, Aleksandr1111 сказал:

падение измеряю на концах выводов.

Измерять надо на самих ножках транзистора, и не в местах пайки. Ну а ток как измерили?

[Aleksandr1111]

Амперметром Ц4317 по потреблению от БП; сопротивление шунта амперметра намного меньше 27 Ом, поэтому погрешности он не вносит.

[Vslz]

Берете LM317 (1084, 1085), включаете ее по стандартной даташитовской схеме - стабилизатором тока на 1А. Всего две детали и высокоточный ГСТ готов. Убеждаетесь, что он дает точно 1А.

После этого уже можно допускать, что ток стока не изменится.

 

[IlCF]

@Aleksandr1111, контактные сопротивления в такой плате, как на вашей фотографии, могут составлять величины, на порядки бОльшие, чем то, что вы пытаетесь измерить. Вы представляете, что такое 8 мОм? Так что для начала весь ваш "стенд" переведите на пайку.

Так же есть момент номер два. Встречал в интернете видео, где ребята показывали транзисторы с нарощенными ногами. Т.е. фирменные б/у транзисторы сначала вырубались (а не выпаивались) из платы, а потом к обрубленным почти под корень выводам приваривались новые. Причём для наращивания была использована не медь, а какой-то более высокоомный сплав. Для транзисторов не с экстремально малыми Rdson влияние повышенного сопротивления выводов незаметно, а для таких, как в вашем случае - уже очень заметно. Проверить транзистор на наличие такого "финта" можно, подпаявшись практически вплотную к корпусу и проведя измерения при таком подключении.

[СКУПОЙ]

Ко всему вышесказанному добавлю, что Rds-on при заданном Ugs можно также проверить (конечно же, по 4-х проводной схеме) миллиомметром (не так давно приводил пример в курилке) или микроомметром, конечно, если у вас есть такой измеритель. Из практики: измерение миллиомметром при малом токе (порядка 100...200 мА)  дает довольно достоверный результат, сравнимый с измерением методом амперметра-вольтметра на бОльших токах...